methoxy-diphenyl-[tris(trimethylsilyl)methyl]silane | 72208-75-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: methoxy-diphenyl-[tris(trimethylsilyl)methyl]silane
• CAS: 72208-75-4
• 化学式: C₂₃H₄₀OSi₄
• 分子量: 444.912
• InChiKey: TZMWMQPAEJTFFS-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.77
• 重原子数：
  28.0
• 可旋转键数：
  7.0
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.48
• 拓扑面积：
  9.23
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  1.0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  三（三甲代甲硅烷基）甲烷 、 Diphenylmethoxyfluorosilane 生成 methoxy-diphenyl-[tris(trimethylsilyl)methyl]silane
  参考文献：
  名称：

  硅的三（三甲基硅烷基）甲基（“三烷基”）衍生物的制备

  摘要：

  用适当的卤化硅处理（Me 3 Si）3 CLi（“三基”锂，TsiLi）产生了一系列类型为（Me 3 Si）3 CSiRR'X的化合物。例如，TsiSiCl 3，TsiSiMeCl 2，TsiSiMe 2 X（X = Cl，OMe），TsiSiPh 2 X（X = F，Cl，OMe）和TsiSiPhMeH。三基对与其连接的硅的亲核位移造成很大的空间位阻，因此（除非存在一个或多个氢化物配体）在硅上不会发生大多数常见的位移。但是，LiAlH 4可以将卤化物还原为氢化物，并且氢化物可以通过致电子剂在亲电置换中转化为卤化物。甚至一种氢化物配体的存在也显着降低了阻碍，因此，例如，TsiSiPhHI与回流的甲醇反应生成TsiSiPhH（OMe）。

  DOI：

  10.1016/s0022-328x(00)87861-4

文献信息

• Photo-induced reactions of an organosilicon iodide
  作者：Colin Eaborn、Kazem D. Safa、Alfred Ritter、Werner Binder

  DOI：10.1039/c39810000175

  日期：——

  The results of u.v. irradiation of (Me3Si)CSiPh2I in MeOH, n-C6H14, CCl4 Et2O, and PhoMe are interpreted in terms of the formation of cationic as well as free-radical organosilicon intermediates.

  紫外光照射（Me 3 Si）CSiPh 2 I在MeOH，nC 6 H 14，CCl 4 Et 2 O和PhoMe中的结果解释为阳离子以及自由基有机硅中间体的形成。
• Eaborn, Colin; Safa, Kazem D.; Ritter, Alfred, Journal of the Chemical Society. Perkin transactions II, 1982, p. 1397 - 1402
  作者：Eaborn, Colin、Safa, Kazem D.、Ritter, Alfred、Binder, Werner

  DOI：——

  日期：——
• DUA S. S.; EABORN C.; HAPPER D. A. R.; HOPPER S. P.; SAFA K. D.; WALTON D+, J. ORGANOMETAL. CHEM., 1979, 178, NO 1, 75-82
  作者：DUA S. S.、 EABORN C.、 HAPPER D. A. R.、 HOPPER S. P.、 SAFA K. D.、 WALTON D+

  DOI：——

  日期：——