tantalum nitride

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: tantalum nitride
• 英文别名: Azane;tantalum；azane;tantalum
• 化学式: NTa
• 分子量: 194.955
• InChiKey: SRCXEBNTRQMZRC-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.16
• 重原子数：
  2
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  1
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  tantalum nitride 在 H₂O 作用下， 生成 tantalum(II) oxide
  参考文献：
  名称：

  Schoenberg, N., Acta Chemica Scandinavica (1947-1973), 1954, vol. 8, p. 240 - 245

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  五(二甲氨基)钽(V) 在 H₂ plasma 作用下， 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 tantalum nitride
  参考文献：
  名称：

  通过远程等离子体 ALD 沉积 TiN 和 TaN 用于铜和锂扩散势垒应用

  摘要：

  分别使用Ta[N(CH 3 ) 2 ] 5 前体与H 2 等离子体和TiCl 4 前体与H 2 -N 2 等离子体的组合，通过远程等离子体原子层沉积(ALD)沉积TaN和TiN膜。TaN 和 TiN 薄膜都具有立方相组成，电阻率相对较低（TaN：380 μΩ cm；TiN：150 μΩ cm）。与 TiN 特性不同，发现 TaN 薄膜的材料特性强烈依赖于等离子体暴露时间。对平面基板进行了初步测试，揭示了 TaN 和 TiN 膜分别作为硅通孔和硅集成薄膜电池应用中的 Cu 和 Li 扩散阻挡层的潜力。对于所研究的特定薄膜，发现在两个应用领域，TiN 都显示出比 TaN 更好的阻隔性能。TiN 薄膜是 Cu 扩散的有效屏障，并且在高达 700°C 的退火温度下没有 Cu 扩散。TiN 薄膜在电化学充电和放电过程中表现出低的锂嵌入。

  DOI：

  10.1149/1.2988651
• 作为试剂：
  描述：

  一氧化碳 、 氧气 在 tantalum nitride 作用下， 以 neat (no solvent, gas phase) 为溶剂， 生成 二氧化碳
  参考文献：
  名称：

  The catalytic properties of transition-element carbides and nitrides in the oxidation of carbon monoxide

  摘要：

  DOI：

  10.1007/bf00516945

文献信息

• Ammonothermal Synthesis of Crystalline Oxonitride Perovskites LnTaON₂ (Ln=La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd)
  作者：Niklas Cordes、Wolfgang Schnick

  DOI：10.1002/chem.201702231

  日期：2017.8.22

  The perovskite type oxonitridotantalates LnTaON2 with Ln=La, Ce, Pr, Nd, Sm, and Gd were synthesized by the ammonothermal method employing custom‐built autoclaves made of nickel‐based superalloy. Metal powders were reacted with NaOH and NaN3 as mineralizers under supercritical conditions with purified ammonia at temperature range of 870–1070 K and pressure values of 150–300 MPa. Crystal structures

  LnTaON 2型钙钛矿型氧杂三酸钽酸盐Ln = La，Ce，Pr，Nd，Sm和Gd是通过氨热法，采用由镍基超合金制成的定制高压釜合成的。在超临界条件下，金属粉末与NaOH和NaN 3作为矿化剂，与纯氨在870-1070 K的温度范围和150-300 MPa的压力值下反应。晶体结构和空间群通过粉末X射线衍射确定，并通过Rietveld方法精制。精炼晶格参数适用于LaTaON 2（a = 5.7156（1），b = 8.0675（1），c = 5.7465（1）Å，R wp = 0.0471），CeTaON 2（a = 5.6761（11），b = 8.0386（16），c = 5.7891（12）Å，R wp = 0.183），PrTaON 2（a = 5.6920（1），b = 8.0197（1），c = 5.6804（1） ）Å，R wp = 0.0349），NdTaON 2（a = 5
• Sodium azide as a reagent for solid state metathesis preparations of refractory metal nitrides
  作者：Andrew L. Hector、Ivan P. Parkin

  DOI：10.1016/0277-5387(94)00314-5

  日期：1995.4

  Abstract Thermal initiation (∼ 300°C) of a reaction between sodium azide and anhydrous metal chlorides (LaCl3, SmCl3, TiCl3, ZrCl4, HfCl4, VCl3, TaCl5, CrCl2, WCl6 and MnCl2) in sealed evacuated ampoules rapidly produces binary metal nitrides, dinitrogen and sodium chloride. The metal nitrides were purified by trituration with methanol and characterized by powder X-ray diffraction, scanning electron

