bis-(triethyl silyl) selane | 14846-53-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: bis-(triethyl silyl) selane
• 英文别名: bis(triethylsilyl)selenide；hexaethyl-disilaselane；(Et3Si)2Se；Bis-triaethylsilyl-selenid；Bis-triaethylsilyl-selen；Bis-triethylsilyl-selen；triethyl(triethylsilylselanyl)silane
• CAS: 14846-53-8
• 化学式: C₁₂H₃₀SeSi₂
• 分子量: 309.501
• InChiKey: NHTHHXUCBKVFRN-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  114-118 °C(Press: 4 Torr)
• 密度：
  1.063 g/cm3

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.7
• 重原子数：
  15
• 可旋转键数：
  8
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  bis-(triethyl silyl) selane 、 氯化铟 以 gas 为溶剂， 生成 indium(III) selenide
  参考文献：
  名称：

  使用碲和硒的烷基甲硅烷基化合物在金属碲化物和硒化物的原子层沉积

  摘要：

  金属硒化物和碲化物薄膜的原子层沉积 (ALD) 一直受到限制，因为缺乏同时安全且表现出 ALD 所需的高反应性的前体。然而，有许多重要的金属硒化物和碲化物薄膜材料通过 ALD 沉积可能是有益的，例如用于太阳能电池的 CuInSe2 和用于相变随机存取存储器的 Ge2Sb2Te5。特别是在后一种情况下，ALD 提供的高度保形沉积对于高存储密度至关重要。到目前为止，由于缺乏合适的碲前体，只能使用等离子体辅助工艺尝试对碲化锗锑 (GST) 进行 ALD。在本文中，我们在碲和硒的新 ALD 前体的开发方面取得了突破。具有通式 (R3Si)2Te 和 (R3Si)2Se 的化合物与各种金属卤化物反应形成相应的金属碲化物和硒化物。例如，我们展示了 Sb2Te3、GeTe 和 GST 薄膜可以使用 (Et3Si)2Te、SbCl3 和 GeCl2 x C4H8O2 化合物作为前体通过 ALD 沉积。所有三种前体都表现出典型的饱和

  DOI：

  10.1021/ja8090388
• 作为产物：
  描述：

  三乙基氯硅烷 在 sodium selenide 作用下， 生成 bis-(triethyl silyl) selane
  参考文献：
  名称：

  Facile hot-injection synthesis of stoichiometric Cu₂ZnSnSe₄ nanocrystals using bis(triethylsilyl) selenide

  摘要：

  使用双(三乙基硅基)硒化物作为硒源，首次合成了CZTSe纳米颗粒。通过拉曼光谱研究了反应时间和前体注入顺序对形成化学计量比CZTSe纳米颗粒的影响。

  DOI：

  10.1039/c4dt00688g

文献信息

• Alternative Precursors for the Synthesis of Binary Sb ₂ E ₃ and Bi ₂ E ₃ (E = S, Se, Te) Nanoparticles by the Hot Injection Method
  作者：Monika Rusek、Georg Bendt、Christoph Wölper、Stephan Schulz

  DOI：10.1002/ejic.201600490

  日期：2016.8

  Intramolecularly stabilized Sb(OCH2CH2NMe2)3 (1) and Bi(OCH2CH2NMe2)3 (2) readily react with (Me3Si)2S and (Et3Si)2E (E = Se, Te) at moderate temperatures (hot injection method) with elimination of the corresponding silyl ether and subsequent formation of the group 15 chalcogenides Sb2E3 and Bi2E3, which were characterized by XRD, SEM, and energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX). In addition, the

  分子内稳定的 Sb(OCH2CH2NMe2)3 (1) 和 Bi(OCH2CH2NMe2)3 (2) 在中等温度下容易与 (Me3Si)2S 和 (Et3Si)2E (E = Se, Te) 反应，消除了相应的甲硅烷基醚和随后形成的第 15 族硫属元素 Sb2E3 和 Bi2E3，通过 XRD、SEM 和能量色散 X 射线光谱 (EDX) 对其进行表征。此外，通过单晶XRD确定了1的固态结构。
• Intramolecularly-stabilized Group 14 Alkoxides - Promising Precursors for the Synthesis of Group 14-Chalcogenides by Hot-Injection Method
  作者：Monika Rusek、Georg Bendt、Christoph Wölper、Dieter Bläser、Stephan Schulz

  DOI：10.1002/zaac.201700029

  日期：2017.6.1

  (3)] are suitable precursors for the synthesis of group 14 chalcogenides ME (M = Ge, Sn, Pb; E = S, Se, Te) in scrambling reactions with (Me3Si)2S and (Et3Si)2E (E = Se, Te) at moderate temperatures via hot injection method. The reactions proceed with elimination of the corresponding silylether as was proven by in situ 1H NMR spectroscopy. The solid‐state structures of the homoleptic complex 1 and the

  M（OCH 2 CH 2 N R 2）2型的分子内稳定的锗，锡和铅的醇盐[ R = Et，M = Ge（1）; R = Me，M = Sn（2）；R = Me，M = Pb（3）]是与（Me 3 Si）2 S加扰反应中合成第14组硫族化物ME（M = Ge，Sn，Pb; E = S，Se，Te）的合适前体。和（Et 3 Si）2 E（E = Se，Te）在中等温度下通过热注射方法。反应通过消除相应的甲硅烷基醚来进行，如通过原位1 H NMR光谱法证实的。通过单晶X射线衍射确定了均配物1和杂配物ClGe（OC 2 H 4 NEt 2）（4）的固态结构，而第14族硫属化物的特征在于XRD，SEM和EDX。
• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: F: PerFHalOrg.4, 4.3.1, page 181 - 183
  作者：

  DOI：——

  日期：——
• Bochkarev, M. N.; Vyazankin, N. S.; Maiorova, L. P., Doklady Akademii nauk SSSR, 1971, vol. 196/201, p. 830 - 831
  作者：Bochkarev, M. N.、Vyazankin, N. S.、Maiorova, L. P.

  DOI：——

  日期：——
• Bochkarev,M.N. et al., Journal of general chemistry of the USSR, 1969, vol. 39, p. 122 - 127
  作者：Bochkarev,M.N. et al.

  DOI：——

  日期：——