摘要:
摘要 采用电弧熔炼法制备Cr 5 B 3 型Ta 5 Si 3 相,1000℃烧结合成Cr 5 B 3 型Ta 5 Ge 3 相。X射线单晶衍射被用来阐明它们的结构。根据磁化强度测量结果,Ta 5 Si 3 和Ta 5 Ge 3 都是泡利顺磁体,其中Ta 5 Ge 3 在低温下表现出类似Currie-Weiss 的顺磁行为,这可能是由于顺磁杂质的存在。Ta 5 Si 3 和 Ta 5 Ge 3 在 2 到 300 K 之间都显示出非常低的电阻率。电阻率在 20 K 以下是恒定的,但在 20 K 以上显示出正温度系数。 使用 TB-LMTO-ASA 进行电子结构计算方法支持两相的金属特性,并表明两相中的键合得到了优化。