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镍化钛 | 12035-60-8

中文名称
镍化钛
中文别名
——
英文名称
titanium nitride
英文别名
Azane;titanium
镍化钛化学式
CAS
12035-60-8
化学式
NTi
mdl
——
分子量
61.8867
InChiKey
UIMGJWSPQNXYNK-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 密度:
    6.5 g/cm3(Temp: 25 °C)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    0.16
  • 重原子数:
    2
  • 可旋转键数:
    0
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    1
  • 氢给体数:
    1
  • 氢受体数:
    1

SDS

SDS:3c71464a10abe1cd9a62ae2c2ee159f1
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反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    镍化钛 以 neat (no solvent) 为溶剂, 生成 四氢化物钛
    参考文献:
    名称:
    Huppertz, W., Metallurgie (Halle), 1904, vol. 1, p. 409 - 409
    摘要:
    DOI:
  • 作为产物:
    描述:
    四氯化钛氮气氢气 作用下, 以 gas 为溶剂, 生成 镍化钛
    参考文献:
    名称:
    来自 TiCl[sub 4]∕N[sub 2]∕H[sub 2] 气体混合物的 TiN 的等离子体增强化学气相沉积
    摘要:
    已使用等离子体增强化学气相沉积在热生长上沉积薄膜。这些薄膜是从总压力为 1.1 托、输入功率密度为 5W/cm2、频率为 13.56MHz 的气体混合物中获得的。使用俄歇光谱、X 射线衍射和电阻率测量来表征薄膜与基板温度和气体流速的函数关系。已经发现,虽然发生沉积需要氢气,但过多的氢气会增加膜的氯含量和电阻率。另一方面,增加氮气流量会降低膜的氯含量和电阻率,最终结果是可以在 500°C 的基板温度下沉积低电阻率的高取向多晶膜。
    DOI:
    10.1149/1.2096602
  • 作为试剂:
    描述:
    alkaline earth salt of/the/ methylsulfuric acid 、 alkaline earth salt of/the/ methylsulfuric acid 在 镍化钛 作用下, 生成 氢氰酸
    参考文献:
    名称:
    Braeuer-D'Ans, 3, 672
    摘要:
    DOI:
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文献信息

