titanium(IV) sulfide

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 过渡金属有机体
• 英文名称: titanium(IV) sulfide
• 英文别名: titanium disulfide；Sulfane;titanium；sulfane;titanium
• 化学式: S₂Ti
• 分子量: 112.012
• InChiKey: BGGCQENDHGGWNW-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.22
• 重原子数：
  3
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  2
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  titanium(IV) sulfide 在 氯 作用下， 生成 二氯化硫
  参考文献：
  名称：

  Rose, H., Annales de Chimie et de Physique, 1839, vol. 70, p. 289

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  四氟化钛 在 硫化氢 作用下， 生成 titanium(IV) sulfide
  参考文献：
  名称：

  Ruff, O.; Ipsen, R., Chemische Berichte, 1903, vol. 36, p. 1777 - 1783

  摘要：

  DOI：
• 作为试剂：
  描述：

  二硫化碳 、 二氧化硫 在 titanium(IV) sulfide 作用下， 以 neat (no solvent) 为溶剂， 以>99的产率得到硫二聚体
  参考文献：
  名称：

  The interaction of carbon disulphide and sulphur dioxide

  摘要：

  DOI：

  10.1039/tf9363201623

文献信息

• Synthesis and Crystal Structures of Axially Substituted Titaniumphthalocyanines and Preparation of PcTi@SBA-15 and PcTi&TiO_x@SBA-15 Materials
  作者：Wael Darwish、Sabine Schlecht、Andreas Schaper、Michael Fröba、Klaus Harms、Werner Massa、Jörg Sundermeyer

  DOI：10.1002/zaac.200801289

  日期：2009.7

  Four axially substituted titanium(IV)phthalocyanines of formula trans-[PcTi(OSiPh3)2], [PcTi(NH)2C6H4}], [PcTi(η2-S2)], and [PcTi=S] were prepared starting from the reactive species N,N′-di-4-tolylureato(phthalocyaninato)titanium(IV). The prepared compounds were characterized by using UV/Vis-spectroscopy, FT-IR and raman spectroscopy, TGA, elementalanalysis and MALDI-TOF measurements. The compound

  四种轴向取代的钛（IV）酞菁分子式为反式-[PcTi(OSiPh3)2]、[PcTi(NH)2C6H4}]、[PcTi(η2-S2)]和[PcTi=S]活性物质 N,N'-di-4-tolylureato(phthalocyaninato)titanium (IV)。通过使用紫外/可见光谱、FT-IR 和拉曼光谱、TGA、元素分析和 MALDI-TOF 测量对制备的化合物进行表征。化合物反式-[PcTi(OSiPh3)2] 在三斜空间群 P 中从氯苯结晶，a = 10.4160(8) A, b = 11.2160(8) A, c = 13.1495(9) A, α = 114.124(5) )°, β = 99.452(6)°, γ = 96.174(6)°, and Z = 1. [PcTiS2] 从氯苯中结晶出单斜空间群 P21/n，a = 13.114(3) A, b = 9.752
• Novel low temperature synthesis of titanium sulfide
  作者：A. Bensalem、D.M. Schleich

  DOI：10.1016/0025-5408(88)90080-3

  日期：1988.6

  Abstract Amorphous titanium sulfides were synthesized by the direct reaction between dry organic sulfurizing agents and TiCl 4 . A detailed discussion is given about the reactivity of TiCl 4 with each sulfurizing agent. All of the usual crystalline titanium sulfides phases (Ti 3 S 4 , TiS 2 , TiS 3 ) were also synthesized by simply heating the obtained amorphous powder or by heating this powder in

  摘要 通过干燥有机硫化剂与TiCl 4 直接反应合成了无定形硫化钛。详细讨论了 TiCl 4 与每种硫化剂的反应性。所有常见的结晶钛硫化物相（Ti 3 S 4 、TiS 2 、TiS 3 ）也通过简单地加热获得的无定形粉末或通过在硫存在下加热该粉末来合成。这些反应发生得非常迅速，并允许所有晶相的简单合成。
• TiS2 and TiS3 thin films prepared by MOCVD
  作者：H.S.W. Chang、D.M. Schleich

