为了研究离子纳米粒子网络(INN)的原始和有前途的发光特性,研究了各种材料成分。在这项工作中,用于使
二氧化硅纳米颗粒形成网络的连接基发生了变化。提出了许多取代或未取代的
咪唑,
吡唑和
吡啶鎓连接基。在INN杂化材料上进行的光致发光实验表明,在光谱的可见光区域内,很宽的范围内都具有很强的发射带。由于π-π堆积相互作用,使
咪唑单元之间的芳族连接基发生变化,导致最大发射峰出现明显的位移,直至100 nm。在芳族单元上引入的取代基的立体位阻和诱导效应,通过修饰
咪唑环之间的π-π堆积,也强烈影响了材料的发光性能。小和广角X射线散射(
SAXS,WAXS)实验揭示了所获得的结构参数(短程有序参数和杂化材料中芳族单元的距离)与INN材料的发光量子产率之间存在明显的趋势。