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Hafnium tetranitrate | 15509-05-4

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
Hafnium tetranitrate
英文别名
hafnium(4+);tetranitrate
Hafnium tetranitrate化学式
CAS
15509-05-4
化学式
HfN4O12
mdl
——
分子量
426.51
InChiKey
TZNXTUDMYCRCAP-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    -0.96
  • 重原子数:
    17
  • 可旋转键数:
    0
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    252
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    12

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    scandium(III) nitrateHafnium tetranitrate 以 not given 为溶剂, 生成
    参考文献:
    名称:
    Zyrin, A. V.; Red'ko, V. P.; Lopato, L. M., Inorganic Materials, 1987, vol. 23, p. 1173 - 1177
    摘要:
    DOI:
  • 作为产物:
    描述:
    四磷十氧化物硝酸氯化铪 在 N2O5 作用下, 反应 0.5h, 生成 Hafnium tetranitrate
    参考文献:
    名称:
    Method of synthesis of hafnium nitrate for HfO2 thin film deposition via ALCVD process
    摘要:
    一种制备氮化铪薄膜的方法包括将五氧化二磷放入第一容器中;将第一容器连接到含有四氯化铪的第二容器上;用液氮冷却第二容器;将烟酸滴入第一容器中产生N2O5气体;让N2O5气体进入第二容器;加热第一容器直到反应基本完成;断开两个容器之间的连接;将第二容器从液氮浴中取出;加热第二容器;回流第二容器中的物质;通过动态抽气将第二容器中的化合物干燥;通过升华将第二容器中的化合物纯化成Hf(NO3)4,然后加热Hf(NO3)4以产生用于ALCVD工艺的HfO2。
    公开号:
    US06899858B2
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文献信息

  • Method of synthesis of hafnium nitrate for HfO2 thin film deposition via ALCVD process
    申请人:Sharp Laboratories of America, Inc.
    公开号:US20040146448A1
    公开(公告)日:2004-07-29
    A method of preparing a hafnium nitrate thin film includes placing phosphorus pentoxide in a first vessel; connecting the first vessel to a second vessel containing hafnium tetrachloride; cooling the second vessel with liquid nitrogen; dropping fuming nitric acid into the first vessel producing N 2 O 5 gas; allowing the N 2 O 5 gas to enter the second vessel; heating the first vessel until the reaction is substantially complete; disconnecting the two vessels; removing the second vessel from the liquid nitrogen bath; heating the second vessel; refluxing the contents of the second vessel; drying the compound in the second vessel by dynamic pumping; purifying the compound in the second vessel by sublimation to form Hf(NO 3 ) 4 , and heating the Hf(NO 3 ) 4 to produce HfO 2 for use in an ALCVD process.
    制备氮化铪薄膜的方法包括:将五氧化二磷放入第一个容器中;将第一个容器连接到含有四氯化铪的第二个容器上;用液态氮冷却第二个容器;向第一个容器中滴加烟酸,产生N2O5气体;将N2O5气体进入第二个容器中;加热第一个容器,直至反应基本完成;断开两个容器的连接;将第二个容器从液态氮浴中取出;加热第二个容器;回流第二个容器中的物质;通过动态抽气将第二个容器中的化合物干燥;通过升华纯化第二个容器中的化合物,形成Hf(NO3)4;加热Hf(NO3)4以产生HfO2,用于ALCVD过程。
  • Zyrin, A. V.; Red'ko, V. P.; Lopato, L. M., Inorganic Materials, <hi>1987</hi>, vol. 23, p. 1173 - 1177
    作者:Zyrin, A. V.、Red'ko, V. P.、Lopato, L. M.、Shevchenko, A. V.、Maister, I. M.、Zaitseva, Z. A.
    DOI:——
    日期:——
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