scandium nitride

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 英文名称: scandium nitride
• 英文别名: Azane;scandium
• 化学式: NSc
• 分子量: 58.9626
• InChiKey: IJSLXRGNRUBHCI-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.16
• 重原子数：
  2
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  1
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  scandium nitride 以 sodium hydroxide 为溶剂， 生成 氨
  参考文献：
  名称：

  Lyutaya, M. D.; Bukhanevich, V. F., Zhurnal Neorganicheskoi Khimii, 1962, vol. 7, p. 1290 - 1293

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  氨 在 Sc halogenide 作用下， 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 scandium nitride
  参考文献：
  名称：

  半导体 ScN 的外延生长和性能

  摘要：

  ScN 的外延生长已经在 750-1150 °C 的温度范围内进行了研究，使用氨与挥发性钪卤化物的反应，该挥发性钪是由 HCl、HBr 或 HI 与 Sc 金属反应产生的。发现在 α-Al2O3 上外延生长 ScN 的最佳温度范围为 850-930 °C。ScN 的线性热膨胀系数经测量为 8.1 × 10−6/°C，与 α-Al2O3 相匹配。质谱研究表明，HCl 与 Sc 金属反应形成的蒸气物质是 ScCl2，这与 NH3 进一步反应，NH3 在 950°C 下仅分解 5-10%，形成 ScN。生长的 ScN 是 n 型电子浓度范围为 1020-1021 cm-3，卤素或氢似乎是主要供体。在生长过程中掺杂 C 和 Si 不会产生 p 型材料，也没有在 Mg 和 Zn 蒸气中进行生长后退火。对于 1 × 1020 cm-3 的电子浓度，ScN 的霍尔迁移率在 300 °K 时为 150 cm2

  DOI：

  10.1016/0022-0248(72)90185-6

文献信息

• Chemical methods of dispergation of metallic phases
  作者：B. P. Tarasov、E. E. Fokina、V. N. Fokin

  DOI：10.1007/s11172-011-0193-9

  日期：2011.7

  The results of a cycle of works on the chemical dispergation of intermetallic compounds and alloys were summarized and analyzed. The chemical dispergation occurs in a hydrogen or ammonia atmosphere in the temperature range from 20 to 500 °C and a pressure of 0.5–2.0 MPa. The phase transformations were studied. The conditions suitable for the production of polymetallic phase powders of various degrees of dispersity were determined.

  对一系列关于金属间化合物和合金化学分散处理的研究结果进行了总结和分析。化学分散过程在20至500摄氏度、0.5至2.0兆帕的压力下，在氢气或氨气氛围中进行。研究了相变过程，并确定了适合制备各种分散度多金属相粉末的条件。
• Contribution of Nitrogen Vacancies to Ammonia Synthesis over Metal Nitride Catalysts
  作者：Tian-Nan Ye、Sang-Won Park、Yangfan Lu、Jiang Li、Masato Sasase、Masaaki Kitano、Hideo Hosono

  DOI：10.1021/jacs.0c06624

  日期：2020.8.19

  can produce ammonia without Ni-loading at almost the same activation energy. Kinetic analysis and isotope experiments combined with density functional theory (DFT) calculations indicate that the nitrogen vacancies in CeN can activate both N2 and H2 during the reaction, which accounts for the much higher catalytic performance than other reported nonloaded catalysts for ammonia synthesis.

  氨是生产肥料最重要的原料之一，也是潜在的能源载体。LaN 等氮化物化合物由于其氮空位可以激活 N2 以合成氨，因此最近引起了相当大的关注。在这里，我们提出了设计用于氨合成的氮化物基催化剂的一般规则，其中氮空位形成能 (ENV) 在催化性能中起主导作用。CeN 相对较低的 ENV（约 1.3 eV）意味着它可以在负载 Ni 时作为一种高效且稳定的催化剂。Ni/CeN的催化活性达到6.5 mmol·g-1·h-1，出水NH3浓度（ENH3）为0.45 vol %，在400℃和0.1 MPa下达到热力学平衡（ENH3 = 0.45 vol %），从而避免了氮结合能极弱的 Ni 金属上 N2 活化的瓶颈。其活性远远超过其他钴基和镍基催化剂，甚至可与钌基催化剂相媲美。已经确定，CeN 本身可以在几乎相同的活化能下在不加载 Ni 的情况下产生氨。动力学分析和同位素实验结合密度泛函理论 (DFT) 计算表明，CeN
• XPS, AES, and EELS characterization of nitrogen-containing thin films
  作者：G Soto、W de la Cruz、M.H Farı́as