  摘要在密封的抽空安瓿中，叠氮化钠与无水金属氯化物（LaCl3，SmCl3，TiCl3，ZrCl4，HfCl4，VCl3，TaCl5，CrCl2，WCl6和MnCl2）之间的反应热引发（约300°C），迅速生成二元金属氮化物，氮气和氯化钠。通过用甲醇研磨纯化金属氮化物，并通过粉末X射线衍射，扫描电子显微镜，能量色散X射线分析和FT-IR进行表征。
• Effects of Nitrogen, Methane, and Oxygen on Structure and Electrical Properties of Thin Tantalum Films
  作者：D. Gerstenberg、C. J. Calbick

  DOI：10.1063/1.1713324

  日期：1964.2

  investigation was made of tantalum films sputtered in argon containing individual small amounts of nitrogen, methane, and oxygen. With argon alone, 1000‐A bcc tantalum films deposited on glass substrates heated to 400°C had a specific resistivity four times the bulk value, with the increase attributable to a reactive gas residual pressure of 10−6 to 10−5 Torr. The mixed argon‐nitrogen experiments produced

  对在含有少量氮气、甲烷和氧气的氩气中溅射的钽薄膜进行了研究。单独使用氩气，沉积在加热到 400°C 的玻璃基板上的 1000-A bcc 钽膜的电阻率是体积值的四倍，其增加归因于 10-6 至 10-5 Torr 的反应气体残余压力。混合氩氮实验最初产生 hcp Ta2N，在更高的压力下产生 fcc 相归因于新的 TaN 结构。使用甲烷只能获得 fcc TaC，而使用氧，无定形相最初开始生长，并且在更高的压力下占主导地位，其结构与阳极形成的 Ta2O5 相同。氮化物和碳化物的电阻率在 200–300×10−6 Ω cm 之间，温度系数在 +3×10−4 和 -2×10−4 deg−1 之间。随着氧含量的增加，比电阻率大约呈指数增加；正温度系数减小，在降水前变为零……
• Microwave Synthesis of Ternary Nitride Materials
  作者：Joel D. Houmes、Hans-Conrad zur Loye

  DOI：10.1006/jssc.1997.7303

  日期：1997.5

  The utility of microwave heating and microwave generated nitrogen plasmas as a synthetic technique toward the synthesis of nitrides is demonstrated. The synthesis of several binary and ternary nitrides, including TiN, AlN, VN, Li3FeN2, Li5TiN3, and Li3AlN2, using either a microwave heating source or a microwave generated nitrogen plasma, are described. Two types of reactions, those between a metal

  证明了微波加热和微波产生的氮等离子体作为合成氮化物的合成技术的实用性。描述了使用微波加热源或微波产生的氮等离子体合成几种二元和三元氮化物，包括TiN，AlN，VN，Li 3 FeN 2，Li 5 TiN 3和Li 3 AlN 2。讨论了两种类型的反应，即微波加热系统中金属与氮等离子体之间的反应以及Li 3 N与金属或金属氮化物之间的反应。
• TANTALUM-ORGANIC COMPOUNDS AND THEIR USE FOR THIN FILMS DEPOSITION
  申请人：L'Air Liquide Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude

  公开号：EP2573096A1

  公开（公告）日：2013-03-27

  Compound of formula (I): R1 is a halide ligand (selected from F, Cl, Br or I), an amine or alkyl. R2 is an organic ligand, each one independently selected in the group consisting of H, linear or branched alkyl group comprising from 1 to 6 carbon atoms R3 is an adduct selected in the group comprising pyridine, arene, THF, CH3CN and 0 ≤ x ≤4, preferably 1 ≤x ≤ 4.

  化合物的式子（I）：R1是卤素配体（从F、Cl、Br或I中选择），胺或烷基。R2是有机配体，每个独立地选择在由1到6个碳原子组成的线性或支链烷基组中的一个。R3是一个加合物，选择在包括吡啶、芳烃、THF、CH3CN和0≤x≤4的组中，优选1≤x≤4。