乙硅烷 | 1590-87-0

• 物质功能分类: 化学试剂 - 硅烷试剂
• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 中文名称: 乙硅烷
• 中文别名: 电子级乙硅烷；二硅烷
• 英文名称: disilane
• 英文别名: Silylsilane
• CAS: 1590-87-0
• 化学式: H₆Si₂
• 分子量: 62.2186
• InChiKey: PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  -132°C
• 沸点：
  -14,5°C
• 密度：
  0,686 g/cm3
• 闪点：
  <10°C
• 溶解度：
  与H2O、ctc、氯仿反应；溶于乙醇、苯
• 稳定性/保质期：
  在常温常压下，它是一种无色透明的气体，并具有刺激性气味。其分子量为250.686，熔点为－132.5℃，沸点为－14.5℃。乙硅烷与硅烷有相似的化学性质，但比硅烷更不稳定且反应性更强，在光照或室温下会缓慢分解成硅烷和氢。在光照条件下，它也会分解。此外，乙硅烷易自燃，在空气中浓度超过0.2％时会发生燃烧并发出火焰；当浓度低于0.2％时，则会发生氧化反应生成白色二氧化硅。 与卤素气体接触会产生爆炸性反应，但在低温下则会适度地进行卤化。与六氟化硫接触会引发爆炸，并且与四氯化碳和氯仿剧烈反应。由于乙硅烷比硅烷更不稳定，使用时需格外小心。

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -2.37
• 重原子数：
  2
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

安全信息

• TSCA：
  No
• 危险等级：
  2.1
• 危险品标志：
  Xn,F
• 安全说明：
  S16,S24,S26,S36,S37,S39
• 危险类别码：
  R17
• WGK Germany：
  3
• 危险品运输编号：
  UN 2203
• 危险类别：
  2.1
• 危险标志：
  GHS02,GHS04,GHS07,GHS08
• 危险性描述：
  H220,H280,H312,H315,H319,H332,H334,H335
• 危险性防范说明：
  P210,P261,P280,P305 + P351 + P338,P342 + P311,P410 + P403
• 储存条件：
  参照140206电子级硅烷。

SDS

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模块 1. 化学品
1.1 产品标识符
: 乙硅烷
产品名称
1.2 鉴别的其他方法
无数据资料
1.3 有关的确定了的物质或混合物的用途和建议不适合的用途
仅用于研发。不作为药品、家庭或其它用途。

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模块 2. 危险性概述
2.1 GHS-分类
易燃气体 (类别 1)
压力下气体 (液化气体)
急性毒性, 吸入 (类别 4)
急性毒性, 经皮 (类别 4)
皮肤刺激 (类别 2)
眼睛刺激 (类别 2A)
呼吸过敏 (类别 1)
特异性靶器官系统毒性（一次接触） (类别 3)
2.2 GHS 标记要素，包括预防性的陈述
象形图
警示词 危险
危险申明
H220 极易燃气体
H280 内装压缩气体；遇热可能爆炸。
H312 皮肤接触有害。
H315 造成皮肤刺激。
H319 造成严重眼刺激。
H332 吸入有害。
H334 吸入可能导致过敏或哮喘病症状或呼吸困难。
H335 可能引起呼吸道刺激。
警告申明
预防
P210 远离热源、火花、明火和热表面。- 禁止吸烟。
P261 避免吸入粉尘/烟/气体/烟雾/蒸气/喷雾.
P264 操作后彻底清洁皮肤。
P271 只能在室外或通风良好之处使用。
P280 穿戴防护手套/ 眼保护罩/ 面部保护罩。
P285 如通风不足，须戴呼吸防护面罩。
响应
P302 + P352 如皮肤接触：用大量肥皂和水清洗。
P304 + P340 如吸入: 将患者移到新鲜空气处休息，并保持呼吸舒畅的姿势。
P305 + P351 + P338 如与眼睛接触，用水缓慢温和地冲洗几分钟。如戴隐形眼镜并可方便地取
出，取出隐形眼镜，然后继续冲洗.
P322 具体措施(见本标签上提供的急救指导)。
P332 + P313 如发生皮肤刺激：求医/ 就诊。
P337 + P313 如仍觉眼睛刺激：求医/就诊。
P342 + P311 如有呼吸系统病症：呼叫解毒中心或医生。
P362 脱掉沾染的衣服，清洗后方可重新使用。
P377 漏气着火：切勿灭火，除非漏气能够安全地制止。
P381 除去一切点火源，如果这么做没有危险。
储存
P403 + P233 存放于通风良的地方。 保持容器密闭。
P405 存放处须加锁。
P410 + P403 防日晒。 存放于通风良好处。
处置
P501 将内容物/ 容器处理到得到批准的废物处理厂。
2.3 其它危害物
恶臭

