tetrakis(diethylaminodithiocarbomato)molybdate(IV)

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 英文名称: tetrakis(diethylaminodithiocarbomato)molybdate(IV)
• 英文别名: tetrakis(N,N-diethyldithiocarbamato)molybdenum(IV)；Mo(Et₂NCS₂)₄；([Mo(S₂CNEt₂)₄])；Mo(DTC)₄；terakis(diethylaminodithiocarbomato)molybdate(IV)；molybdenum (IV) (diethylamino)xanthate；Mo(diethyldithiocarbamate)4；N,N-diethylcarbamodithioate;molybdenum(4+)
• 化学式: C₂₀H₄₀MoN₄S₈
• 分子量: 689.032
• InChiKey: KGKPJEPGZDJABF-UHFFFAOYSA-J

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.64
• 重原子数：
  33
• 可旋转键数：
  8
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.8
• 拓扑面积：
  145
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  8

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  tetrakis(diethylaminodithiocarbomato)molybdate(IV) 以 neat (no solvent) 为溶剂， 反应 1.0h， 生成 molybdenum(IV) disulfide
  参考文献：
  名称：

  通过二烷基二硫代氨基甲酸酯钼（iv）配合物的热解 直接合成MoS 2或MoO 3 †

  摘要：

  任一的直接合成2H-MOS 2或α-的MoO 3是由在任一氩气或空气相同的单一源前体的热解在中等温度成为可能。

  DOI：

  10.1039/c8cc08932a
• 作为产物：
  描述：

  五氯化钼 、 potassium diethyldithiocarbamate 以 二氯甲烷 、 水 为溶剂， 反应 0.5h， 以80%的产率得到tetrakis(diethylaminodithiocarbomato)molybdate(IV)
  参考文献：
  名称：

  WO2008/113814

  摘要：

  公开号：

文献信息

• Radical cation-radical anion salts: Molybdenum complexes containing the [TCNQ]•− or [TCNE]•− radical anions. X-ray crystal structure of [Mo(Et2NCS2)4](TCNQ)
  作者：M. Decoster、F. Conan、J.E. Guerchais、Y. Le Mest、J. Sala Pala、J.C. Jeffery、E. Faulques、A. Leblanc、P. Molinie

  DOI：10.1016/0277-5387(94)00487-y

  日期：1995.7

  complexes [Mo(dtc)4] 1 (dtc = Et2NCS2 for 1a and Me2NCS2 for 1b) and TCNQ produced the 1 : 1 derivatives [Mo(dtc)4](TCNQ) 2. Subsequent reaction of 2 with TCNQ gave the 1 : 2 complexes 3 [Mo(dtc)4](TCNQ)2. Complexes 1 reacted with TCNE under nitrogen to give the 1 : 1 compounds [Mo(dtc)4](TCNE) 4 while under ambient conditions the pentacyanopropenide derivatives [Mo(dtc)4](NC)2CC(CN)C(CN)2] 5 were obtained

  [沫（DTC）的钼（IV）配合物之间的反应4 ] 1（DTC =的Et 2 NCS 2为图1A和Me 2 NCS 2为图1b）和TCNQ产生的1：1的衍生物[沫（DTC）4 ]（ TCNQ）2.随后反应2与TCNQ，得到1：2个络合物3 [沫（DTC）4 ]（TCNQ）2。在氮气氛下，配合物1与TCNE反应生成1：1化合物[Mo（dtc）4 ]（TCNE）4而在环境条件下的pentacyanopropenide衍生物[沫（DTC）4 ]（NC）2 CC（CN）C（CN）2 ] 5获得。在溶液中，循环伏安法和ESR研究表明，存在所有类型的钼（V）自由基阳离子[Mo（dtc）4 ] •−络合物，该络合物与自由基阴离子TCNX •−在2中相关（X = Q）和4（X = E），并用1：在中性和阴离子物种TCNQ 1混合物3。已经通过单晶X射线衍射研究了配合物2a。晶体结构由单体TCNQ •自由基阴离子和[Mo（dtc）4
• Tris(dialkyldithiocarbamato)diazenido(1-) and hydrazido(2-) molybdenum complexes: synthesis and reactivity in acid medium
  作者：Pablo C. Riveros、Isabel C. Perilla、Arnulfo Poveda、Heimo J. Keller、H. Pritzkow

  DOI：10.1016/s0277-5387(00)00496-4

  日期：2000.11

  Abstract A series of new molybdenum complexes, [Mo(NNHCOPh)S2CN(C2H5)2}3] (1), [Mo(NNCOC6H4NO2)S2CN(C2H5)2}3] (2), [Mo(NNHCOPh)S2CN(CH3)2}3] (3), [Mo(NNCOC6H4NO2)S2CN(CH3)2}3] (4) have been synthesized, with p-nitrobenzoyldiazenido(1-) and benzoylhydrazido(2-) as ligands, and dialkyldithio-carbamatos as coligands. Reactions of these compounds with aqueous and methanolic HCl were carried

  摘要一系列新的钼配合物[Mo（NNHCOPh）S2CN（C2H5）2} 3]（1），[Mo（NNCOC6H4NO2）S2CN（ ）2} 3] （2），[Mo（NNHCOPh）S2CN（CH3）2} 3]（3），[Mo（NNCO  ）S2CN（ ）2} 3]（4）具有合成，以对硝基苯甲酰基重氮基（1-）和苯甲酰肼基（2-）为配体，二烷基二硫代氨基甲酸酯为大分子配体。进行了这些化合物与HCl水溶液和甲醇的反应，但是芳基的分离尝试失败。仅1和2与HCl在甲醇中的反应得到产物，鉴定为[Mo S 2 CN（C 2 H 5）2} 4] [MoCl 4（OCH 3）2]。通过元素分析，IR光谱，1 H和13 C NMR和质谱对复合物进行表征。获得2的单晶并确定晶体结构。Mo原子是七配位的；一个二氮杂（1-）和三个二乙基二硫代氨基甲酸酯充当配体。从后者中一
• The influence of precursor on rhenium incorporation into Re-doped MoS₂ (Mo_1−xRe_xS₂) thin films by aerosol-assisted chemical vapour deposition (AACVD)
  作者：Naktal Al-Dulaimi、Edward A. Lewis、Nicky Savjani、Paul D. McNaughter、Sarah J. Haigh、M. Azad Malik、David J. Lewis、Paul O’Brien

