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Bis(aziridino)dimethylaminomethan | 75374-07-1

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
Bis(aziridino)dimethylaminomethan
英文别名
1,1-bis(aziridin-1-yl)-N,N-dimethylmethanamine
Bis(aziridino)dimethylaminomethan化学式
CAS
75374-07-1
化学式
C7H15N3
mdl
——
分子量
141.216
InChiKey
NTZQDPFOIWNTLV-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
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物化性质

  • 沸点:
    32-34 °C(Press: 0.1 Torr)
  • 密度:
    1.171±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    0.1
  • 重原子数:
    10
  • 可旋转键数:
    3
  • 环数:
    2.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    9.3
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    3

SDS

SDS:40a5e359ac06d2f611a8566b9afe54c9
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反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    乙烯亚胺N,N-二甲基甲酰胺二甲基缩醛 反应 24.0h, 以71%的产率得到Bis(aziridino)dimethylaminomethan
    参考文献:
    名称:
    三胺基甲烷衍生物作为n型掺杂剂在半导体材料中的应用
    摘要:
    本发明公开了三胺基甲烷衍生物作为n型掺杂剂在半导体材料中的应用。三胺基甲烷衍生物作为有机半导体、碳纳米管、二维半导体材料等半导体材料的n型掺杂剂,具有高稳定性高、高溶解性和高掺杂能力的优点,与有机半导体材料有良好的混溶性,且掺杂不会破坏聚合物传输电荷的π‑π堆积通道,可以加工高性能的掺杂半导体厚膜。将三胺基甲烷衍生物作为n型掺杂剂应用于薄膜晶体管、热电材料、太阳能电池和发光二极管等光电器件中,可以极大的提高半导体材料体相或者界面的电子密度,降低体相或者界面的电阻、接触势垒,提高材料的n型电导率和功率因子。
    公开号:
    CN111825591A
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文献信息

  • Bis-aziridinomethanes: synthesis, structure and properties
    作者:Remir G. Kostyanovsky、Vasilii R. Kostyanovsky、Boris B. Averkiev、Konstantin A. Lyssenko、Pavel E. Dormov
    DOI:10.1070/mc2001v011n04abeh001471
    日期:2001.1
  • Daub, Joerg; Hasenhuendl, Adelheid; Krenkler, Karl P., Liebigs Annalen der Chemie, 1980, # 7, p. 997 - 1015
    作者:Daub, Joerg、Hasenhuendl, Adelheid、Krenkler, Karl P.、Schmetzer, Johannes
    DOI:——
    日期:——
  • DAUB J.; HASENHUENDL A.; KRENKLER K. P.; SCHMETZER J., LIEBIGS ANN. CHEM., 1980, NO 7, 997-1015
    作者:DAUB J.、 HASENHUENDL A.、 KRENKLER K. P.、 SCHMETZER J.
    DOI:——
    日期:——
  • 三胺基甲烷衍生物作为n型掺杂剂在半导体材料中的应用
    申请人:北京大学
    公开号:CN111825591A
    公开(公告)日:2020-10-27
    本发明公开了三胺基甲烷衍生物作为n型掺杂剂在半导体材料中的应用。三胺基甲烷衍生物作为有机半导体、碳纳米管、二维半导体材料等半导体材料的n型掺杂剂,具有高稳定性高、高溶解性和高掺杂能力的优点,与有机半导体材料有良好的混溶性,且掺杂不会破坏聚合物传输电荷的π‑π堆积通道,可以加工高性能的掺杂半导体厚膜。将三胺基甲烷衍生物作为n型掺杂剂应用于薄膜晶体管、热电材料、太阳能电池和发光二极管等光电器件中,可以极大的提高半导体材料体相或者界面的电子密度,降低体相或者界面的电阻、接触势垒,提高材料的n型电导率和功率因子。
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