bis-(triethyl silyl) tellane | 14846-56-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: bis-(triethyl silyl) tellane
• 英文别名: hexaethyl-disilatellane；(Et3Si)2Te；Bis-triaethylsilyl-tellurid；Bis-triaethylsilyl-tellur；Bis-triethylsilyl-tellur；Hexaethyldisiltelluran；Bis(triethyl-silyl)tellane；triethyl(triethylsilyltellanyl)silane
• CAS: 14846-56-1
• 化学式: C₁₂H₃₀Si₂Te
• 分子量: 358.141
• InChiKey: UFXARUACVXZQOQ-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  97-99 °C(Press: 1 Torr)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.7
• 重原子数：
  15
• 可旋转键数：
  8
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  bis-(triethyl silyl) tellane 在 1,2-二溴乙烷 作用下， 生成 三乙基溴硅烷
  参考文献：
  名称：

  Bochkarev,M.N. et al., Journal of general chemistry of the USSR, 1969, vol. 39, p. 122 - 127

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Alternative Precursors for the Synthesis of Binary Sb ₂ E ₃ and Bi ₂ E ₃ (E = S, Se, Te) Nanoparticles by the Hot Injection Method
  作者：Monika Rusek、Georg Bendt、Christoph Wölper、Stephan Schulz

  DOI：10.1002/ejic.201600490

  日期：2016.8

  Intramolecularly stabilized Sb(OCH2CH2NMe2)3 (1) and Bi(OCH2CH2NMe2)3 (2) readily react with (Me3Si)2S and (Et3Si)2E (E = Se, Te) at moderate temperatures (hot injection method) with elimination of the corresponding silyl ether and subsequent formation of the group 15 chalcogenides Sb2E3 and Bi2E3, which were characterized by XRD, SEM, and energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX). In addition, the

  分子内稳定的 Sb(OCH2CH2NMe2)3 (1) 和 Bi(OCH2CH2NMe2)3 (2) 在中等温度下容易与 (Me3Si)2S 和 (Et3Si)2E (E = SE, Te) 反应，消除了相应的甲硅烷基醚和随后形成的第 15 族硫属元素 Sb2E3 和 Bi2E3，通过 XRD、SEM 和能量色散 X 射线光谱 (EDX) 对其进行表征。此外，通过单晶XRD确定了1的固态结构。
• Synthesis of Bi₂Te₃and (Bi_xSb_1−x)₂Te₃nanoparticles using the novel IL [C₄mim]₃[Bi₃I₁₂]
  作者：M. Loor、G. Bendt、U. Hagemann、C. Wölper、W. Assenmacher、S. Schulz

  DOI：10.1039/c6dt02361d

  日期：——

  The novel Bi-containing reactive ionic liquid [C4mim]3[Bi3I12], which was synthesized in quantitative yield by equimolar reaction of BiI3 and [C4mim]I, was used as a novel Bi-source for the ionothermal synthesis of Bi2Te3 nanoparticles by reaction with (Et3Si)2Te in the ionic liquid [C4mim]I. The solid state structure of [C4mim]3[Bi3I12] was determined by single crystal X-ray diffraction. In addition

  通过BiI 3和[C 4 mim] I的等摩尔反应以定量收率合成的新型含Bi反应性离子液体[C 4 mim] 3 [Bi 3 I 12 ]被用作新型Bi-离子源。通过与离子液体[C 4 mim] I中的（Et 3 Si）2 Te反应电热合成Bi 2 Te 3纳米粒子。通过单晶X射线衍射测定[C 4 mim] 3 [Bi 3 I 12 ]的固态结构。另外，电热合成的单源前体（Et 2 Sb）2 Te和[C 4 mim] 3 [Bi 3 I 12 ]产生三元（Bi x Sb 1- x）2 Te 3（x = 0.25，0.5，0.75）纳米粒子。通过EDX和XRD确定了四水ite型材料的化学组成和相纯度，并通过IR和XPS进一步研究了纳米颗粒的表面组成。另外，通过SEM和TEM研究了纳米颗粒的形态。
• Wet-chemical synthesis of different bismuth telluride nanoparticles using metal organic precursors – single source vs. dual source approach
  作者：Georg Bendt、Anna Weber、Stefan Heimann、Wilfried Assenmacher、Oleg Prymak、Stephan Schulz

  DOI：10.1039/c5dt02072g

  日期：——

  Thermolysis of metal organicsingle sourceanddual source precursorsyielded phase-pure Bi_xTe_ynanoparticles at low temperatures.

