[DE] DÜNNSCHICHTKONDENSATOREN MIT HOHER INTEGRATIONSDICHTE<br/>[EN] THIN‑LAYER CAPACITORS WITH LARGE SCALE INTEGRATION<br/>[FR] CONDENSATEURS À COUCHE MINCE PRÉSENTANT UNE DENSITÉ D'INTÉGRATION ÉLEVÉE
申请人:SIEMENS AG
公开号:WO2014124796A1
公开(公告)日:2014-08-21
Die vorliegende Erfindung betrifft ein zweilagige, dielektrische Schicht für einen Dünnschichtkondensator, dadurch gekennzeichnet, dass a) die untere erste Lage (4) eine selbstorganisierende Monolage enthaltend Phosphoroxo-Verbindungen und b) die obere zweite Lage (5) eine Planarisierungslage enthaltend Guanidinium-Verbindungen umfasst.