zirconium(IV) borohydride

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: zirconium(IV) borohydride
• 英文别名: zirconium borohydride；boranuide;zirconium(4+)
• 化学式: 4BH₄*Zr
• 分子量: 150.595
• InChiKey: FNJPQXFQJSADIF-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.45
• 重原子数：
  2.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  zirconium(IV) borohydride 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 zirconium diboride
  参考文献：
  名称：

  通过金属硼氢化物 (M[BH4]4) 的热分解低温沉积锆和铪硼化物薄膜

  摘要：

  通过 Zr[BH4]4 和 Hf[BH4]4 的低温（100-270°C）热分解，锆和铪硼化物的导电（150 μΩ cm）粘附膜已沉积在各种基材上。这些薄膜的俄歇电子能谱表明它们的成分是 ZrB2 和 HfB2。薄膜表面被氧化，并有轻微的碳污染。然而，散装包含少于 1 at。% C 或 O。这种合成是迄今为止这些材料的最低温度制备（TiB2 的等离子体增强化学气相沉积需要 480-600°C），并且对于这些材料在电子应用中的使用具有广阔的前景。

  DOI：

  10.1063/1.100603
• 作为产物：
  描述：

  锂硼氢 、 氯化锆(IV) 反应 6.0h， 生成 zirconium(IV) borohydride
  参考文献：
  名称：

  Ammonia borane modified zirconium borohydride octaammoniate with enhanced dehydrogenation properties

  摘要：

  通过与NH₃BH₃（AB）结合，Zr（BH₄）₄·8NH₃ 实现了更高的氢纯度和更低的脱氢温度。

  DOI：

  10.1039/c4ta05328a
• 作为试剂：
  描述：

  阿司匹林 在 zirconium(IV) borohydride 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 1.0h， 以90%的产率得到水杨醇
  参考文献：
  名称：

  硼氢化锆 - 用于还原亲电和亲核底物的多功能还原剂

  摘要：

  摘要 硼氢化锆是一种潜在的还原剂，可在室温下两小时内以良好的收率将酸、酯、亚胺还原为相应的醇和仲胺。在信息素和一些用于不对称合成的新型手性前体的合成中利用了这种简便的还原特性。

  DOI：

  10.1080/00397910008087061

文献信息

• Hydrogen generation properties and the hydrolysis mechanism of Zr(BH₄)₄·8NH₃
  作者：Daifeng Wu、Liuzhang Ouyang、Jiangwen Liu、Hui Wang、Huaiyu Shao、Min Zhu

  DOI：10.1039/c7ta04308b

  日期：——

  that the hydrolysis of Zr(BH4)4•8NH3 in water can generate about 1067 mL/g pure hydrogen in 240 min at 298 K without release of diborane or ammonia impurity gases. With heat-assistance, the hydrogen generation rate can be significantly enhanced, and its activation energy was calculated to be 29.38 kJ/mol. The hydrolysis mechanism was clarified. The results demonstrate Zr(BH4)4•8NH3 may work as one promising

  Zr（BH4）4•8NH3由于具有较高的氢密度和较低的脱氢温度，因此被认为是一种有前途的固态储氢材料。但是，氨的释放阻碍了其实际应用。为了进一步降低脱氢温度并抑制氨的释放，在这里我们研究了其水解过程以评估其氢生成性能。结果表明，Zr（ ）4•8NH3在水中的水解在298 K下240分钟内可产生约1067 mL / g的纯氢，而不会释放出乙硼烷或氨杂质气体。借助热辅助，可以显着提高氢的生成速率，其活化能经计算为29.38 kJ / mol。阐明了水解机理。结果表明Zr（ ）4·8NH3可能是一种有前途的制氢材料。
• Metal-Borohydride-Modified Zr(BH₄)₄⋅8 NH₃: Low-Temperature Dehydrogenation Yielding Highly Pure Hydrogen
  作者：Jianmei Huang、Liuzhang Ouyang、Qinfen Gu、Xuebin Yu、Min Zhu

  DOI：10.1002/chem.201501461

  日期：2015.10.12

  formation of the diammoniate of diborane for Zr(BH4)4⋅8 NH3–4 LiBH4, and the partial transfer of NH3 groups from Zr(BH4)4⋅8 NH3 to Mg(BH4)2 for Zr(BH4)4⋅8 NH3–2 Mg(BH4)2, which result in balanced numbers of BH4 and NH3 groups and a more active Hδ+⋅⋅⋅−δH interaction. These advanced dehydrogenation properties make these two composites promising candidates as hydrogen‐storage materials.