  金属有机单源和双源前体的热解产生了低温下相纯的Bi_xTe_y纳米颗粒。
• Atomic Layer Deposition of Metal Tellurides and Selenides Using Alkylsilyl Compounds of Tellurium and Selenium
  作者：Viljami Pore、Timo Hatanpää、Mikko Ritala、Markku Leskelä

  DOI：10.1021/ja8090388

  日期：2009.3.18

  germanium antimony telluride (GST) has been attempted only using plasma-assisted processes owing to the lack of appropriate tellurium precursors. In this paper we make a breakthrough in the development of new ALD precursors for tellurium and selenium. Compounds with a general formula (R3Si)2Te and (R3Si)2Se react with various metal halides forming the corresponding metal tellurides and selenides. As

  金属硒化物和碲化物薄膜的原子层沉积 (ALD) 一直受到限制，因为缺乏同时安全且表现出 ALD 所需的高反应性的前体。然而，有许多重要的金属硒化物和碲化物薄膜材料通过 ALD 沉积可能是有益的，例如用于太阳能电池的 CuInSe2 和用于相变随机存取存储器的 Ge2Sb2Te5。特别是在后一种情况下，ALD 提供的高度保形沉积对于高存储密度至关重要。到目前为止，由于缺乏合适的碲前体，只能使用等离子体辅助工艺尝试对碲化锗锑 (GST) 进行 ALD。在本文中，我们在碲和硒的新 ALD 前体的开发方面取得了突破。具有通式 (R3Si)2Te 和 (R3Si)2Se 的化合物与各种金属卤化物反应形成相应的金属碲化物和硒化物。例如，我们展示了 Sb2Te3、GeTe 和 GST 薄膜可以使用 (Et3Si)2Te、SbCl3 和 GeCl2 x C4H8O2 化合物作为前体通过 ALD 沉积。所有三种前体都表现出典型的饱和
• Facile solution routes for the syntheses of GeTe nanocrystals
  作者：Myeong Ho Kim、Gajendra Gupta、Jinkwon Kim

  DOI：10.1039/c2ra21790b

  日期：——

  Solution-based synthetic routes are attractive strategies for synthesizing GeTe materials, because they have the potential to impart morphology control on the crystallites and permit liquid-based processing of films and patterned structures. Two liquid phase reaction systems for GeTe nanoparticles (NPs) have been studied using GeCl2·dioxane and trioctylphosphine-tellurium (TOP-Te) in oleylamine (OLA) as solvent and reducing agent and using GeCl2·dioxane and (Et3Si)2Te in trioctylphosphine oxide (TOPO) without the use of any reducing agent. The morphology of the GeTe powders had a strong dependence on the Te source and reaction medium. The SEM image of NPs obtained by the reaction of GeCl2·dioxane and (Et3Si)2Te reveals that with an increase in reaction time (2, 10, 15 and 30 min), the size of the NPs increases and their shape becomes uniform. However, it is interesting to observe that after 30 min, the morphology of the nanoparticles was maintained even after longer reaction times i.e., the duration of heating had no pronounced influence on the size and morphology of the nanocrystals after a particular period of time. Reaction with TOP-Te leads to the formation of irregular GeTe nanocrystals through the so called Ostwald-ripening process. However, with (Et3Si)2Te as Te source, a ligand exchange reaction mechanism has been proposed leading to the formation of well-dispersed GeTe nanoparticles of uniform shape.

  基于溶液的合成路线是合成 GeTe 材料的诱人策略，因为它们有可能对晶体进行形态控制，并允许对薄膜和图案结构进行液基加工。以油胺（OLA）中的 GeCl2-二氧六环和三辛基膦-碲（TOP-Te）为溶剂和还原剂，以及在不使用任何还原剂的情况下，以三辛基氧化膦（TOPO）中的 GeCl2-二氧六环和 (Et3Si)2Te 为溶剂和还原剂，研究了 GeTe 纳米粒子（NPs）的两种液相反应体系。GeTe 粉末的形态与 Te 源和反应介质有很大关系。由 GeCl2-二氧六环和 (Et3Si)2Te 反应得到的 NPs 的扫描电镜图像显示，随着反应时间（2、10、15 和 30 分钟）的增加，NPs 的尺寸增大，形状变得均匀。然而，值得注意的是，在 30 分钟后，即使反应时间更长，纳米粒子的形态仍能保持不变，也就是说，在特定时间段后，加热时间的长短对纳米晶体的大小和形态没有明显影响。与 TOP-Te 反应会通过所谓的 Ostwald-ripening 过程形成不规则的 GeTe 纳米晶体。然而，以 (Et3Si)2Te 作为 Te 源，配体交换反应机制被提出，从而形成了分散良好、形状均匀的 GeTe 纳米粒子。