hafnium nitride

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: hafnium nitride
• 英文别名: hafnium mononitride；Azane;hafnium；azane;hafnium
• 化学式: HfN
• 分子量: 192.497
• InChiKey: KRYOIDMHTUAJRV-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.16
• 重原子数：
  2.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  35.0
• 氢给体数：
  1.0
• 氢受体数：
  1.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  hafnium nitride 在 air 作用下， 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 hafnium nitride
  参考文献：
  名称：

  含氧c-Zr3N4和c-Hf3N4的合成及性能

  摘要：

  本文介绍了我们最近关于具有 Th3P4 型结构 c-M3N4（M = Zr 或 Hf）的高压立方锆 (IV) 和铪 (IV) 氮化物的合成和性能的结果。c-M3N4 首先是在激光加热的金刚石砧座 (LH-DAC) 中在高于 15 GPa 的压力和高于 2500 K 的温度下以微观量合成的。 此外，宏观量的 c-Hf3N4 和一种新的含氧氮化锆，c-Zr2.86(N0.88O0.12)4，使用多砧装置在12 GPa和约1900 K下合成。c-Hf3N4 的晶格参数确定为 a0 = 670.2(1) pm。发现 c-Zr2.86(N0.88O0.12)4 的 675.49(1) pm 的 a0 略大于 c-Zr3N4 (674.0(6) pm)。从压缩测量中获得 c-Zr2.86(N0.88O0.12)4 的 219 GPa 和 c-Hf3N4 的 227 GPa 的体积模量 B0。结合压缩和压痕数据，我们确定

  DOI：

  10.1016/j.jallcom.2008.10.011
• 作为产物：
  描述：

  四(二乙基氨基)铪(IV) 以 gaseous matrix 为溶剂， 生成 hafnium nitride
  参考文献：
  名称：

  Gas Phase Photoproduction of Diatomic Metal Nitrides During Metal Nitride Laser Chemical Vapor Deposition

  摘要：

  DOI：

  10.1021/ic981365b
• 作为试剂：
  描述：

  氢气 、 氧气 在 hafnium nitride 作用下， 以 gas 为溶剂， 生成 水
  参考文献：
  名称：

  Il'chenko, N. I.; Vlasenko, M. V., Ukrainskij Khimicheskij Zhurnal, 1987, vol. 53/9, p. 40 - 44

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Sodium azide as a reagent for solid state metathesis preparations of refractory metal nitrides
  作者：Andrew L. Hector、Ivan P. Parkin

  DOI：10.1016/0277-5387(94)00314-5

  日期：1995.4

  Abstract Thermal initiation (∼ 300°C) of a reaction between sodium azide and anhydrous metal chlorides (LaCl3, SmCl3, TiCl3, ZrCl4, HfCl4, VCl3, TaCl5, CrCl2, WCl6 and MnCl2) in sealed evacuated ampoules rapidly produces binary metal nitrides, dinitrogen and sodium chloride. The metal nitrides were purified by trituration with methanol and characterized by powder X-ray diffraction, scanning electron

  摘要在密封的抽空安瓿中，叠氮化钠与无水金属氯化物（LaCl3，SmCl3，TiCl3，ZrCl4，HfCl4，VCl3，TaCl5，CrCl2，WCl6和MnCl2）之间的反应热引发（约300°C），迅速生成二元金属氮化物，氮气和氯化钠。通过用甲醇研磨纯化金属氮化物，并通过粉末X射线衍射，扫描电子显微镜，能量色散X射线分析和FT-IR进行表征。
• Layered ternary transition metal nitrides; synthesis, structure and physical properties
  作者：Duncan H. Gregory、Paul M. O’Meara、Alexandra G. Gordon、Daniel J. Siddons、Alexander J. Blake、Marten G. Barker、Thomas A. Hamor、Peter P. Edwards

  DOI：10.1016/s0925-8388(00)01340-2

  日期：2001.4

  Abstract Two-dimensional structures are an emerging class of materials within nitride chemistry. We report here our systematic studies of two groups of these layered compounds: 1 Lithium transition metal compounds, Li3−x−y□yMxN (M=Co, Ni, Cu, □=Li vacancy) and 2 ternary transition metal nitrides of general formulation AMN2 (A=alkaline earth metal, M=Ti, Zr, Hf). Compounds in class 1 are based on the

  摘要 二维结构是氮化物化学中的一类新兴材料。我们在此报告了我们对两组这些层状化合物的系统研究：1 锂过渡金属化合物，Li3−x−y□yMxN（M=Co、Ni、Cu、□=Li 空位）和 2 种通用配方的三元过渡金属氮化物AMN2（A=碱土金属，M=Ti、Zr、Hf）。第 1 类化合物基于六边形 Li3N 结构，这是氮化物独有的。相比之下，第 2 组中的化合物以氧化物结构（α-NaFeO2 或 KCoO2）结晶。已经开发出特定且不寻常的合成方法来可重复地制备这些化合物。系列 1 中的化合物包含有序或无序的 Li 空位，其水平相对于母体 Li3N（本身是 Li+ 快离子导体）有所增加。系列 2 中的氮化物应标称抗磁性 (S=0)，
• Synthesis, Structure, and Magnetic Properties of the New Ternary Nitride BaHfN2and of the BaHf1−xZrxN2Solid Solution
  作者：D.H. Gregory、M.G. Barker、P.P. Edwards、M. Slaski、D.J. Siddons

