[W(S₂C₂Me₂)(CO)₄] | 15133-71-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 英文名称: [W(S₂C₂Me₂)(CO)₄]
• 英文别名: [W^II(1,2-dimethylethene-1,2-dithiolate)(CO)4]；(Z)-but-2-ene-2,3-dithiolate;carbon monoxide;tungsten(2+)
• CAS: 15133-71-8
• 化学式: C₈H₆O₄S₂W
• 分子量: 414.115
• InChiKey: CAYKNOLOUYWXCD-GLUPTGNJSA-L

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.18
• 重原子数：
  15
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.25
• 拓扑面积：
  6
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  [W(S₂C₂Me₂)(CO)₄] 、 三苯基膦 生成 [W(but-2-ene-2,3-dithiolato)(PPh₃)₂(CO)₂]
  参考文献：
  名称：

  辅助配体对双（二硫代钨酸）钨络合物中二硫代氧化还原无毒度的影响

  摘要：

  [W（S 2 C 2 Me 2）2 L 1 L 2 ] n类型的一组扩展化合物（n = 0：L 1 = L 2 = CO，1 ; L 1 = L 2 = CN t Bu，2，L 1 = CO，L 2 =卡宾，3，L 1 = CO，L 2 =膦，4，L 1 = L 2 =膦，5。ñ = 2-：L1 = L 2 = CN –，[ 6 ] 2–）已经合成并表征。尽管采用了等电子形式，该化合物组仍显示出二硫代烯配体氧化还原水平的级配，如配位体内键长υCCchelate和硫K边缘X射线吸收光谱（XAS）中的上升沿能量所示。终端机系列成员1和[ 6 ] 2–之间的差异与通过与基于二硫辛烯的MO的全电子转移相关的均一的二硫辛烯络合物中观察到的差异相当。控制这些差异的关键特征是COπ*轨道的有利能量，该轨道的位置适合与钨d轨道重叠，并通过π回键对金属和二硫代烯烃配体产生氧化作用。CN - π*轨道的能量太

  DOI：

  10.1021/ic4009174

文献信息

• Aerosol-assisted chemical vapor deposition of 2H-WS2 from single-source tungsten dithiolene precursors
  作者：Ian M. Germaine、Nathaniel E. Richey、Mary B. Huttel、Lisa McElwee-White

  DOI：10.1039/d3tc03755j

  日期：——

  ligands. Aerosol-assisted chemical vapor deposition onto silicon substrates was performed using all three complexes, yielding 2H-WS2 thin films as characterized by Raman spectroscopy and GI-XRD. Film morphology and elemental composition of the films were determined using SEM, EDS, and XPS. Four-point probe measurements afforded a film resistivity of 8.37 Ωcm for a sample deposited from W(dmdt)3 in toluene

  评估了羰基二甲基二硫烯(dmdt)钨配合物W(CO) 4 (dmdt)、W(CO) 2 (dmdt) 2和W(dmdt) 3作为用于化学气相沉积WS 2的潜在单源前体。 TGA-MS、DIP-MS 和热解与 NMR 分析的结果与热分解途径一致，其中通过二硫醇配体的逆[3+2]环加成产生末端硫基配体而损失 2-丁炔。使用所有三种配合物在硅基底上进行气溶胶辅助化学气相沉积，产生通过拉曼光谱和GI-XRD表征的2H-WS 2薄膜。使用 SEM、EDS 和 XPS 测定薄膜的薄膜形态和元素组成。四点探针测量表明，在 600 °C 下由 W(dmdt) 3在甲苯中沉积的样品的薄膜电阻率为 8.37 Ωcm。