vanadium diselenide

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: vanadium diselenide
• 化学式: Se₂V
• 分子量: 208.861
• InChiKey: WMETUBFODSEBKH-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.83
• 重原子数：
  3.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  vanadium diselenide 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 生成 vanadium diselenide
  参考文献：
  名称：

  二硒化钒超薄纳米片：具有铁磁电荷密度波行为的金属二维材料

  摘要：

  一种具有高电导率（1×10 3  S m -1）的新型金属2D材料由具有4-8个Se-V-Se原子层的VSe 2超薄纳米片组成。这是第一个具有固有室温铁磁性的二维过渡金属二硫化氢。纳米片通过尺寸减小将电荷密度波跃迁温度提高到135K。

  DOI：

  10.1002/anie.201304337
• 作为产物：
  描述：

  以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 vanadium diselenide
  参考文献：
  名称：

  Vanadium selenoether and selenolate complexes, potential single-source precursors for CVD of VSe₂thin films

  摘要：

  VCl4与1摩尔当量的L–L（L–L = MeSe(CH2)2SeMe, MeSe(CH2)3SeMe, nBuSe(CH2)2SenBu）在无水CH2Cl2溶液中于室温反应，生成非常潮湿敏感的深紫色固体[VCl4(L–L)]。使用VCl4和过量的硒醚在温和回流的CH2Cl2中反应，会还原为[VCl3(L–L)]（L–L如上所述及o-C6H4(CH2SeMe)2），而VCl4与过量的SeMe2在室温下反应则生成[VCl3(SeMe2)2]。所有新合成的配合物都通过微量分析、红外光谱、紫外/可见光谱和磁性测量进行了表征。[(Cp)2VCl2]与两摩尔当量的LiSetBu在无水THF中反应，生成非常潮湿敏感的棕色固体VIV硒醇复合物[(Cp)2V(SetBu)2]。新配合物被研究作为沉积硒化钒的可能试剂。虽然低压化学气相沉积（LPCVD）实验表明，二硒醚复合物的挥发性不足以用于VSe2的沉积，但[VCl3(SeMe2)2]能够生成非常薄的VSe2沉积。在600 °C下对[(Cp)2V(SetBu)2]的LPCVD研究产生了较厚的黑色VSe2薄膜。在所有情况下，EDX测量显示这些薄膜缺硒。

  DOI：

  10.1039/b817903d
• 作为试剂：
  描述：

  水 在 vanadium diselenide 、 硫酸 作用下， 以 异丙醇 为溶剂， 生成 氢气
  参考文献：
  名称：

  Agent-assisted VSSe ternary alloy single crystals as an efficient stable electrocatalyst for the hydrogen evolution reaction

  摘要：

  新的三元VSSe合金单晶被合成并用作优秀的HER电催化剂，因为其具有纯导电相和丰富的活性位点。

  DOI：

  10.1039/c9ta04287c

文献信息

• Growth of Transition-Metal Dichalcogenides by Solvent Evaporation Technique
  作者：Dmitriy A. Chareev、Polina Evstigneeva、Dibya Phuyal、Gabriel J. Man、Håkan Rensmo、Alexander N. Vasiliev、Mahmoud Abdel-Hafiez

  DOI：10.1021/acs.cgd.0c00980

  日期：2020.10.7

  Due to their physical properties and potential applications in energy conversion and storage, transition-metal dichalcogenides (TMDs) have garnered substantial interest in recent years. Among this class of materials, TMDs based on molybdenum, tungsten, sulfur, and selenium are particularly attractive due to their semiconducting properties and the availability of bottom-up synthesis techniques. Here we report a method which yields high-quality crystals of transition-metal diselenide and ditelluride compounds (PtTe2, PdTe2, NiTe2, TaTe2, TiTe2, RuTe2, PtSe2, PdSe2, NbSe2, TiSe2, VSe2, ReSe2) from their solid solutions, via vapor deposition from a metal-saturated chalcogen melt. Additionally, we show the synthesis of rare-earth-metal polychalcogenides and NbS2 crystals using the aforementioned process. Most of the crystals obtained have a layered CdI2 structure. We have investigated the physical properties of selected crystals and compared them to state of the art findings reported in the literature. Remarkably, the charge density wave transition in 1T-TiSe2 and 2H-NbSe2 crystals is well-defined at TCDW ≈ 200 and 33 K, respectively. Angle-resolved photoelectron spectroscopy and electron diffraction are used to directly access the electronic and crystal structures of PtTe2 single crystals and yield state of the art measurements.

