高性能热电薄膜的制备具有挑战性。在此,我们报告了使用单源前驱体,即乙基黄原酸
铋( III )制备形态可控的
硫化
铋 (Bi 2 S 3 ) 薄膜的制备、表征和热电性能。使用这种前体,可以快速且经济地制备室温热电薄膜。我们获得了本征Bi 2 S 3薄膜,其在室温下具有14.23 S cm -1 的电导率和-388.33 μV K -1 的塞贝克系数,这与块体Bi 2 S 3相当. 此外,通过采用成分工程方法实现
锑(Sb)掺杂固溶体,可以实现更高的塞贝克系数,其中可以控制声子散射和位错密度。通过调整薄膜中Sb的摩尔分数,我们进一步将塞贝克系数提高到-516.35 μV K -1,将功率因数提高到170.10 μW m -1 K -2,固溶体为(Bi 0.97 Sb 0.03 ) 2 S 3. 因此,
硫族化物成分工程协议可以成为制备用于薄膜热电应用的目标半导体的通用方法,这可能会拓宽热电薄膜在微电子器件领域的应用。