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3,3'-(5-butyl-2,4,6-trioxo-[1,3,5]triazinane-1,3-diyl)-bis-propionic acid | 2428-00-4

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
3,3'-(5-butyl-2,4,6-trioxo-[1,3,5]triazinane-1,3-diyl)-bis-propionic acid
英文别名
3-[3-Butyl-5-(2-carboxyethyl)-2,4,6-trioxo-1,3,5-triazinan-1-yl]propanoic acid
3,3'-(5-butyl-2,4,6-trioxo-[1,3,5]triazinane-1,3-diyl)-bis-propionic acid化学式
CAS
2428-00-4
化学式
C13H19N3O7
mdl
——
分子量
329.31
InChiKey
NKQCQQPBFFRGLA-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    -0.4
  • 重原子数:
    23
  • 可旋转键数:
    9
  • 环数:
    1.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.62
  • 拓扑面积:
    136
  • 氢给体数:
    2
  • 氢受体数:
    7

文献信息

  • Polymer for organic bottom anti-reflective coating and bottom anti-reflective coatings comprising the same
    申请人:SK Innovation Co., Ltd.
    公开号:US11435667B2
    公开(公告)日:2022-09-06
    Provided are a polymer for an organic bottom anti-reflective coating and a bottom anti-reflective coating composition containing the same. More specifically, provided are a polymer for an organic bottom anti-reflective coating capable of relieving reflection of exposure light and irradiation light on a substrate of a photoresist layer applied on the substrate in a lithographic process of manufacturing a semiconductor device, and a bottom anti-reflective coating composition containing the same.
    本发明提供了一种用于有机底部防反射涂层的聚合物和一种含有该聚合物的底部防反射涂层组合物。更具体地说,本发明提供了一种用于有机底部防反射涂层的聚合物,该聚合物能够缓解在制造半导体器件的光刻工艺中涂敷在基底上的光刻胶层的曝光光和照射光在基底上的反射,还提供了一种含有该聚合物的底部防反射涂层组合物。
  • Polymer for Organic Bottom Anti-Reflective Coating and Bottom Anti-Reflective Coating Composition Containing the Same
    申请人:SK Innovation Co., Ltd.
    公开号:US20200264509A1
    公开(公告)日:2020-08-20
    Provided are a polymer for an organic bottom anti-reflective coating and a bottom anti-reflective coating composition containing the same. More specifically, provided are a polymer for an organic bottom anti-reflective coating capable of relieving reflection of exposure light and irradiation light on a substrate of a photoresist layer applied on the substrate in a lithographic process of manufacturing a semiconductor device, and a bottom anti-reflective coating composition containing the same.
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