  由于其物理特性和在能量转换与储存方面的潜在应用，过渡金属二硫属化物（TMDs）近年来引起了广泛关注。在这一类材料中，基于钼、钨、硫和硒的TMDs因其半导体特性和自下而上合成技术的可获得性而特别具有吸引力。本文报告了一种方法，通过从金属饱和硫属熔体中蒸发沉积，从其固溶体中得到高质量的过渡金属二硒化物和二碲化物（PtTe2、PdTe2、NiTe2、TaTe2、TiTe2、RuTe2、PtSe2、PdSe2、NbSe2、TiSe2、VSe2、ReSe2）晶体。此外，我们还展示了利用上述工艺合成稀土金属多硫属化物和NbS2晶体的方法。所获得的大多数晶体具有层状CdI2结构。我们研究了选定晶体的物理性质，并与文献中报道的最先进研究成果进行了比较。值得注意的是，在1T-TiSe2和2H- 晶体中，电荷密度波转变在TCDW分别约为200K和33K时很好地定义。角分辨光电子能谱和电子衍射被用于直接获取PtTe2单晶的电子和晶体结构，并提供了最先进的测量结果。
• Layered VSe₂: a promising host for fast zinc storage and its working mechanism
  作者：Lili Wang、Zhixian Wu、Mingjuehui Jiang、Junyi Lu、Qinghong Huang、Yi Zhang、Lijun Fu、Meng Wu、Yuping Wu

  DOI：10.1039/d0ta01297a

  日期：——

  VSe₂ is demonstrated as an appealing candidate for Zn storage, which exhibits excellent electrochemical performance, in particular, rate performance.

  VSe₂被证明是一种具有出色电化学性能的锌储存候选材料，特别是在速率性能方面表现出色。
• 3D cuboidal vanadium diselenide embedded reduced graphene oxide hybrid structures with enhanced supercapacitor properties
  作者：Subba R. Marri、Satyajit Ratha、Chandra Sekhar Rout、J. N. Behera

  DOI：10.1039/c6cc08035a

  日期：——

  Hydrothermal synthesis of VSe₂/reduced graphene oxide (RGO) has been reported and its supercapacitor performance was evaluated in a typical CR2032 coin cell setup. A specific capacitance of 680 F g⁻¹and an ultra-high energy density of 212 W h kg⁻¹were achieved.

  VSe₂/还原石墨烯氧化物（RGO）的水热合成已经报道，并在典型的CR2032纽扣电池装置中评估了它的超级电容器性能。实现了680 F g⁻¹的特定电容和212 W h kg^{−1>的超高能量密度。}
• 一种5-氟-2-甲基-1-(4-甲硫苯亚甲基)-3-茚 乙腈和舒林酸的制备方法
  申请人：杭州师范大学

  公开号：CN111253294B

  公开（公告）日：2021-10-29

  本发明提供一种5‑氟‑2‑甲基‑1‑(4‑甲硫苯亚甲基)‑3‑茚乙腈和舒林酸的制备方法，涉及医药技术领域。本发明提供的制备方法，包括以下步骤：将6‑氟‑2‑甲基‑1‑茚酮、氰基乙酸、第一有机溶剂和乙酸根催化剂混合进行第一缩合反应，得到第一缩合反应液，所述第一缩合反应液中包括5‑氟‑2‑甲基‑3‑茚乙腈；将所述第一缩合反应液直接与碱、第二有机溶剂和对甲硫基苯甲醛混合进行第二缩合反应，得到5‑氟‑2‑甲基‑1‑(4‑甲硫苯亚甲基)‑3‑茚乙腈。本发明采用“一锅法”缩短合成路线，无需将5‑氟‑2‑甲基‑3‑茚乙腈与溶剂分离，简化工艺，提高5‑氟‑2‑甲基‑1‑(4‑甲硫苯亚甲基)‑3‑茚乙腈收率。
• Phase equilibria and new misfit layer compound in the ternary system of Pb–Se–V
  作者：Gabriel R. Reisinger、Klaus W. Richter

  DOI：10.1016/j.jallcom.2020.154730

  日期：2020.8

  Abstract The ternary system Pb–Se–V was investigated by means of powder X-ray diffraction (PXRD), scanning electron microscopy (SEM) in combination with electron probe microanalysis (EPMA), and differential thermal analysis (DTA). The results of the evaluations in the ternary system are presented by five full isothermal sections at 550 °C, 700 °C, 800 °C, 1000 °C, and 1100 °C and one partial isothermal

  摘要 通过粉末 X 射线衍射 (PXRD)、扫描电子显微镜 (SEM) 结合电子探针微量分析 (EPMA) 和差热分析 (DTA) 对三元体系 Pb-SE-V 进行了研究。三元体系的评估结果由 550°C、700°C、800°C、1000°C 和 1100°C 的五个完整等温段和 375°C 的一个部分等温段呈现。特别关注在该系统中寻找失配层化合物 (MLC)。对于 (PbSE)1+δ(VSE2) 相，可以报告一个 MLC。