我们在此报告了用于有机场效应晶体管 (OFET) 的优化交联聚合物共混物 (CPB) 电介质的合成和介电性能。新型
硅烷交联剂能够合成具有优异质量和可调厚度(从 10 到大约 500 nm)的 CPB 薄膜,通过旋涂和凹版印刷制造。式 X 3Si-R-SiX 3 (R = -C 6H 12- 和 X = Cl、OAc、NMe 2、OMe 或 R = -C 2H 4-OC 2H 4- 和 X = OAc) 的
硅烷试剂表现出与含羟基底物的可调反应性。通过将 X 3Si-R-SiX 3 与聚(4-
乙烯基)
苯酚 (PVP) 混合制成的介电薄膜需要非常低的固化温度(大约 110 摄氏度),并能牢固地粘附在各种 FET 栅极接触材料上,例如 n ( +)-Si、ITO 和 Al。CPB 电介质具有出色的绝缘性能(泄漏电流密度为 10 (-7) 大约 10 (-8) A cm (-2) at 2.0 MV/cm)和可调电容值(从