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N,N'-ditrityl-L-cystine dimethyl ester | 18598-60-2

中文名称
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中文别名
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英文名称
N,N'-ditrityl-L-cystine dimethyl ester
英文别名
N,N'-Ditrityl-L-cystin-dimethylester;N.N'-Bis-trityl-L-cystin-dimethylester;N.N'-Ditrityl-L-cystin-dimethylester
<i>N</i>,<i>N</i>'-ditrityl-L-cystine dimethyl ester化学式
CAS
18598-60-2
化学式
C46H44N2O4S2
mdl
——
分子量
752.998
InChiKey
SGKGQJIIVFZGSU-COCZKOEFSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
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计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    8.61
  • 重原子数:
    54.0
  • 可旋转键数:
    17.0
  • 环数:
    6.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.17
  • 拓扑面积:
    76.66
  • 氢给体数:
    2.0
  • 氢受体数:
    8.0

上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

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文献信息

  • Growth of electromigration-induced hillocks in Al interconnects
    作者:J. A. Nucci、A. Straub、E. Bischoff、E. Arzt、C. A. Volkert
    DOI:10.1557/jmr.2002.0394
    日期:2002.10

    Electromigration-induced hillock growth in polycrystalline Al segments was extensively investigated. Hillocks composed of columnar grains grew near the anode by epitaxial Al addition at the interface between the Al and underlying TiN layer, which pushed up the original Al film. The hillocks rotated away from their initial (111) out-of-plane orientation in a manner consistent with the physical rotation of the hillock surface. Wedgelike and rounded hillocks were observed, and their formation is explained by the interaction between grain extrusion and grain growth. Trends elucidated by review of both thermal- and electromigration-induced hillock studies can be explained by the mechanisms identified in this work.

    对多晶铝片中电迁移诱导的丘状生长进行了广泛研究。由柱状晶粒组成的小丘在阳极附近生长,是通过在铝和底层 TiN 层之间的界面上外延添加铝来实现的,这推高了原始铝膜。小丘从最初的 (111) 面外取向旋转开来,其旋转方式与小丘表面的物理旋转一致。我们观察到了楔形和圆形小丘,它们的形成可以用晶粒挤压和晶粒生长之间的相互作用来解释。通过对热诱导和电迁移诱导的小丘研究的回顾所阐明的趋势可以用本研究中确定的机制来解释。
  • <b>On Cysteine and Cystine Peptides. I. New S-Protecting Groups for Cysteine</b>
    作者:Leonidas. Zervas、Iphigenia. Photaki
    DOI:10.1021/ja00879a019
    日期:1962.10
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