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模块 3. 成分/组成信息
3.1 物 质
: H6Si2
分子式
: 62.22 g/mol
分子量
组分 浓度或浓度范围
Disilane
-
化学文摘登记号(CAS 1590-87-0
No.) 216-466-5

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模块 4. 急救措施
4.1 必要的急救措施描述
一般的建议
请教医生。 向到现场的医生出示此安全技术说明书。
吸入
如果吸入,请将患者移到新鲜空气处。 如呼吸停止,进行人工呼吸。 请教医生。
皮肤接触
用肥皂和大量的水冲洗。 请教医生。
眼睛接触
用大量水彻底冲洗至少15分钟并请教医生。
食入
切勿给失去知觉者通过口喂任何东西。 用水漱口。 请教医生。
4.2 主要症状和影响，急性和迟发效应
恶心, 头晕, 头痛, 咳嗽, 胸痛, 呼吸困难
4.3 及时的医疗处理和所需的特殊处理的说明和指示
无数据资料

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模块 5. 消防措施
5.1 灭火介质
灭火方法及灭火剂
用水雾,抗乙醇泡沫,干粉或二氧化碳灭火。
5.2 源于此物质或混合物的特别的危害
二氧化硅
5.3 给消防员的建议
如必要的话,戴自给式呼吸器去救火。
5.4 进一步信息
无数据资料

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模块 6. 泄露应急处理
6.1 作业人员防护措施、防护装备和应急处置程序
使用个人防护用品。 避免吸入蒸气、烟雾或气体。 保证充分的通风。 人员疏散到安全区域。
6.2 环境保护措施
不要让产品进入下水道。
6.3 泄漏化学品的收容、清除方法及所使用的处置材料
迅速地扫干净或吸干净。
6.4 参考其他部分
丢弃处理请参阅第13节。

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模块 7. 操作处置与储存
7.1 安全操作的注意事项
避免接触皮肤和眼睛。 避免吸入蒸气和烟雾。
一般性的防火保护措施。
7.2 安全储存的条件,包括任何不兼容性
贮存在阴凉处。 使容器保持密闭，储存在干燥通风处。
内含物处于压力下。 对水和潮气敏感。
7.3 特定用途
无数据资料

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模块 8. 接触控制和个体防护
8.1 容许浓度
最高容许浓度
没有已知的国家规定的暴露极限。
8.2 暴露控制
适当的技术控制
根据良好的工业卫生和安全规范进行操作。 休息前和工作结束时洗手。
个体防护设备
眼/面保护
面罩與安全眼鏡请使用经官方标准如NIOSH (美国) 或 EN 166(欧盟) 检测与批准的设备防护眼部。
皮肤保护
戴手套取 手套在使用前必须受检查。
请使用合适的方法脱除手套(不要接触手套外部表面),避免任何皮肤部位接触此产品.
使用后请将被污染过的手套根据相关法律法规和有效的实验室规章程序谨慎处理. 请清洗并吹干双手
所选择的保护手套必须符合EU的89/686/EEC规定和从它衍生出来的EN 376标准。
身体保护
全套防化学试剂工作服, 防护设备的类型必须根据特定工作场所中的危险物的浓度和数量来选择。
呼吸系统防护
如危险性评测显示需要使用空气净化的防毒面具，请使用全面罩式多功能防毒面具（US）或AXBEK
型（EN
14387）防毒面具筒作为工程控制的候补。如果防毒面具是保护的唯一方式，则使用全面罩式送风防
毒面具。 呼吸器使用经过测试并通过政府标准如NIOSH（US）或CEN（EU）的呼吸器和零件。

