(dimethylamino)hexyldimethylsilane | 25913-89-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: (dimethylamino)hexyldimethylsilane
• 英文别名: dimethylhexyl(dimethylamino)silane；Dimethylamino-n-hexyldimethylsilan；N-(hexyl-dimethylsilyl)dimethylamine；N-[hexyl(dimethyl)silyl]-N-methylmethanamine
• CAS: 25913-89-7
• 化学式: C₁₀H₂₅NSi
• 分子量: 187.401
• InChiKey: DGYSDCNRMHJVAH-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.33
• 重原子数：
  12
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  3.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  二甲基己基氯硅烷 、 二甲胺 以 正己烷 为溶剂， 以88%的产率得到(dimethylamino)hexyldimethylsilane
  参考文献：
  名称：

  单官能（二甲基氨基）硅烷作为硅烷化剂

  摘要：

  研究了三有机基（二甲基氨基）硅烷与表面水合二氧化硅的反应。这些甲硅烷基化剂易于由相应的氯硅烷或溴硅烷与二甲胺制备。所得产物是热稳定的和相对挥发性的。在150–250°C下与表面水合二氧化硅制备物反应170 h，得到致密的接枝层。然而，对于具有强极性取代基的（二甲基氨基）硅烷而言，为了获得最大的覆盖率，似乎有必要对表面改性的二氧化硅进行重新处理。

  DOI：

  10.1002/hlca.19840670813

文献信息

• Monofunctional (Dimethylamino)silane as Silylating Agent
  作者：Katalin Szabó、Ngoc Le Ha、Philippe Schneider、Peter Zeltner、Ervin sz. Kováts

  DOI：10.1002/hlca.19840670813

  日期：1984.12.19

  The reaction of triorganyl(dimethylamino)silanes with surface-hydrated silicon dioxide has been studied. These silylating agents are easy to prepare from the corresponding chloro or bromosilanes with dimethylamine. The resulting products are thermally stable and relatively volatile. Reaction with surface-hydrated silicon-dioxide preparations at 150–250°C for 170 h yields a dense grafted layer. However

  研究了三有机基（二甲基氨基）硅烷与表面水合二氧化硅的反应。这些甲硅烷基化剂易于由相应的氯硅烷或溴硅烷与二甲胺制备。所得产物是热稳定的和相对挥发性的。在150–250°C下与表面水合二氧化硅制备物反应170 h，得到致密的接枝层。然而，对于具有强极性取代基的（二甲基氨基）硅烷而言，为了获得最大的覆盖率，似乎有必要对表面改性的二氧化硅进行重新处理。
• Addition of silicon hydrides to olefinic double bonds. XII. Use of aminosilicon hydrides and silazane hydrides
  作者：William E. Dennis、J. L. Speier

  DOI：10.1021/jo00836a065

  日期：1970.11
• Printable Cross-Linked Polymer Blend Dielectrics. Design Strategies, Synthesis, Microstructures, and Electrical Properties, with Organic Field-Effect Transistors as Testbeds
  作者：Choongik Kim、Zhiming Wang、Hyuk-Jin Choi、Young-Geun Ha、Antonio Facchetti、Tobin J. Marks

  DOI：10.1021/ja801047g

  日期：2008.5.1

  We report here the synthesis and dielectric properties of optimized, cross-linked polymer blend (CPB) dielectrics for application in organic field-effect transistors (OFETs). Novel silane cross-linking reagents enable the synthesis of CPB films having excellent quality and tunable thickness (from 10 to approximately 500 nm), fabricated both by spin-coating and gravure-printing. Silane reagents of the

  我们在此报告了用于有机场效应晶体管 (OFET) 的优化交联聚合物共混物 (CPB) 电介质的合成和介电性能。新型硅烷交联剂能够合成具有优异质量和可调厚度（从 10 到大约 500 nm）的 CPB 薄膜，通过旋涂和凹版印刷制造。式 X 3Si-R-SiX 3 (R = -C 6H 12- 和 X = Cl、OAc、NMe 2、OMe 或 R = -C 2H 4-OC 2H 4- 和 X = OAc) 的硅烷试剂表现出与含羟基底物的可调反应性。通过将 X 3Si-R-SiX 3 与聚（4-乙烯基）苯酚 (PVP) 混合制成的介电薄膜需要非常低的固化温度（大约 110 摄氏度），并能牢固地粘附在各种 FET 栅极接触材料上，例如 n ( +)-Si、ITO 和 Al。CPB 电介质具有出色的绝缘性能（泄漏电流密度为 10 (-7) 大约 10 (-8) A cm (-2) at 2.0 MV/cm）和可调电容值（从