  DOI：10.1016/0022-4596(92)90156-p

  日期：1992.9

  Thin films of TiS2 and TiS3 have been prepared by thermal chemical vapor deposition by reacting TiCl4 and a series of sulfur sources [hexamethyldisilthiane ((CH3)3SiSSi(CH3)3), t-butyl sulfide ((CH3)3CSC(CH3)3), and t-butyl disulfide ((CH3)3CSSC(CH3)3)]. Thin films of TiS3 were prepared by reacting TiCl4 and TBDS at a deposition temperature less than 260°C. As the deposition temperature was

  的TiS的薄膜2和TIS 3已准备通过热化学气相沉积通过使的TiCl 4和一系列硫源[hexamethyldisilthiane（（CH 3）3 SiSSi（CH 3）3），吨丁基硫醚（（CH 3）3 CSC（CH 3）3），和吨丁基二硫化物（（CH 3）3 CSSC（CH 3）3）]。的TiS的薄膜3是由反应的TiCl制备4和在沉积温度下小于260℃TBDS。随着沉积温度的增加，的TiS 2沉积膜中在温度大于400也形成，直到℃下只的TiS 2被形成了。使用的另一硫化源导致的唯一的TiS沉积2在整个研究的温度范围（200-550℃）。在TIS的形态2膜与沉积温度显着变化。在低温下的膜是非常致密的和X射线衍射表明，该薄膜进行结晶“优先沉积Ç垂直于基材的轴。当温度高于300℃增加，多孔蜂窝结构体沉积“结晶Ç ”轴平行于衬底。
• Modifying the electronic structure of TiS₂by alkali metal intercalation
  作者：H E Brauer、H I Starnberg、L J Holleboom、H P Hughes、V N Strocov

  DOI：10.1088/0953-8984/11/45/318

  日期：1999.11.15

  the intercalation compounds, although significantly reduced. No significant perpendicular dispersion was seen in normal-emission spectra, which might be an effect of intercalation-induced stacking disorder. Charge transfer to the TiS2 host layers was evident from the much increased conduction band emission, and from the asymmetric S 2p core-level lineshape after intercalation. The intercalation produced

  角分辨光电子能谱已用于研究层状化合物 TiS2 与 Na 和 Cs 的原位嵌入。通过核心级光谱验证了嵌入。对纯 TiS2 和嵌入化合物 NaxTiS2 和 CsxTiS2 的价带进行表征，并与自洽 LAPW 带结构计算进行比较。对于沿层的色散，发现实验带和计算带之间的显着一致性。计算也预测了嵌入化合物的垂直色散，尽管显着减少。在正常发射光谱中没有看到显着的垂直色散，这可能是插层诱导的堆积无序的影响。从显着增加的导带发射可以明显看出电荷转移到 TiS2 主体层，并且来自嵌入后的不对称 S 2p 核心级线形。插层产生的电子结构变化不能用刚带模型很好地描述，但由于这些变化发生在早期，该模型仍然可以使用修改后的带来描述持续插层。
• Photoemission studies of the conduction band filling in and Cs-intercalated and
  作者：H I Starnberg、H E Brauer、H P Hughes

  DOI：10.1088/0953-8984/8/9/013

  日期：1996.2.26

  to study the filling of conduction band states of the layered semiconductors and as they are intercalated by Cs. Comparison is also made with `self-intercalated' . Even in the pure samples, occupied conduction band states due to excess Ti/Zr are found, but this occupancy is greatly increased by Cs intercalation. The stoichiometries are estimated from the extent in k-space of the occupied bands. A weak

  我们已经使用光电子能谱来研究层状半导体的导带状态的填充以及它们被 Cs 插入。还与 `self-intercalated' 进行了比较。即使在纯样品中，也发现了由于过量的 Ti/Zr 导致的占据导带态，但这种占据率因 Cs 嵌入而大大增加。化学计量是根据占用带的 k 空间范围估计的。刚好低于导带最小值的弱结构暂时归因于局部缺陷状态。