  DOI：10.1006/jssc.1997.7686

  日期：1998.4

  The new ternary nitrides BaHf1−xZrxN2(0≤x≤1) have been synthesized by the solid state reaction of the binary nitrides Ba3N2, HfN, and ZrN and characterized by powder X-ray diffraction. The crystal structure of the end member, BaHfN2, has been refined from powder data. The nitridohafnate crystallizes in the tetragonal space groupP4/nmm(a=4.1279(1) Å,c=8.3816(4) Å,Z=2) and is isostructural with the oxide

  新的三元氮化物BAHF 1- X的Zr X Ñ 2（0≤ X ≤1）由二元氮化物Ba中的固相反应合成了3 Ñ 2及HfN，和ZrN和其特征在于，粉末X射线衍射。末端成员BaHfN 2的晶体结构已根据粉末数据进行了精炼。所述nitridohafnate结晶在四方空间群P 4 / NMM（一个= 4.1279（1）埃，c ^ = 8.3816（4），Ž = 2）和同构与氧化物KCoO 2。a在扭曲的方形基锥体形状中与五个氮原子配位，形成沿c轴堆叠的边缘共享锥体层。钡位于Hf–N层之间，并与五个氮原子配位。样品表现出约8至293 K的温度相关顺磁性，并在8 K以下变得超导。
• Thermal stability of hafnium and hafnium nitride gates on HfO2 gate dielectrics
  作者：Chih-Huang Tsai、Yi-Sheng Lai、J.S. Chen

  DOI：10.1016/j.jallcom.2009.08.040

  日期：2009.11

  substrate, and (2) oxygen is incorporated into the bulk of the Hf film by reduction of the underlying HfO2 film, after annealing at 400 °C. The results suggest that HfN1.3 is a poorer oxygen diffusion barrier than HfN1.0, and reveal that HfN1.0/HfO2/Si MOS capacitors possess better thermal stability than Hf/HfO2/Si and HfN1.3/HfO2/Si capacitors.

  摘要 在这项工作中，研究了 HfNx 薄膜的材料和电性能对氮气流量比的依赖性。在合成气体中以 400 °C 退火后，溅射的 Hf 薄膜氧化，但溅射的 HfN1.0 和 HfN1.3 薄膜的成分保持不变。在 Hf/HfO2/Si 结构的情况下，发现 (1) 氧从薄膜表面扩散到硅衬底，以及 (2) 氧通过下面的 HfO2 的还原而结合到 Hf 薄膜的主体中薄膜，在 400 °C 退火后。结果表明，HfN1.3 的氧扩散势垒比 HfN1.0 差，并表明 HfN1.0/HfO2/Si MOS 电容器比 Hf/HfO2/Si 和 HfN1.3/HfO2/Si 电容器具有更好的热稳定性。
• Effects of Postdeposition Annealing on the Characteristics of HfO[sub x]N[sub y] Dielectrics on Germanium and Silicon Substrates
  作者：Chao-Ching Cheng、Chao-Hsin Chien、Ching-Wei Chen、Shih-Lu Hsu、Chun-Hui Yang、Chun-Yen Chang

  DOI：10.1149/1.2203097

  日期：——

  investigated the impact that postdeposition annealing PDA has on the physical and electrical properties of HfOxNy thin films sputtered on Ge and Si substrates. These two substrates display contrasting metal-oxide-semiconductor characteristics that we attribute to the different compositions of their interface layers ILs. We observed an increased GeO2 incorporation into the HfOxNy dielectric and severe volatilization

  b国家纳米器件实验室，新竹，台湾 300，中国我们系统地研究了沉积后退火 PDA 对溅射在 Ge 和 Si 衬底上的 HfOxNy 薄膜的物理和电学性能的影响。这两种基板显示出对比鲜明的金属氧化物半导体特性，我们将其归因于它们的界面层 IL 的不同组成。我们观察到，在更高的 PDA 处理后，GeO2 掺入 HfOxNy 电介质中增加，并且 Ge 上的 IL 严重挥发。HfOxNy/Ge 栅叠层中的这些不良现象可能是导致它们与 HfOxNy/Si 栅叠层不同的电特性的原因，即电容等效厚度的进一步缩放、固定正电荷的显着存在和电子捕获位点，以及介电可靠性的下降。此外，从理论计算中预测了 Ge 电容器在反转中的高频电容-电压曲线的异常低频行为。