hafnium bis(tert-butoxide)-bis(dimethylaminoethoxide) | 850165-74-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机过渡后金属化合物
• 英文名称: hafnium bis(tert-butoxide)-bis(dimethylaminoethoxide)
• CAS: 850165-74-1
• 化学式: C₁₆H₃₈HfN₂O₄
• 分子量: 500.979
• InChiKey: OVFSSYDCYHWDPV-UHFFFAOYSA-N

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  hafnium bis(tert-butoxide)-bis(dimethylaminoethoxide) 、 氧气 以 正辛烷 为溶剂， 生成 hafnium(IV) oxide
  参考文献：
  名称：

  HfO[sub 2] 薄膜用于来自工程醇盐和酰胺基 MOCVD 前体的高 k 栅极氧化物应用

  摘要：

  通过液体注入金属有机化学气相沉积，LI-MOCVD，在 SiO x /Si(100) 衬底上生长厚度在 2 和 20 nm 之间的 HfO 2 薄膜。不同的单核前体（[Hf(OPr i ) 2 (tbaoac) 2 ]、[Hf(NEt 2 ) 2 (guanid) 2 ] 和 [Hf(OBu t ) 2 (dmae) 2 ] 与不同的溶剂结合进行了测试. 分析了沉积薄膜的生长速率、表面形貌、晶体结构和晶体密度与沉积温度的关系。研究了沉积后退火对致密化和结晶的影响。结构特性与电性能的相关性讨论了具有 Pt 顶部电极的金属绝缘体半导体电容器，另外还讨论了选定样品的全硅化金属栅叠层。

  DOI：

  10.1149/1.2431324