银、
锗和
锗硅合
金表面已经用惰性气体离子 Ne+、A+、Kr+ 和 Xe+ 轰击,能量在 30 到 400 ev 之间。在 Heil 型振荡电子源中获得了介于 1 到 10 μa/cm2 之间的初级光束强度。在 5.5 英寸半径的 180° 质谱仪中识别并记录溅射出的二次粒子、中性离子以及正离子和负离子。它们部分是吸附在表面的背景气体,部分是样品特征的原子和分子。在后一种粒子中,中性粒子的数量比作为正离子发射的粒子多约 100 倍。相当低的产率(每 100 个具有 400 ev 能量的入射离子大约有一个样品原子)和相对较高的阈值能量(40-50 ev,光束和表面之间的角度为 30°)被认为是由于表面污染。延迟电位测量表明,超过 80% 的溅射粒子具有小于 5 ev 的初始能量。经过...