Trichlorsilyl-bis-trimethylsilyl-amin | 17042-59-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: Trichlorsilyl-bis-trimethylsilyl-amin
• 英文别名: Bis-(trimethylsilyl)-trichlorsilyl-amin；[Dimethyl-[trichlorosilyl(trimethylsilyl)amino]silyl]methane
• CAS: 17042-59-0
• 化学式: C₆H₁₈Cl₃NSi₃
• 分子量: 294.831
• InChiKey: IJKWPGZYUHSUNJ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.11
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  3.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  Trichlorsilyl-bis-trimethylsilyl-amin 在 lithium aluminium tetrahydride 作用下， 以 乙醚 为溶剂， 生成 Silyl-bis(trimethylsilyl)amin
  参考文献：
  名称：

  Wannagat,U. et al., Chemische Berichte, 1964, vol. 97, p. 2029 - 2036

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  六甲基二硅氮烷 在 正丁基锂 、 四氯化硅 作用下， 以 乙醚 、 正己烷 为溶剂， 反应 4.0h， 生成 Trichlorsilyl-bis-trimethylsilyl-amin
  参考文献：
  名称：

  合成两种氨基硅烷作为 SiCxNy 薄膜的 CVD 前体：通过分子结构调整薄膜组成

  摘要：

  图形摘要摘要 衍生自六甲基二硅氮烷的两种氨基硅烷作为 SiCxNy 和相关薄膜的化学气相沉积 (CVD) 前体已有报道，并在必要时通过 1H、13C 和 29Si NMR 以及 EI-MS 和元素分析进行​​表征。通过同步热分析 (STA) 评估热稳定性、传输行为和蒸汽压。化学气相沉积在热壁 CVD 反应器系统中完成，以进一步证明这些化合物作为 CVD 前体的能力。最重要的是，生长薄膜的表征（XPS）证明薄膜的组成可以通过前体的分子结构来控制。结果表明了未来为 SiCxNy 和相关薄膜设计 CVD 前体的策略。

  DOI：

  10.1080/10426507.2018.1455682

文献信息

• Beiträge zur chemie der silicium-stickstoff-verbindungen 87. Ein neues, unerwartetes Si,N,C-Spiran aus siliciumtetrachlorid undnatrium-bis(trimethylsilyl)amid
  作者：Ulrich Wannagat、Joachim Herzig、Hans Bürger

  DOI：10.1016/s0022-328x(00)92950-4

  日期：1970.7

  Dropwise addition of SiCl4 to NaN(SiMe3)2 at 200° gives the compound C17H49N3Si7 almost quantitatively according to the equation: 7 SiCl4 + 28 NaN(SiMe3)2 → 19 NaCl + 9 NaN(SiMe3)2 + 3 Cl3Si–N(SiMe3)2 + 6 HN(SiMe3)2 + 3 C17H49N3Si7 + “Me3Si–N(SiMe3)2” (V)

  在200°下将SiCl 4滴加到NaN（SiMe 3）2中，几乎可以根据以下方程式定量获得化合物C 17 H 49 N 3 Si 7：7 SiCl 4 + 28 NaN（SiMe 3）2 →19 NaCl + 9 NaN （SiMe 3）2 + 3 Cl 3 Si–N（SiMe 3）2 + 6 HN（SiMe 3）2 + 3 C 17 H 49 N 3 Si 7 +“ Me 3 Si–N（SiMe 3）2英寸（V）
• Synthesis of N-trimethylsilyl-substituted organoaminosilanes and cyclodisilazanes
  作者：K. A. Andrianov、G. V. Kotrelev、V. V. Kazakova、I. E. Rogov

  DOI：10.1007/bf00921677

  日期：1975.11