概述
锑化铟(InSb)是研究较早且深入的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料。它呈银色,质地脆硬,并具有闪锌矿结构。其晶格常数为6.48Å,是一种直接带隙材料,禁带宽度仅为0.18eV,电子迁移率高达7800cm²/V·s,因此可用于制作红外探测器、光磁探测器和霍尔器件。
应用
InSb单晶因其高电子迁移率而成为优质的红外探测器件、霍耳器件及磁阻器件的衬底材料。具体应用包括成像器件和InSb焦平面阵列器件,特别是适用于大气透射窗口3~5μm波段。
类别与特性
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类别:有毒物品
 
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毒性分级:中毒
 
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急性毒性:
 
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储运特性:
 
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灭火剂:
 
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职业标准:时间加权平均容许浓度(TWA)为0.1毫克/立方米(铟)。