Copper--palladium (3/1) | 12259-15-3

• 分子结构分类: 无机化合物 - 均相金属化合物 - 均相过渡金属化合物
• 英文名称: Copper--palladium (3/1)
• 英文别名: copper;palladium
• CAS: 12259-15-3
• 化学式: Cu₃Pd
• 分子量: 297.058
• InChiKey: PTPXMXNSFXFKDN-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.01
• 重原子数：
  4
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  Copper--palladium (3/1) 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 copper-palladium
  参考文献：
  名称：

  Kupferpalladiumnitride, Cu3PdxN mit x = 0,020 und 0,989, Perowskite mit “bindender 3d10-4d10-Wechselwirkung”

  摘要：

  Copper palladium nitride phases, Cu3Pd(x)N with x = 0.020 and 0.989, were synthesized by the reaction of [Cu(NH3)2]NO, with [Pd(NH3)4](NO3)2 in supercritical ammonia at T = 500-degrees-C and P(NH3) almost-equal-to 6 kbar in a temperature gradient of the autoclaves used. X-ray single-crystal investigations led to the perovskite-type structure ("Pd(x)NCu3") in Pm3m with Z = 1: Cu3Pd0.020(3)N: a = 3.810(l) angstrom, R/R(W) = 0.012/0.013, Z(F0(2)) greater-than-or-equal-to 3-sigma(F0(2)) = 32, N(var) = 7 Cu3Pd0.989(5)N: a = 3.854(1) angstrom, R/R(W) = 0.016/0.018, Z(F0(2)) greater-than-or-equal-to 3-sigma(F0(2)) = 67, N(var) = 7 Cu3Pd(0.020N and CU3Pd0.989N are silver-coloured electrical conductors. The phases are metastable at room temperature and decompose at 470-degrees-C to give Cu3Pd, and N2.

  DOI：

  10.1016/0022-5088(91)90063-a
• 作为产物：
  描述：

  铜 、 钯 以 melt 为溶剂， 生成 Copper--palladium (3/1)
  参考文献：
  名称：

  一些贵金属（Cu、Ag、Au）和过渡金属的二元合金的高温直接合成量热法热化学

  摘要：

  摘要 通过高温直接合成量热法在 1372 K 下测量了一些贵金属-过渡金属化合物的标准生成焓。报告了以下结果（以 kJ/mol 原子为单位）：Cu51Zr14，-24.3±2.2；Cu3Pd，-7.6±1.2；Cu51Hf14，-22.9±2.3；Cu3Pt，-10.8±1.1；AgTi，-1.6±2.4；AgTi2，-2.3±1.1；Ag2Y，-26.6±1.2；Au2Sc，-83.4±1.8；Au4Sc，-57.3±1.5；金锰，-25.3±1.7；Au2Y，-84.6±1.8；Au3Y，-69.1±1.9；Au3Pd，-7.9±1.9。将结果与通过 EMF、蒸气压和量热法获得的一些早期实验值进行比较。还将它们与 Miedema 和同事的预测值进行比较。我们将展示生成焓如何与过渡金属的原子序数相关的系统图。

  DOI：

  10.1016/s0925-8388(02)00983-0

文献信息

• Thermal stability of the Cu/Pd/Si metallurgy
  作者：Chin‐An Chang

  DOI：10.1063/1.102305

  日期：1989.10.9

  reaction between Cu and Pd/Si is studied using Cu/Pd/Si structures between 200 and 600 °C. The structural analyses show the reaction between Cu and Pd/Si between 200 and 300 °C, with both Pd and Si diffusing into Cu, and Cu accumulating inside the Si region under the Pd2 Si layer formed. An extensive reaction between Cu and Pd2 Si is observed at 400 °C, forming Cu silicides and Cu3 Pd. The instability

  使用 Cu/Pd/Si 结构在 200 和 600 °C 之间研究 Cu 和 Pd/Si 之间的反应。结构分析表明，Cu 和 Pd/Si 在 200 到 300 °C 之间发生反应，Pd 和 Si 都扩散到 Cu 中，并且 Cu 在形成的 Pd2 Si 层下方的 Si 区域内积累。在 400 °C 下观察到 Cu 和 Pd2 Si 之间的广泛反应，形成 Cu 硅化物和 Cu3 Pd。Cu/Pd2 Si 冶金的不稳定性与 Al/Pd2 Si 和 Cu/PtSi 的不稳定性相当。在这方面，Cu/Pd/Si和Cu/Pt/Si结构之间的稳定性差异远小于Al/Pd/Si和Al/Pt/Si结构之间的稳定性差异。对于后一种结构，观察到大约 100°C 的差异，有或没有共同的阻挡层，Al/Pt/Si 是更稳定的。Cu 硅化物和 Cu3 Pd 的快速形成有助于 Cu/Pd/Si 结构的不稳定性。Cu硅化物反