(SiMe(SiMe3)2)6-hexagallane | 733752-50-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: (SiMe(SiMe3)2)6-hexagallane
• 英文别名: (SiMe(SiMe3)2)6-Hexagallan
• CAS: 733752-50-6
• 化学式: C₄₂H₁₂₆Ga₆Si₁₈
• 分子量: 1555.34
• InChiKey: UAHMAMOOAQZWEI-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  15.38
• 重原子数：
  66
• 可旋转键数：
  12
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  [Methylbis(trimethylsilyl)silyl Li*3THF] 、 Ga3(OTf)2Cp* 以 甲苯 为溶剂， 以1%的产率得到(SiMe(SiMe3)2)6-hexagallane
  参考文献：
  名称：

  亚价三氟甲磺酸镓 - 镓簇化合物的可能起始化合物

  摘要：

  亚价三氟甲磺酸镓 - 镓簇化合物的潜在有用起始材料通过 GaCp * 与三氟甲磺酸在己烷中的反应，获得三氟甲磺酸镓（三氟甲磺酸盐，OTf）的混合物。该混合物很容易与锂硅化物 [Li (thf) 3Si (SiMe3) 2R] (R = Me, SiMe3) 反应以提供簇化合物 [Ga6 {Si (SiMe3) Me} 6]、[Ga2 {Si (SiMe3) 3 } 4] 和 [Ga10 {Si (SiMe3) 3} 6]。通过从各种溶剂中结晶，镓三氟甲磺酸盐 [Ga (OTf) 3 (thf) 3]、[HGa (OTf) (thf) 4] + [Ga (OTf) 4 (thf) 3] -、[Cp * GaGa (OTf) ) 2] 2 和 [Ga (甲苯) 2] + [Ga5 (OTf) 6 (Cp *) 2] - 被分离出来，并通过单晶 X 射线结构分析表征。

  DOI：

  10.1002/zaac.200800052

文献信息

• Das Hexagallan [Ga6{SiMe(SiMe3)2}6] und dascloso-Hexagallanat [Ga6{Si(CMe3)3}4(CH2C6H5)2]2—— derÜbergang zu einem ungewöhnlichenprecloso-Cluster
  作者：Gerald Linti、Stella Çoban、Dimple Dutta

  DOI：10.1002/zaac.200300338

  日期：2004.2

  Hexagallane [Ga6SiMe(SiMe3)2}6] and the closo-Hexagallanate [Ga6Si(CMe3)3}4 (CH2C6H5)2]2— — the Transition to an Unusual precloso-Cluster The closo hexagallanate [Ga6R4(CH2Ph)2]2— (R = SitBu3) as well as the hexagallane Ga6R6 (R = SiMe(SiMe3)2) with only six cluster electron pairs were isolated from reactions of “GaI” with the corresponding silanides. The structure of the latter is derived from an octahedron

  Aus der Reaktion von “Gal” mit den entsprechenden Silaniden wurden das closo-Hexagallanat [R4(PhCH2)2Ga6]2— (R = SitBu3) sowie das Hexagallan Ga6R6 (R = SiMe(SiMe3)2) Die Struktur des letzteren wird durch Jahn-Teller-Verzerrung aus dem oktaedrischen Cluster abgeleitet und ist die nach dem dem Wade-Mingos-Konzept erwartete uberkappte trigonal-bipyramidale Struktur。Beide Verbindungen wurden mittels
• Subvalente Galliumtriflate – mögliche Ausgangsverbindungen für Clusterverbindungen des Galliums
  作者：Gerald Linti、Annekathrin Seifert

  DOI：10.1002/zaac.200800052

  日期：2008.7

  Subvalent Gallium Triflates – Potentially Useful Starting Materials for Gallium Cluster Compounds By reaction of GaCp* with trifluormethanesulfonic acid in hexane a mixture of gallium trifluormethanesulfonates (triflates, OTf) is obtained. This mixture reacts readily with lithiumsilanides [Li(thf)3Si(SiMe3)2R] (R = Me, SiMe3) to afford the cluster compounds [Ga6Si(SiMe3)Me}6], [Ga2Si(SiMe3)3}4] and

  亚价三氟甲磺酸镓 - 镓簇化合物的潜在有用起始材料通过 GaCp * 与三氟甲磺酸在己烷中的反应，获得三氟甲磺酸镓（三氟甲磺酸盐，OTf）的混合物。该混合物很容易与锂硅化物 [Li (thf) 3Si (SiMe3) 2R] (R = Me, SiMe3) 反应以提供簇化合物 [Ga6 Si (SiMe3) Me} 6]、[Ga2 Si (SiMe3) 3 } 4] 和 [Ga10 Si (SiMe3) 3} 6]。通过从各种溶剂中结晶，镓三氟甲磺酸盐 [Ga (OTf) 3 (thf) 3]、[HGa (OTf) (thf) 4] + [Ga (OTf) 4 (thf) 3] -、[Cp * GaGa (OTf) ) 2] 2 和 [Ga (甲苯) 2] + [Ga5 (OTf) 6 (Cp *) 2] - 被分离出来，并通过单晶 X 射线结构分析表征。