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Bis(aziridino)dimethylaminomethan
Bis(aziridino)dimethylaminomethan | 75374-07-1
分子结构分类
有机化合物
-
有机酸及其衍生物
-
原羧酸衍生物
中文名称
——
中文别名
——
英文名称
Bis(aziridino)dimethylaminomethan
英文别名
1,1-bis(aziridin-1-yl)-N,N-dimethylmethanamine
CAS
75374-07-1
化学式
C
7
H
15
N
3
mdl
——
分子量
141.216
InChiKey
NTZQDPFOIWNTLV-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
物化性质
计算性质
ADMET
安全信息
SDS
制备方法与用途
上下游信息
反应信息
文献信息
表征谱图
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物化性质
沸点:
32-34 °C(Press: 0.1 Torr)
密度:
1.171±0.06 g/cm3(Predicted)
计算性质
辛醇/水分配系数(LogP):
0.1
重原子数:
10
可旋转键数:
3
环数:
2.0
sp3杂化的碳原子比例:
1.0
拓扑面积:
9.3
氢给体数:
0
氢受体数:
3
SDS
SDS:40a5e359ac06d2f611a8566b9afe54c9
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反应信息
作为产物:
描述:
乙烯亚胺
、
N,N-二甲基甲酰胺二甲基缩醛
反应 24.0h, 以71%的产率得到Bis(aziridino)dimethylaminomethan
参考文献:
名称:
三胺基甲烷衍生物作为n型掺杂剂在半导体材料中的应用
摘要:
本发明公开了三胺基甲烷衍生物作为n型掺杂剂在半导体材料中的应用。三胺基甲烷衍生物作为有机半导体、碳纳米管、二维半导体材料等半导体材料的n型掺杂剂,具有高稳定性高、高溶解性和高掺杂能力的优点,与有机半导体材料有良好的混溶性,且掺杂不会破坏聚合物传输电荷的π‑π堆积通道,可以加工高性能的掺杂半导体厚膜。将三胺基甲烷衍生物作为n型掺杂剂应用于薄膜晶体管、热电材料、太阳能电池和发光二极管等光电器件中,可以极大的提高半导体材料体相或者界面的电子密度,降低体相或者界面的电阻、接触势垒,提高材料的n型电导率和功率因子。
公开号:
CN111825591A
点击查看最新优质反应信息
文献信息
Bis-aziridinomethanes: synthesis, structure and properties
作者:
Remir G. Kostyanovsky、Vasilii R. Kostyanovsky、Boris B. Averkiev、Konstantin A. Lyssenko、Pavel E. Dormov
DOI:
10.1070/mc2001v011n04abeh001471
日期:
2001.1
Daub, Joerg; Hasenhuendl, Adelheid; Krenkler, Karl P., Liebigs Annalen der Chemie, 1980, # 7, p. 997 - 1015
作者:
Daub, Joerg、Hasenhuendl, Adelheid、Krenkler, Karl P.、Schmetzer, Johannes
DOI:
——
日期:
——
DAUB J.; HASENHUENDL A.; KRENKLER K. P.; SCHMETZER J., LIEBIGS ANN. CHEM., 1980, NO 7, 997-1015
作者:
DAUB J.、 HASENHUENDL A.、 KRENKLER K. P.、 SCHMETZER J.
DOI:
——
日期:
——
三胺基甲烷衍生物作为n型掺杂剂在半导体材料中的应用
申请人:
北京大学
公开号:
CN111825591A
公开(公告)日:
2020-10-27
本发明公开了三胺基甲烷衍生物作为n型掺杂剂在半导体材料中的应用。三胺基甲烷衍生物作为有机半导体、碳纳米管、二维半导体材料等半导体材料的n型掺杂剂,具有高稳定性高、高溶解性和高掺杂能力的优点,与有机半导体材料有良好的混溶性,且掺杂不会破坏聚合物传输电荷的π‑π堆积通道,可以加工高性能的掺杂半导体厚膜。将三胺基甲烷衍生物作为n型掺杂剂应用于薄膜晶体管、热电材料、太阳能电池和发光二极管等光电器件中,可以极大的提高半导体材料体相或者界面的电子密度,降低体相或者界面的电阻、接触势垒,提高材料的n型电导率和功率因子。
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