  由于其高密度氢（14.8重量％）和低的脱氢峰温度（130℃），锆（BH 4）4 ⋅ 8 NH 3被认为是最有前途的储氢材料中的一种。为了进一步降低脱氢温度并抑制氨的释放，在该系统中采用了引入LiBH 4和Mg（BH 4）2的策略。的Zr（BH 4）4 ⋅ 8 NH 3 -4的LiBH 4和Zr（BH 4）4 ⋅ 8 NH 3 -2的Mg（BH 4）2复合材料显示出主要的脱氢峰集中在81和106°C，以及分别为99.3和99.8 mol％H 2的高氢纯度。等温测量结果表明，6.6重量％和5.5重量％（在360分钟）氢在100℃下由Zr释放（在60分钟内）（BH 4）4 ⋅ 8 NH 3 -4的LiBH 4和Zr（BH 4）分别为4⋅8 NH 3 -2 Mg（BH 4）2。下脱氢温度和改进的氢纯度可以归因于形成的乙硼烷的diammoniate的为锆（BH 4）4 ⋅8 NH 3 -4的LiBH
• Surface electronic structure of ZrB2 buffer layers for GaN growth on Si wafers
  作者：Yukiko Yamada-Takamura、Fabio Bussolotti、Antoine Fleurence、Sambhunath Bera、Rainer Friedlein

  DOI：10.1063/1.3481414

  日期：2010.8.16

  The electronic structure of epitaxial, predominantly single-crystalline thin films of zirconium diboride (ZrB2), a lattice-matching, conductive ceramic to GaN, grown on Si(111) was studied using angle-resolved ultraviolet photoelectron spectroscopy. The existence of Zr-derived surface states dispersing along the Γ¯-M¯ direction indicates a metallic character provided by a two-dimensional Zr-layer at

  使用角分辨紫外光电子能谱研究了在 Si(111) 上生长的二硼化锆 (ZrB2) 晶格匹配导电陶瓷的外延、主要是单晶薄膜的电子结构。沿Γ¯-M¯方向分散的Zr衍生表面态的存在表明由表面的二维Zr层提供的金属特性。连同测量的功函数，结果表明，这种薄 ZrB2(0001) 缓冲层的表面电子特性与单晶的表面电子特性相当，有望在经济基板上的垂直发光二极管中实现氮化物层与基板之间的出色传导.
• Epitaxial semimetallic HfxZr1−xB2 templates for optoelectronic integration on silicon
  作者：Radek Roucka、YuJin An、Andrew V. G. Chizmeshya、John Tolle、John Kouvetakis、Vijay R. D'Costa、José Menéndez、Peter Crozier

  DOI：10.1063/1.2403189

  日期：2006.12.11

  High quality heteroepitaxial HfxZr1−xB2 (x=0–1) buffers were grown directly on Si(111). The compositional dependence of the film structure and ab initio elastic constants were used to show that hexagonal HfxZr1−xB2 possess tensile in-plane strain (0.5%) as grown. High quality HfB2 films were also grown on strain compensating ZrB2-buffered Si(111). Initial reflectivity measurements of thick ZrB2 films

  高质量的异质外延 HfxZr1-xB2 (x=0-1) 缓冲液直接生长在 Si(111) 上。薄膜结构的成分依赖性和从头算弹性常数用于表明六方 HfxZr1-xB2 在生长时具有拉伸面内应变 (0.5%)。高质量的 HfB2 薄膜也在应变补偿 ZrB2 缓冲的 Si(111) 上生长。厚 ZrB2 薄膜的初始反射率测量与第一性原理计算一致，该计算预测 HfB2 的反射率在 2-8eV 范围内相对于 ZrB2 增加 20%。这些可调的结构、热弹性和光学特性表明 HfxZr1-xB2 模板应该适用于 III 族氮化物与 Si 的广泛集成。
• Petrova, L. A.; Borisov, A. P.; Makhaev, V. D., Koordinatsionnaya Khimiya, 1992, vol. 18, p. 425 - 428
  作者：Petrova, L. A.、Borisov, A. P.、Makhaev, V. D.

  DOI：——

  日期：——