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模块 9. 理化特性
9.1 基本的理化特性的信息
a) 外观与性状
形状: 气体
b) 气味
无数据资料
c) 气味阈值
无数据资料
d) pH值
无数据资料
e) 熔点/凝固点
熔点/凝固点: -132.6 °C - lit.
f) 沸点、初沸点和沸程
-14.5 °C - lit.
g) 闪点
无数据资料
h) 蒸发速率
无数据资料
i) 易燃性(固体,气体)
无数据资料
j) 高的/低的燃烧性或爆炸性限度 爆炸下限: < 10 %(V)
k) 蒸气压
无数据资料
l) 蒸汽密度
无数据资料
m) 密度/相对密度
无数据资料
n) 水溶性
无数据资料
o) n-辛醇/水分配系数
无数据资料
p) 自燃温度
无数据资料
q) 分解温度
无数据资料
r) 粘度
无数据资料

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模块 10. 稳定性和反应活性
10.1 反应性
无数据资料
10.2 稳定性
无数据资料
10.3 危险反应
无数据资料
10.4 应避免的条件
无数据资料
10.5 不相容的物质
强氧化剂氧, 氧化剂, 卤素, 碱
10.6 危险的分解产物
其它分解产物 - 无数据资料

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模块 11. 毒理学资料
11.1 毒理学影响的信息
急性毒性
无数据资料
吸入: 无数据资料
经皮: 无数据资料
皮肤刺激或腐蚀
无数据资料
眼睛刺激或腐蚀
无数据资料
呼吸道或皮肤过敏
可能引起呼吸道过敏反应。
生殖细胞突变性
无数据资料
致癌性
IARC:
此产品中没有大于或等于 0。1%含量的组分被 IARC鉴别为可能的或肯定的人类致癌物。
生殖毒性
无数据资料
特异性靶器官系统毒性（一次接触）
吸入 - 可能引起呼吸道刺激。
特异性靶器官系统毒性（反复接触）
无数据资料
吸入危险
无数据资料
潜在的健康影响
吸入 吸入有害。 引起呼吸道刺激。
摄入 如服入是有害的。
皮肤 通过皮肤吸收有害。 造成皮肤刺激。
眼睛 造成严重眼刺激。
接触后的征兆和症状
恶心, 头晕, 头痛, 咳嗽, 胸痛, 呼吸困难
附加说明
化学物质毒性作用登记: 无数据资料

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模块 12. 生态学资料
12.1 生态毒性
无数据资料
12.2 持久性和降解性
无数据资料
12.3 潜在的生物累积性
无数据资料
12.4 土壤中的迁移性
无数据资料
12.5 PBT 和 vPvB的结果评价
无数据资料
12.6 其它不良影响
无数据资料

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模块 13. 废弃处置
13.1 废物处理方法
产品
联系专业的拥有废弃物处理执照的机构来处理此物质。
受污染的容器和包装
按未用产品处置。

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模块 14. 运输信息
欧洲陆运危规: 3161 国际海运危规: 3161 国际空运危规: 3161
14.2 联合国运输名称
欧洲陆运危规: LIQUEFIED GAS, FLAMMABLE, N.O.S. (Disilane)
国际海运危规: LIQUEFIED GAS, FLAMMABLE, N.O.S. (Disilane)
国际空运危规: Liquefied gas, flammable, n.o.s. (Disilane)
客运飞机: 不允许运输
14.3 运输危险类别
欧洲陆运危规: 2.1 国际海运危规: 2.1 国际空运危规: 2.1
14.4 包裹组
欧洲陆运危规: - 国际海运危规: - 国际空运危规: -
14.5 环境危险
欧洲陆运危规: 否 国际海运危规 国际空运危规: 否
海洋污染物（是/否）: 否
14.6 对使用者的特别提醒
无数据资料

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模块 15 - 法规信息
N/A

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模块16 - 其他信息
N/A

制备方法与用途

化学性质

乙硅烷是一种有毒的化合物，在室温下为气态。它的性质与乙烷相似，都是无色易燃气体，但其硅-硅键比乙烷的碳-碳键弱，因此更不稳定。乙硅烷通常可以作为氢的良好来源，只需经过简单的化学反应即可得到氢。

用途

甲硅烷和乙硅烷在640°C下分解可沉积非晶硅，这一化学气相沉积过程与光伏器件制造相关。它们用于生产硅晶圆。此外，乙硅烷气体还可控制SiC热分解生长石墨烯过程中Si蒸汽的压力，而Si蒸汽压力对所产石墨烯的质量至关重要。

生产工艺 硅化镁法

[ \text{Mg}_2\text{Si} + \text{HCl} \rightarrow \text{Si}_2\text{H}_6 + \text{MgCl}_2 ]

