tris-(N,N′-diisopropyl-2-dimethylamido-guanidinato)-indium(III) | 1341127-41-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 英文名称: tris-(N,N′-diisopropyl-2-dimethylamido-guanidinato)-indium(III)
• 英文别名: (N,N-dimethyl-N'-propan-2-ylcarbamimidoyl)-propan-2-ylazanide;indium(3+)
• CAS: 1341127-41-0
• 化学式: C₂₇H₆₀InN₉
• 分子量: 625.654
• InChiKey: POKOYHIFGCBTQN-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.9
• 重原子数：
  37
• 可旋转键数：
  9
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.89
• 拓扑面积：
  49.8
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  tris-(N,N′-diisopropyl-2-dimethylamido-guanidinato)-indium(III) 以 neat (no solvent, gas phase) 为溶剂， 生成 indium(III) oxide
  参考文献：
  名称：

  Chemical vapour deposition of In2O3 thin films from a tris-guanidinate indium precursor

  摘要：

  通过简便的高产率合成了一种新的均配升华胍(III)胍(In[(NiPr)2CNMe2]3 (1))。结晶的化合物1是P空间群；a = 10.5989(14) Å， b = 11.0030(15) Å，c = 16.273(2) Å，α = 91.190(2)°，β = 96.561(2)°，γ = 115.555(2)°；R = 3.50%；在密封 NMR 管中热分解，通过 1H NMR 显示碳二亚胺和质子化二甲胺，在 275°C 以上以空气作为反应气体的化学气相沉积实验表明，可以容易地沉积具有良好透明度的立方氧化铟。

  DOI：

  10.1039/c1dt10877h
• 作为产物：
  描述：

  indium(III) chloride 、 lithium N,N'-diisopropyl-N'',N''-dimethylguanidinate 以 乙醚 为溶剂， 生成 tris-(N,N′-diisopropyl-2-dimethylamido-guanidinato)-indium(III)
  参考文献：
  名称：

  使用InIII idi酰胺和H2O获得In2O3膜的低和宽原子层沉积窗口（150–275°C）

  摘要：

  氧化铟是许多技术上重要的薄膜的主要成分，最著名的是透明导体氧化铟锡（ITO）。尽管具有自发性，但均铟铟（III）烷基在衬底温度低于200°C的情况下仍不允许使用水作为共前驱体进行In 2 O 3的原子层沉积（ALD）。已经开发了几种替代的铟源，但是除了存在与某些基材或合金化工艺不兼容的氧化剂（例如O 2或O 3）外，没有一种允许在较低温度下进行ALD 。我们合成了一种新的铟前体，三（N，N'-二异丙基甲酰胺基）铟（III），化合物 1，允许在150–275°C温度范围内的基材上使用H 2 O作为唯一的共反应物进行纯无碳In 2 O 3膜的ALD 。相反，仅用甲基取代阴离子i PrNC（H）N i Pr配体的H （与已知的三（N，N'-二异丙基乙酰胺基氨基）铟（III）化合物2相同）可得到更高的化合物 ，与H 2 O（225–300°C）的类似反应中的ALD窗口更窄。动力学研究表明，在ALD

  DOI：

  10.1002/chem.201802317