已经有 1 mol% 的亚价 [Ga(PhF) 2 ] + [ pf ] − ([ pf ] − = [Al(OR F ) 4 ] − , R F = C(CF 3 ) 3 ) 引发烯双氢
硅烷化温和条件下的债券。以HSiMe 3和HSiEt 3作为底物的反应有效地产生抗马可夫尼科夫和反加成产物,而较大的底物如HSi i Pr 3的反应性较低。通过气相色谱和S
TEM分析研究其潜在机制,我们意外地发现H 2和
金属Ga 0形成。在不添加烯烃的情况下,观察到形成 R 3 Si–F–Al(OR F ) 3 (R = 烷基),这是在小
硅离子存在下[ pf ] -阴离子的典型降解产物。电
化学分析表明, E 1/2 (Ga + /Ga 0 ; o DFB) = +0.26–的弱配位、极性邻二
氟苯中的一价 [Ga(PhF) 2 ] + [ pf ] −具有令人惊讶的高氧化电位。 0.37 V vs. Fc +