反应产物包括单硅烷、乙硅烷、丙硅烷和丁硅烷的混合物，经精制分离后可获得纯乙硅烷。

还原法

使用氢化铝锂等还原剂还原六氯乙硅烷。通过低温精馏和吸附方法对乙硅烷进行提纯。

甲硅烷无声放电法

甲硅烷在辉光放电下聚合生成高级硅烷，随后用液氮冷却回收，采用低温精馏除去氢和甲硅烷即可获得高纯度的乙硅烷。

1. 使用硅烷原料气，经流量计进入放电管，在适当温度、频率和电压条件下，得到含乙硅烷、甲烷和氢的混合气体。通过不同的冷却条件进行吸收，去除杂质后可制得高纯乙硅烷。

2. 采用与上述类似的方法，进一步提纯乙硅烷以满足更高纯度要求。

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  乙硅烷 以 neat (no solvent, gas phase) 为溶剂， 生成 硅烷
  参考文献：
  名称：

  乙硅烷气源硅分子束外延的选择性生长条件

  摘要：

  研究了乙硅烷气源硅分子束外延中的选择性外延生长条件作为衬底温度和生长速率的函数。在较低的衬底温度或较低的硅生长速率下，可获得完美的选择性。选择性依赖于温度和生长速率表明控制乙硅烷分子在 SiO2 表面的离解对于选择性生长很重要。

  DOI：

  10.1063/1.99654
• 作为产物：
  描述：

  氢化硅 以 gas 为溶剂， 生成 乙硅烷
  参考文献：
  名称：

  Direct kinetic studies of SiH₃+SiH₃, H, CCl₄, SiD₄, Si₂H₆, and C₃H₆by tunable infrared diode laser spectroscopy

  摘要：

  Gas phase reactions of silyl radical, SiH3, are investigated at room temperature using tunable diode laser flash kinetic spectroscopy. Photolytic generation of silyl at 193 and 248 nm is demonstrated using several different precursor systems. The silyl recombination reaction, SiH3+SiH3→Si2H6, is studied by quantitative measurement of SiH3 and attendant product densities. Analysis yields a refinement of the rate constant, krc=(7.9±2.9)×10−11 cm3 molecule−1 s−1. By modeling silyl densities following photolysis of HCl in SiH4, bimolecular rate constants for H+SiH3 and H+SiH4 are determined to be (2±1)×10−11 and (2.5±0.5)×10−13 cm3 molecule−1 s−1, respectively. Reactions of SiH3 with SiD4, Si2H6, CCl4, and C3H6 (propylene) are studied under pseudo-first-order conditions. Derived upper limits to the rate constants show these reactions to be slow at room temperature. The data demonstrate the reactivity of silyl with open-shell (radical) species and the general inertness of silyl toward closed shell molecules. Under typical chemical vapor deposition conditions, SiH3 is, therefore, a kinetically long-lived species in the gas phase and consequently a potentially important film forming species under plasma and photochemical deposition conditions.

  DOI：

  10.1063/1.461707
• 作为试剂：
  描述：

  tungsten(VI) fluoride 在 乙硅烷 作用下， 以 gas 为溶剂， 生成 钨
  参考文献：
  名称：

  ZnO 和 W 薄膜原子层沉积过程中的原位电阻率测量

  摘要：

  使用四点探针在原子层沉积 (ALD) 过程中原位监测 ZnO 和 W 薄膜的电阻率。在 ZnO ALD 电阻率测量期间观察到大的振荡。电阻率在每次二乙基锌暴露期间显着增加，在每次 H2O 暴露期间降低。相比之下，W ALD 电阻率测量显示出阶梯状图案，其中电阻率在 Si2H6 暴露期间降低，而在 WF6 暴露期间保持恒定。原位电阻率测量将有助于监测 ALD 处理，也可能有助于优化和了解气体传感器的特性。

  DOI：

  10.1063/1.1490413

文献信息

• Removing native oxide from Si(001) surfaces using photoexcited fluorine gas
  作者：Takayuki Aoyama、Tatsuya Yamazaki、Takashi Ito

  DOI：10.1063/1.105930

  日期：1991.11.11

  discusses the reaction between (001) oriented Si surfaces and photoexcited fluorine gas resulting in the removal of the native Si oxide. For an F2/Ar gas system, the bulk Si was etched in areas where the native Si oxide had been completely removed. However, by using an F2/H2 gas system, only the native Si oxide was removed. We used this method to remove the native Si oxide in Si epitaxial growth. A high‐quality

