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antimony tri-β-aminoethoxide | 90603-72-8

中文名称
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中文别名
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英文名称
antimony tri-β-aminoethoxide
英文别名
Tris(2-aminoethyl) stiborite
antimony tri-β-aminoethoxide化学式
CAS
90603-72-8
化学式
C6H18N3O3Sb
mdl
——
分子量
301.977
InChiKey
PHWILXNDRNPWCN-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
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  • SDS
  • 制备方法与用途
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  • 反应信息
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  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    -2.1
  • 重原子数:
    13
  • 可旋转键数:
    9
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    106
  • 氢给体数:
    3
  • 氢受体数:
    6

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    antimony butoxideC.I.酸性橙108 以 further solvent(s) 为溶剂, 生成 antimony tri-β-aminoethoxide
    参考文献:
    名称:
    摘要:
    The growth kinetics of oxide films on silicon and gallium arsenide substrates were studied, using alkyl and alkoxide metalorganic precursors (triethylantimony, tripropylantimony, antimony butoxide, and antimony tri-beta-aminoethoxide). The effect of thermal annealing on the microstructure and properties of the films was examined. Analysis of the deposition kinetics, composition, and properties of the films demonstrates that metalorganic chemical vapor deposition in an oxidizing atmosphere, using antimony butoxide or triethylantimony as a precursor, enables the growth of insulating layers on Si and GaAs at low temperatures (130-300degreesC).
    DOI:
    10.1023/a:1015861418396
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