| 1147467-77-3

• CAS: 1147467-77-3
• 化学式: C₁₈H₂₈Se₂V
• 分子量: 453.282
• InChiKey: JLPSKRCUUFIXKB-UHFFFAOYSA-L

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  None
• 重原子数：
  None
• 可旋转键数：
  None
• 环数：
  None
• sp3杂化的碳原子比例：
  None
• 拓扑面积：
  None
• 氢给体数：
  None
• 氢受体数：
  None

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 vanadium diselenide
  参考文献：
  名称：

  Vanadium selenoether and selenolate complexes, potential single-source precursors for CVD of VSe₂thin films

  摘要：

  VCl4与1摩尔当量的L–L（L–L = MeSe(CH2)2SeMe, MeSe(CH2)3SeMe, nBuSe(CH2)2SenBu）在无水CH2Cl2溶液中于室温反应，生成非常潮湿敏感的深紫色固体[VCl4(L–L)]。使用VCl4和过量的硒醚在温和回流的CH2Cl2中反应，会还原为[VCl3(L–L)]（L–L如上所述及o-C6H4(CH2SeMe)2），而VCl4与过量的SeMe2在室温下反应则生成[VCl3(SeMe2)2]。所有新合成的配合物都通过微量分析、红外光谱、紫外/可见光谱和磁性测量进行了表征。[(Cp)2VCl2]与两摩尔当量的LiSetBu在无水THF中反应，生成非常潮湿敏感的棕色固体VIV硒醇复合物[(Cp)2V(SetBu)2]。新配合物被研究作为沉积硒化钒的可能试剂。虽然低压化学气相沉积（LPCVD）实验表明，二硒醚复合物的挥发性不足以用于VSe2的沉积，但[VCl3(SeMe2)2]能够生成非常薄的VSe2沉积。在600 °C下对[(Cp)2V(SetBu)2]的LPCVD研究产生了较厚的黑色VSe2薄膜。在所有情况下，EDX测量显示这些薄膜缺硒。

  DOI：

  10.1039/b817903d
• 作为产物：
  描述：

  selenium 、 二氯化二茂钒 、 叔丁基锂 以 四氢呋喃 、 正戊烷 为溶剂， 以25%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  Vanadium selenoether and selenolate complexes, potential single-source precursors for CVD of VSe₂thin films

  摘要：

  VCl4与1摩尔当量的L–L（L–L = MeSe(CH2)2SeMe, MeSe(CH2)3SeMe, nBuSe(CH2)2SenBu）在无水CH2Cl2溶液中于室温反应，生成非常潮湿敏感的深紫色固体[VCl4(L–L)]。使用VCl4和过量的硒醚在温和回流的CH2Cl2中反应，会还原为[VCl3(L–L)]（L–L如上所述及o-C6H4(CH2SeMe)2），而VCl4与过量的SeMe2在室温下反应则生成[VCl3(SeMe2)2]。所有新合成的配合物都通过微量分析、红外光谱、紫外/可见光谱和磁性测量进行了表征。[(Cp)2VCl2]与两摩尔当量的LiSetBu在无水THF中反应，生成非常潮湿敏感的棕色固体VIV硒醇复合物[(Cp)2V(SetBu)2]。新配合物被研究作为沉积硒化钒的可能试剂。虽然低压化学气相沉积（LPCVD）实验表明，二硒醚复合物的挥发性不足以用于VSe2的沉积，但[VCl3(SeMe2)2]能够生成非常薄的VSe2沉积。在600 °C下对[(Cp)2V(SetBu)2]的LPCVD研究产生了较厚的黑色VSe2薄膜。在所有情况下，EDX测量显示这些薄膜缺硒。

  DOI：

  10.1039/b817903d