  这封信讨论了 (001) 取向的 Si 表面和光激发的氟气之间的反应，导致原生 Si 氧化物的去除。对于 F2/Ar 气体系统，在已完全去除天然 Si 氧化物的区域中蚀刻块状 Si。然而，通过使用 F2/H2 气体系统，仅去除了天然 Si 氧化物。我们使用这种方法去除硅外延生长中的原生硅氧化物。通过这种硅生长过程，在最高 600 °C 的温度下获得了高质量的单晶硅薄膜表面。我们还表征了热氧化物、氮化硅和碳化硅的蚀刻。
• Infrared laser photochemistry of silane-hydrochloric acid mixtures
  作者：C. B. Moore、J. Biedrzycki、F. W. Lampe

  DOI：10.1021/ja00337a019

  日期：1984.12

  Etude de 295 a 414 K. Les produits gazeux observes sont H 2 , Si 2 H 6 , SiH 3 Cl, SiH 2 Cl 2 , SiHCl 3 et des traces de Si 3 H 8 et Si 2 H 5 Cl

  Etude de 295 a 414 K. Les produits Gazeux 观察到 H 2 , Si 2 H 6 , SiH 3 Cl, SiH 2 Cl 2 , SiHCl 3 et des traces de Si 3 H 8 et Si 2 H 5 Cl
• Shock Tube Study on the Reaction of Si Atoms with CH3 with Respect to SiC Formation
  作者：A. Kunz、K.A. Bhaskaran、R. Roth

  DOI：10.1524/zpch.2001.215.6.811

  日期：2001.1.1

  The reaction kinetics of ground state Si atoms was studied behind reflected shock waves in the presence of excess CH

  Si+CH

  ↔ SiCH

  with

  固态硅原子的反应动力学在过量甲烷存在下在反射激波后进行了研究。Si+CH ↔ SiCH。
• Method for Thin-Film Technology of Si with Doping
  作者：Jun-ichi Nishizawa、Toru Kurabayashi、Toru Oizumi、Hideyuki Kikuchi、Takashi Yoshida

  DOI：10.1149/1.1575742

  日期：——

  of single crystalline Si was examined with a doping method that applied a low-temperature process. Si 2 H 6 (99.99%) and dopant precursor, PH 3 (or B 2 H 6 ), were injected intermittently on the Si(100) surface, and an atomically smooth surface was obtained with atomic-scale layer controllability of the growth thickness. At a process temperature of 525°C, an n-type layer doped with phosphorus was obtained

  使用低温工艺的掺杂方法检查单晶硅的逐层生长。Si 2 H 6 (99.99%)和掺杂剂前驱体PH 3 (或B 2 H 6 )间歇注入Si(100)表面，获得原子级光滑表面，原子级层可控生长厚度. 在525℃的工艺温度下，得到掺杂磷的n型层，载流子浓度达到2.8 X 10 1 9 cm - 3 ，在2 X 10 1 9 cm下得到光滑的薄膜表面- 3。掺杂硼的p型层的载流子浓度达到5×10 2 0 cm - 3 ，同时在510℃的生长温度下保持原子级光滑的表面。使用掺杂制造纳米级多层结构，
• Boron Doping Effect on Silicon Film Deposition in the Si2 H 6 ‐  B 2 H 6 ‐ He Gas System
  作者：Satoshi Nakayama、Izumi Kawashima、Junichi Murota

  DOI：10.1149/1.2109002

  日期：1986.8.1

  Heavily boron‐doped silicon films are deposited in the temperature range 520°–665°C in the gas system. The effects of boron doping on the deposition rate and properties of silicon films are investigated and compared with those of phosphorus doping. The deposition rate increases with the addition of , and tne deposition rate increment is proportional to power of the boron concentration in silicon film

  在气体系统中，在 520°–665°C 的温度范围内沉积重硼掺杂的硅薄膜。研究了硼掺杂对硅膜沉积速率和性能的影响，并与磷掺杂进行了比较。沉积速率随着 的增加而增加，并且沉积速率的增加与硅膜中硼浓度的幂和 的分压成正比。硼是独立沉积的，不受硅沉积的影响。除了硼浓度高于 之外，在硅膜中掺入硼会降低非晶态转变温度。对于较高的硼浓度，通过掺入硼来抑制结晶。

表征谱图