考虑到R 3 SnY型三烷基
锡化合物作为离子选择性组分在溶剂聚合物膜中的适用性,已经研究了其基本的分子方面。这些化合物与阴离子之间的相互作用已使用119 Sn -NMR和13 C-NMR进行了研究。中性四配位三烷基
锡化合物在均相有机相以及与
水溶液接触的膜中与Cl离子相互作用时形成带负电荷的五配位络合物。尽管在均相中,负电取代基Y决定了络合物的形成常数,但它对含有三烷基
锡载体R 3的液膜中的电位阴离子选择性没有影响。具有不同Y的SnY。观察到的选择性模式不是由均匀相中的稳定常数的大小决定的,而是由普遍的缔合-解离过程决定的,该过程导致四配位化合物由于样品组成的变化而组成发生变化,获得的结果在均相和两相系统中对四价单
锡化合物与阴离子的平衡研究的结果证实了较早的假设,即溶剂聚合物膜中掺入的三烷基
锡化合物充当阴离子的电中性载体。