  • Chemical methods of dispergation of metallic phases
    作者:B. P. Tarasov、E. E. Fokina、V. N. Fokin
    DOI:10.1007/s11172-011-0193-9
    日期:2011.7
    The results of a cycle of works on the chemical dispergation of intermetallic compounds and alloys were summarized and analyzed. The chemical dispergation occurs in a hydrogen or ammonia atmosphere in the temperature range from 20 to 500 °C and a pressure of 0.5–2.0 MPa. The phase transformations were studied. The conditions suitable for the production of polymetallic phase powders of various degrees of dispersity were determined.
    对一系列关于金属间化合物和合金化学分散处理的研究结果进行了总结和分析。化学分散过程在20至500摄氏度、0.5至2.0兆帕的压力下,在氢气或氨气氛围中进行。研究了相变过程,并确定了适合制备各种分散度多金属相粉末的条件。
  • Electrochemically Prepared Precursors for the Formation of Non‐Oxides
    作者:Christian Rüssel、Ralph Zahneisen
    DOI:10.1149/1.2221243
    日期:1992.9.1
    Various metals, such as Ca, Mg, Al, Ti, Cr, Y, Zr, and Ta were anodically dissolved in an organic electrolyte composed of propylamine, acetonitrile, and tetrabutylammonium bromide. The electrode reactions were completely irreversible. At the cathode, the organic amine was reduced to the corresponding anion and gaseous hydrogen, at the anode the metals were oxidized and metal-amino compounds were formed
    各种金属,如 Ca、Mg、Al、Ti、Cr、Y、Zr 和 Ta 阳极溶解在由丙胺、乙腈和四丁基溴化铵组成的有机电解质中。电极反应是完全不可逆的。在阴极,有机胺被还原成相应的阴离子和气态氢,在阳极,金属被氧化并形成金属-氨基化合物
  • Sodium azide as a reagent for solid state metathesis preparations of refractory metal nitrides
    作者:Andrew L. Hector、Ivan P. Parkin
    DOI:10.1016/0277-5387(94)00314-5
    日期:1995.4
    Abstract Thermal initiation (∼ 300°C) of a reaction between sodium azide and anhydrous metal chlorides (LaCl3, SmCl3, TiCl3, ZrCl4, HfCl4, VCl3, TaCl5, CrCl2, WCl6 and MnCl2) in sealed evacuated ampoules rapidly produces binary metal nitrides, dinitrogen and sodium chloride. The metal nitrides were purified by trituration with methanol and characterized by powder X-ray diffraction, scanning electron
    摘要在密封的抽空安瓿中,叠氮化钠与无水金属氯化物(LaCl3,SmCl3,TiCl3,ZrCl4,HfCl4,VCl3,TaCl5,CrCl2,WCl6和MnCl2)之间的反应热引发(约300°C),迅速生成二元金属氮化物,氮气和氯化钠。通过用甲醇研磨纯化金属氮化物,并通过粉末X射线衍射,扫描电子显微镜,能量色散X射线分析和FT-IR进行表征。
  • Lithium Imide Synergy with 3d Transition-Metal Nitrides Leading to Unprecedented Catalytic Activities for Ammonia Decomposition
    作者:Jianping Guo、Peikun Wang、Guotao Wu、Anan Wu、Daqiang Hu、Zhitao Xiong、Junhu Wang、Pei Yu、Fei Chang、Zheng Chen、Ping Chen
    DOI:10.1002/anie.201410773
    日期:2015.3.2
    promoters; however, the promoting mechanism remains essentially unclear. Li, when in the imide form, is shown to synergize with 3d transition metals or their nitrides TM(N) spreading from Ti to Cu, leading to universal and unprecedentedly high catalytic activities in NH3 decomposition, among which Li2NHMnN has an activity superior to that of the highly active Ru/carbon nanotube catalyst. The catalysis is
    碱金属已被广泛用作催化剂促进剂。但是,促进机制在本质上仍不清楚。李,当在酰亚胺形式,被示出为与3d过渡金属或它们的氮化物TM(N)扩展从T 1到铜,导致普遍和空前高催化活性在NH增效3分解,其中李2 NH  MNN具有其活性优于高活性Ru /碳纳米管催化剂。催化过程通过两步循环完成:1)Li 2 NH与3d TM(N)反应形成LiTMN和H 2的三元氮化物,以及2)LiTMN氨化为Li 2 NH,TM( N)和N 2导致2 NH整齐反应3 ⇌N 2 + 3H 2。李2 NH,作为NH 3发射剂,有利于形成较高的N-含量中间体(LiTMN),其中,Li执行感应效应来稳定TM  N键并且因此改变了反应热力学。
  • Characteristics of ALD Tungsten Nitride Using B2H6, WF6, and NH3 and Application to Contact Barrier Layer for DRAM
    作者:Soo-Hyun Kim、Jun-Ki Kim、Ju Hee Lee、Nohjung Kwak、Jinwoong Kim、Sung-Hoon Jung、Mi-Ran Hong、Sang Hyeob Lee、Josh Collins、Hyunchul Sohn
    DOI:10.1149/1.2742913
    日期:——
    Tungsten nitride (WN x ) thin films were grown by atomic layer deposition (ALD) within the temperature range of 200-350°C from diborane (B 2 H 6 ), tungsten hexafluoride (WF 6 ), and ammonia (NH 3 ) for application to a contact barrier layer in dynamic random access memory (DRAM). Herein, B 2 H 6 was used as an additional reducing agent to produce a low-resistivity ALD-WN x film, and its resistivity
    氮化钨 (WN x ) 薄膜通过原子层沉积 (ALD) 在 200-350°C 的温度范围内从乙硼烷 (B 2 H 6 )、六氟化钨 (WF 6 ) 和氨 (NH 3 ) 中生长,用于应用于动态随机存取存储器 (DRAM) 中的接触势垒层。在本文中,B 2 H 6 用作附加还原剂以制备低电阻率 ALD-WN x 薄膜,其电阻率在 300-410 μΩ cm 范围内,取决于约 10 nm 厚的沉积条件电影。随着沉积温度的升高,观察到生长速率增加,但在 275 至 300°C 的温度范围内获得了几乎恒定的约 0.28 nm/循环的生长速率。沉积膜的特性,包括电阻率、W/N 比、密度、B 和 F 杂质含量以及相,受沉积温度和 B 2 H 6 流速的影响。随着沉积温度和B 2 H 6 流量的增加,W/N比和薄膜密度增加,杂质含量减少,导致薄膜电阻率降低。发现增加的 W/N 比有利于形成面心立方 β-W
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