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ethyltellurodiethylstibane | 143765-05-3

中文名称
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中文别名
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英文名称
ethyltellurodiethylstibane
英文别名
——
ethyltellurodiethylstibane化学式
CAS
143765-05-3
化学式
C6H15SbTe
mdl
——
分子量
336.535
InChiKey
HTPHDINBOOSIKF-UHFFFAOYSA-M
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    2.16
  • 重原子数:
    8.0
  • 可旋转键数:
    4.0
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    0.0
  • 氢给体数:
    0.0
  • 氢受体数:
    0.0

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    ethyltellurodiethylstibane 反应 1.0h, 生成 antimony telluride
    参考文献:
    名称:
    안티몬-텔루륨 단일 전구체, 이의 제조방법 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법
    摘要:
    该专利涉及一种用化学式1至化学式3中的任一表示的锑-碲单一前体,所述锑-碲单一前体具有改善的热稳定性和挥发性,并且在薄膜制备过程中无需额外添加碲,从而可以形成包含高质量锑-碲的薄膜的优点。【化学式1】【化学式2】【化学式3】(在上述化学式中,R1、R2、R3、R4分别是独立的C1-C10线性或支链烷基基团,或C6-C16芳香环。)
    公开号:
    KR101567936B1
  • 作为产物:
    参考文献:
    名称:
    Antimony sources for MOCVD. The use of Et4Sb2 as a p-type dopant for Hg1−xCdxTe and crystal structure of the adduct [Et4Sb2 · 2CdI2]n
    摘要:
    Tetraethyldistibine, Et4Sb2, a new antimony source for MOCVD is evaluated. It is shown to be a useful and safe dopant feedstock for low temperature growth of p-type Hg1-xCdxTe. Attempted purification of Et4Sb2 by adduct formation with CdI2 resulted in isolation of a polymeric chain adduct [Et4Sb2 . 2CdI2]n (1). The structure of 1 has been determined by X-ray crystallography and consists of chains of iodide-bridged Et4Sb2 . 2CdI2 units which have CdI2 bonded to each antimony atom. Antimony and two iodine atoms form a trigonal planar arrangement around cadmium, and two weak axial bonds to the iodide atoms of adjacent units give distorted trigonal bipyramidal coordination to cadmium. The distibine molecules display a skew configuration of the ethyl substituents. The Sb(II)-Sb(II) and Sb(II)-Cd(II) distances are 2.784(2) and 2.822(2) angstrom. respectively. Dropwise addition of Me2Cd to Et4Sb2 in the absence of solvent gave an insoluble 1:1 adduct. Et4Sb2 reacts with Te but not with Cd or Hg.
    DOI:
    10.1016/0022-328x(93)80116-s
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文献信息

  • The assessment of some SbTe single-source compounds for MOCVD applications
    作者:Ron S. Dickson、Kerryn D. Heazle
    DOI:10.1016/0022-328x(94)05327-8
    日期:1995.5
    Et2SbTeEt involved the reaction of Et2SbBr with EtTeLi. The compounds are light sensitive, and some of them cannot be obtained pure because of facile radical decomposition or reverse dissociation to the corresponding R4E2 and R′2Te2. Thermal degradation of Et2SbTeEt in a hydrogen stream under conventional MOCVD condition gives a metal deposit containing Sb and Te in the ratio 1.6:1. The related compound
    通过Et 4 Sb 2,Me 4 Sb 2或Et 4 As 2与i Pr 2 Te 2或Et 2 Te的反应制备了新的化合物Et 2 SbTeEt,Me 2 SbTeEt,Et 2 SbTe i Pr和Et 2 AsTeEt。2。到的Et替代路线2 SbTeEt涉及的Et反应2SbBr与EtTeLi。的化合物是光敏感的,并且它们中的一些不能因为容易自由基分解或反向解离成相应的R来获得纯的4 ë 2和R' 22。在常规MOCVD条件下,Et 2 SbTeEt在氢气流中的热降解产生了比例为1.6:1的Sb和Te的属沉积物。相关化合物的Et 2 SbTeSbEt 2分发生反应用H 2在室温下,得到属和推测HSbEt 2。
  • Syntheses and Solid‐State Structures of Et <sub>2</sub> SbTeEt and Et <sub>2</sub> BiTeEt
    作者:Stefan Heimann、Andreas Kuczkowski、Dieter Bläser、Christoph Wölper、Rebekka Haack、Georg Jansen、Stephan Schulz
    DOI:10.1002/ejic.201402471
    日期:2014.10
    AbstractDiethylstibanyl‐ and diethylbismuthanyl telluranes Et2MTeEt (M = Sb 1, Bi 2) as well as tBu3Sb (3) were structurally characterized by single‐crystal X‐ray diffraction. Single crystals of 13 were grown by using an IR‐laser‐assisted technique. Compounds 1 and 2 form short intermolecular E···Te interactions in the solid state, which were further investigated with dispersion‐corrected density functional theory.
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