diethyl(silyl)amin | 14660-24-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 英文名称: diethyl(silyl)amin
• 英文别名: N-ethyl-N-silylethanamine
• CAS: 14660-24-3
• 化学式: C₄H₁₃NSi
• 分子量: 103.239
• InChiKey: LXXSWZYRKAQQDI-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.39
• 重原子数：
  6
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  3.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  双(2-甲氧基乙基)胺 、 diethyl(silyl)amin 反应 48.0h， 生成 bis(2-methoxyethylamino)silane
  参考文献：
  名称：

  Precursors for depositing silicon-containing films and methods for making and using same

  摘要：

  本文描述了用于沉积含硅薄膜的氨基硅烷前体以及从这些氨基硅烷前体沉积含硅薄膜的方法。在一种实施例中，提供了一种用于沉积含硅薄膜的氨基硅烷前体，其包括以下式子（I）： （R1R2N）nSiR34-n  （I） 其中取代基R1和R2各自独立地选择来自1到20个碳原子的烷基和来自6到30个碳原子的芳基，其中至少一个取代基R1和R2包括至少一个电子吸引取代基，所述电子吸引取代基选择自F、Cl、Br、I、CN、NO2、PO（OR）2、OR、SO、SO2、SO2R，其中所述至少一个电子吸引取代基中的R选择自烷基或芳基，R3选择自H、烷基或芳基，n为1到4的数字。

  公开号：

  US08129555B2
• 作为产物：
  描述：

  二乙胺 在 四氯化硅 作用下， 生成 diethyl(silyl)amin
  参考文献：
  名称：

  气相中二乙基（甲硅烷基）胺的分子结构，由电子衍射确定

  摘要：

  摘要 通过电子衍射确定了气相中N(C 2 H 5 ) 2 (SiH 3 ) 的分子结构。SiNC 2 骨架是一个浅金字塔，角为 CNC 114.5(12)° 和 SiNC 120.9(5)°，并且甲基位于使得一个 CC 键靠近 CNC 平面，但另一个几乎垂直到它。其他重要参数 ( ra ) 是：r (SiN) 171.5(3)、r (CN) 145.6(4)、r (CC) 154.3(8) pm 和 ∠NCC 113.6(6)° .

  DOI：

  10.1016/0022-2860(87)80030-3

文献信息

• Precursors for CVD Silicon Carbo-nitride Films
  申请人：Xiao Manchao

  公开号：US20090069588A1

  公开（公告）日：2009-03-12

  Classes of liquid aminosilanes have been found which allow for the production of silicon-containing films. These aminosilanes, in contrast, to some of the precursors employed heretofore, are liquid at room temperature and pressure allowing for convenient handling. In addition, the invention relates to a process for producing such films. The classes of compounds are generally represented by the formulas: and mixtures thereof, wherein R and R 1 in the formulas represent aliphatic groups typically having from 2 to about 10 carbon atoms, e.g., alkyl, cycloalkyl with R and R 1 in formula A also being combinable into a cyclic group, and R 2 representing a single bond, (CH 2 ) n , a ring, or SiH 2 .

  已发现液态氨基硅烷类别，可用于生产含硅薄膜。与以往使用的某些前体相比，这些氨基硅烷在室温和压力下是液态的，便于处理。此外，本发明涉及一种生产这种薄膜的方法。这些化合物类别通常由以下公式代表：和它们的混合物，其中公式中的R和R1代表通常含有2至约10个碳原子的脂肪基，例如，烷基，环烷基，公式A中的R和R1也可以组合成一个环状基团，R2代表单键，（CH2）n，一个环，或SiH2。
• Precursors for Depositing Silicon-containing Films and Methods for Making and Using Same
  申请人：Cheng Hansong

  公开号：US20100041243A1

  公开（公告）日：2010-02-18

  Aminosilane precursors for depositing silicon-containing films, and methods for depositing silicon-containing films from these aminosilane precursors, are described herein. In one embodiment, there is provided an aminosilane precursor for depositing silicon-containing film comprising the following formula (I): (R 1 R 2 N) n SiR 3 4-n (I) wherein substituents R 1 and R 2 are each independently chosen from an alkyl group comprising from 1 to 20 carbon atoms and an aryl group comprising from 6 to 30 carbon atoms, at least one of substituents R 1 and R 2 comprises at least one electron withdrawing substituent chosen from F, Cl, Br, I, CN, NO 2 , PO(OR) 2 , OR, SO, SO 2 , SO 2 R and wherein R in the at least one electron withdrawing substituent is chosen from an alkyl group or an aryl group, R 3 is chosen from H, an alkyl group, or an aryl group, and n is a number ranging from 1 to 4.

  本文描述了用于沉积含硅薄膜的氨基硅烷前体以及从这些氨基硅烷前体沉积含硅薄膜的方法。在一种实施例中，提供了一种用于沉积含硅薄膜的氨基硅烷前体，其包括以下式子（I）：（R1R2N）nSiR34-n（I），其中取代基R1和R2各自独立地选择由1至20个碳原子组成的烷基和由6至30个碳原子组成的芳基，其中至少一个取代基R1和R2包括至少一个从F、Cl、Br、I、CN、NO2、PO（OR）2、OR、SO、SO2、SO2R中选择的电子吸引取代基，其中在至少一个电子吸引取代基中的R选择自烷基或芳基，R3选择自H、烷基或芳基，n为1至4的数字。
• Precursors for depositing silicon-containing films and methods using same
  申请人：AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

  公开号：EP2154141B1

  公开（公告）日：2016-06-15
• Schmidbaur, Hubert; Schuh, Heinz, Zeitschrift fur Naturforschung, B: Chemical Sciences, 1990, vol. 45, # 12, p. 1679 - 1683
  作者：Schmidbaur, Hubert、Schuh, Heinz

  DOI：——

  日期：——
• SCHMIDBAUR, HUBERT;SCHUH, HEINZ, Z. NATURFORSCH. B, 45,(1990) N2, C. 1679-1683
  作者：SCHMIDBAUR, HUBERT、SCHUH, HEINZ

  DOI：——

  日期：——