  DOI：10.1039/c7tc01903c

  日期：——

  The molecular precursors [Mo(S2CNEt2)4] (1), [Re(S2CC6H5)(S3CC6H5)2] (2), and [Re2(μ-S)2(S2CNEt2)4] (3) were used to deposit thin films of Re-doped MoS2 at 550 °C by aerosol assisted chemical vapour Deposition (AACVD). ICP-OES was used to quantify the amount of Re dopant in each film which range from ca. 2–17 at% Re, with greater incorporation of Re from films using precursor (3). In general, lightly

  分子前体[Mo（S 2 CNEt 2）4 ]（1），[Re（S 2 CC 6 H 5）（S 3 CC 6 H 5）2 ]（2）和[Re 2（μ-S）2（S 2 CNEt 2）4 ]（3）用于通过气溶胶辅助化学气相沉积（AACVD）在550°C沉积Re-掺杂的MoS 2薄膜。ICP-OES用于量化每张膜中Re掺杂剂的量，范围从大约0。Re含量为2-17 at％，使用前体（3）可以使薄膜中的Re含量更高。通常，轻掺杂薄膜通过EDX光谱图和p-XRD测量显示出元素均质性和结构保留的证据。然而，拉曼光谱法表明，由于重掺杂（约> 4–7 at％Re），Mo 2的E 2g和A 1g光学声子的消失会丢失MoS 2的结构。，这归因于Re的较大5d轨道引起的层内Re-Re键的引入。电子显微镜显示，掺入Re掺杂剂原子也极大地影响了所制得膜的形貌，从层状结构到簇和小花，尽管在相似的掺杂水平下，由两种precursor前体制得的膜的形貌均相似。
• The chemistry of molybdenum and tungsten. Part XIII. Molybdenum(V) complexes of dithiocarbamates and dithioethers
  作者：C.A. McAuliffe、B.J. Sayle

  DOI：10.1016/s0020-1693(00)89012-x

  日期：1978.1

  salts; infrared spectra indicate bidentate coordination by the ligands, and these complexes appear to have dodecahedral geometry. From this same reaction can be isolated the dimeric [Mo 2 O 4 (R 2 dtc) 2 ] species which contain a double MoOMo bridges as well as terminal MoO bonds, and also the [Mo 2 O 3 (Et 2 dtc)] complex containing a single MoOMo bridge and two terminal MoO linkages. With a series

  摘要三氯氧钼（V）与二硫代氨基甲酸酯反应。室温下乙腈中的R 2 dtc-（R 2Me 2，Et 2，[CH 2] 4）在末端钼-氧键裂解产生[Mo（R 2 dtc）4] +时分离为氯化物或四苯基硼酸盐；红外光谱表明配体的双齿配位，并且这些配合物似乎具有十二面体的几何形状。从同一反应中可以分离出二聚[Mo 2 O 4（R 2 dtc）2]物种，该物种包含一个双MoOMo桥以及末端MoO键，以及[Mo 2 O 3（ Et 2 dtc）]复合物，包含一个MoOMo桥和两个末端MoO链。使用一系列二硫醚生成三氧化氯钼（V）可以生成[MoO（配​​体）Cl 3]，但是络合的能力关键取决于二硫醚的结构。
• A Surface Chemistry Route to Molybdenum Sulfide and Germanide Films Using the Single-Source Precursor Tetrakis(diethylaminodithiocarbomato)molybdate(IV)
  作者：Ti Ouyang、Kian Ping Loh、Heng Zhang、Jagadese J. Vittal、M. Vetrichelvan、Wei Chen、Xingyu Gao、Andrew Thye Shen Wee

  DOI：10.1021/jp0470647

  日期：2004.11.1

  We report for the first time the direct deposition of crystalline molybdenum sulfide (MoS2) using a single-source precursor based on tetrakis(diethylaminodithiocarbomato)molybdate(IV) (abbreviated as Mo(Et2NCS2)4). The chemistry of this precursor adsorbed on a range of substrates (silicon, germanium, gold-coated germanium, nickel, etc.) has been studied using in situ X-ray photoelectron spectroscopy

  我们首次报道了使用基于四（二乙氨基二硫代碳）钼酸盐（IV）（缩写为 Mo(Et2NCS2)4）的单源前驱体直接沉积结晶硫化钼 (MoS2)。已经使用原位 X 射线光电子能谱研究了吸附在一系列基材（硅、锗、镀金锗、镍等）上的这种前体的化学性质。Mo(Et2NCS2)4 前驱体可在 300 °C 下蒸发；它的蒸气在室温下吸附在大多数表面上，并在 400 °C 时分解形成结晶 MoS2。使用这种方法，第一次可以通过一步热蒸发工艺在镍上生长高质量的基面取向 MoS2。有趣的是，选择与金形成共晶合金的元素基材有利于从 MoS2 薄膜中消除硫。这导致在 Au 和衬底元素的共晶温度下形成 Mo 金属间化合物。四方MoSi2或o的前所未有的低温生长...