  DOI：10.1016/j.elspec.2003.12.004

  日期：2004.3

  remarkable regularities in the spectroscopic characteristics of those films. For example, the N-KVV Auger transition for nitrogen contained in d-metals is split in three main energy bands and several additional subbands. For the main bands, their relative intensities correlate with electronic populations in d-orbitals, while the subbands can be associated to energy losses of the main bands. We propose that the

  摘要 脉冲激光沉积 (PLD) 似乎是一种非常有效的材料合成工具。填隙化合物如氢化物、碳化物和氮化物通常由 PLD 的反应变化产生。在这项研究中，基于 PLD 的有条理的程序用于通过在分子氮环境中烧蚀纯元素目标来合成含氮薄膜。所得薄膜通过 X 射线光电子 (XP)、俄歇电子 (AE) 和电子能量损失 (EEL) 光谱进行原位分析。我们的方法证实了这些薄膜的光谱特性存在显着的规律性。例如，d-金属中所含氮的 N-KVV 俄歇跃迁分为三个主要能带和几个附加子带。对于主要乐队，它们的相对强度与 d 轨道中的电子种群相关，而子带可能与主带的能量损失相关。我们建议主要带反映氮和伙伴元素之间的键合、非键合和反键合相互作用。通过 XPS 测量，可以检测到核心级能量偏移，它们与薄膜中掺入的氮量有关。在 EELS 部分，介绍了纯元素和氮化物的损耗结构之间的关联。除了少数例外，氮化物的体等离子体能量大于纯元素，表明氮化物的电子密度增加。给出了
• High‐Pressure Synthesis of Sc ₅ P ₁₂ N ₂₃ O ₃ and Ti ₅ P ₁₂ N ₂₄ O ₂ by Activation of the Binary Nitrides ScN and TiN with NH ₄ F
  作者：Lucien Eisenburger、Valentin Weippert、Oliver Oeckler、Wolfgang Schnick

  DOI：10.1002/chem.202101858

  日期：2021.10.13

  materials ScN and TiN are seemingly an uncommon choice because of their chemical inertness but, nevertheless, react under these conditions. Sc5P12N23O3 and Ti5P12N24O2 crystallize isotypically with Ti5B12O26, consisting of solely vertex-sharing P(O/N)4 tetrahedra forming two independent interpenetrating diamond-like nets that host TM(O/N)6 (TM=Sc, Ti) octahedra. Ti5P12N24O2 is a mixed-valence compound and

  多元过渡金属氮化物和氧氮化物是一类用途广泛且有趣的化合物。然而，对它们的研究远远少于纯氧化物。化合物 Sc 5 P 12 N 23 O 3和 Ti 5 P 12 N 24 O 2现已分别由二元氮化物 ScN 和 TiN 合成，采用 8 GPa 和 1400 °C 的高压高温方法。 NH 4 F 充当矿化剂，支持产物形成和结晶。起始材料 ScN 和 TiN 似乎是一种不常见的选择，因为它们具有化学惰性，但尽管如此，它们仍会在这些条件下发生反应。 Sc 5 P 12 N 23 O 3和 Ti 5 P 12 N 24 O 2与 Ti 5 B 12 O 26同型结晶，仅由共享顶点的 P(O/N) 4四面体组成，形成两个独立的互穿类金刚石网，主体TM (O/N) 6 ( TM =Sc, Ti) 八面体。 Ti 5 P 12 N 24 O 2是混合价化合物并且显示Ti 3+和Ti 4+离子的有序性。
• Sc ₃ AlN – A New Perovskite
  作者：Carina Höglund、Jens Birch、Manfred Beckers、Björn Alling、Zsolt Czigány、Arndt Mücklich、Lars Hultman

  DOI：10.1002/ejic.200701356

  日期：2008.3

  Sc3AlN with perovskite structure has been synthesized as the first ternary phase in the Sc–Al–N system. Magnetron sputter epitaxy at 650 °C was used to grow single-crystal, stoichiometric Sc3AlN(11 ...

  具有钙钛矿结构的 Sc3AlN 已被合成为 Sc-Al-N 系统中的第一个三元相。磁控管溅射外延在 650 °C 下用于生长单晶、化学计量的 Sc3AlN(11 ...