lithium trimethylsilylcyclopentadienide

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: lithium trimethylsilylcyclopentadienide
• 英文别名: lithium trimethylsilylcyclopentadienyl；trimethylsilylcyclopentadienyllithium；lithium;cyclopenta-1,4-dien-1-yl(trimethyl)silane
• 化学式: C₈H₁₃Si*Li
• 分子量: 144.218
• InChiKey: AOUOEDAWAKONTD-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.05
• 重原子数：
  10
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.38
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  lithium trimethylsilylcyclopentadienide 生成 Methoxy-dimethyl-(1-methyl-cyclopenta-2,4-dienyl)-silane
  参考文献：
  名称：

  6,6-二甲基-6-silafulvene的产生和捕获

  摘要：

  烯丙基环戊二烯基二甲基硅烷和1-二甲基甲氧基甲硅烷基-1-三甲基甲硅烷基环戊二烯的流热解得到6，6-二甲基-6-硅氟烷，将其截留或使其二聚。

  DOI：

  10.1016/0040-4039(81)80026-3

文献信息

• Homoleptic and Heteroleptic Gallium(III) Compounds Containing Monosubstituted Cyclopentadienyl Ligands:  Ga(C₅H₄Me)₃, Ga(C₅H₄SiMe₃)₃, and R₂Ga(C₅H₄Me) (R = Me, Et)
  作者：O. T. Beachley、Michael T. Mosscrop

  DOI：10.1021/om0005304

  日期：2000.10.1

  The new gallium(III) cyclopentadienyl derivatives Ga(C5H4Me)3 and Ga(C5H4SiMe3)3 have been synthesized by metathetical reactions. Subsequent stoichiometric ligand redistribution reactions with GaR3 (R = Me, Et) were used to prepare R2Ga(C5H4Me) as pure single compounds. However, when the syntheses of RGa(C5H4Me)2 (R = Me, Et) and MenGa(C5H4SiMe3)3-n (n =1, 2) by analogous stoichiometric ligand redistribution

  通过复分解反应合成了新的镓（III）环戊二烯基衍生物Ga（C 5 H 4 Me）3和Ga（C 5 H 4 SiMe 3）3。随后与GaR 3（R = Me，Et）进行化学计量配体再分布反应，以制备纯净的单一化合物R 2 Ga（C 5 H 4 Me）。但是，当合成RGa（C 5 H 4 Me）2（R = Me，Et）和Me n Ga（C 5 H 4 SiMe 3）3时-通过类似的化学计量配体再分布反应研究了n（ n = 1，2），化合物的混合物为分离的产物。通过在戊烷中使用Me 2 GaCl和Li（C 5 H 4 Me）之间以及在Cl 2 Ga（C 5 H 4之间）之间的易位反应，还可以高收率制备杂配有机镓化合物Me 2 Ga（C 5 H 4 Me）。Me），由Ga（C 5 H 4 Me） 3和GaCl 3原位形成在乙醚和LiMe中。所有纯化合物均已通过其物理性质，元素分析，NMR光谱和冰冻分子量分析进行了表征。
• Beyond Takai's Olefination Reagent: Persistent Dehalogenation Emerges in a Chromium(III)‐μ ₃ ‐Methylidyne Complex
  作者：Simon Trzmiel、Jan Langmann、Daniel Werner、Cäcilia Maichle‐Mössmer、Wolfgang Scherer、Reiner Anwander

  DOI：10.1002/anie.202106608

  日期：2021.9

  with alkali-metal cyclopentadienides generates isostructural half-sandwich chromium(III)-μ3-methylidynes [CpR3Cr3(μ2-Cl)3(μ3-CH)] (CpR=C5H5, C5Me5, C5H4SiMe3). Side and decomposition products of the Cl/CpR exchange reactions were identified and structurally characterized for [Cr4(μ2-Cl)4(μ2-I)2(μ4-O)(thf)4] and [(η5-C5H4SiMe3)CrCl(μ2-Cl)2Li(thf)2]. The Cl/CpR exchange drastically changed the ambient-temperature

  CHI 3与六当量的 CrCl 2在 THF 中低温反应得到 [Cr 3 Cl 3 (μ 2 -Cl) 3 (μ 3 -CH)(thf) 6 ] 作为第一个可分离的高产率 Cr III μ 3 -亚甲基络合物。通过盐复分解用碱金属环戊二烯化物取代末端氯配体，生成同构半夹心铬(III)-μ 3 -亚甲基[Cp R 3 Cr 3 (μ 2 -Cl) 3 (μ 3 -CH)] (Cp R ＝C 5 H 5 、C 5 Me 5 、C 5 H 4 SiMe 3 )。鉴定了 Cl/Cp R交换反应的副产物和分解产物，并对其结构进行了表征 [Cr 4 (μ 2 -Cl) 4 (μ 2 -I) 2 (μ 4 -O)(thf) 4 ] 和 [(η 5 -C 5 H 4 SiMe 3 )CrCl(μ 2 -Cl) 2 Li(thf) 2 ]。 Cl/Cp R交换极大地改变了环境温度有效磁矩μ eff从9.30/9
• Subvalent group 14 metal compounds-XIII. Oxidative addition reactions of germanium and tin amides M(NR2)2 (R = SiMe3, M = Ge OR Sn) with sulphur, selenium, tellurium or MeOOCCCCOOMe; X-ray structures of [Ge(NR2)2(μ-Te)]2 and
  作者：Peter B. Hitchcock、Hatam A. Jasim、Michael F. Lappert、Wing-Por Leung、Audesh K. Rai、Rosemary E. Taylor

  DOI：10.1016/s0277-5387(00)86096-9

  日期：1991.1

  [GeN(SiMe3)}22(μ-Te)]2 (3) and 7,by single crystal X-ray diffraction. Some selected geometric parameters are as follows. 3: Ge-N 1.86(1), Ge-Te 2.595(2), Si—N 1.76(2) Å; TeGeTe′ 94.38(6), GeTeGe′ 85.59(6)°. 7: (MeO)C-C(OMe) 1.40(2), CC—C(OMe) 1.36(2), MeOCO-Sn 2.125(9), Sn-C 2.07(1), Sn-N 2.031(9), Si-N 1.75(1)Å. Each of the compounds Sn(η-C5H4R)(NR2) (8) and Sn(η-C5H3R2-1,3)(NR2) (9) was obtained in a mixture with

  锗和锡的二价酰胺M（NR 2）2（R = SiMe 3，M = Ge或Sn）容易与硫族元素（E）或MeOOCCCCOOMe反应生成适当的金属（IV）氧化加成产物[M（ NR 2）2（μ-E）] n（E = S，Se或Te）（1-6）或（7）。每个化合物1–7均已通过微分析和NMR光谱进行了表征，其中两个化合物[Ge N（SiMe 3）} 2 2（μ-Te）] 2（3）和7均通过单晶X射线表征衍射。一些选定的几何参数如下。3：Ge-N 1.86（1），Ge-Te 2.595（2），Si-N 1.76（2）Å；TeGeTe'94.38（6），GeTeGe'85.59（6）°。7：（MeO）CC（OMe）1.40（2），CC-C（OMe）1.36（2），MeOCO-Sn 2.125（9），Sn-C 2.07（1），Sn-N 2.031（9），Si -N 1.75（1）Å。各化合物的Sn（η-C
• Cadmium and Mercury Complexes Containing Trinuclear Titanium Imido‐Nitrido Metalloligands
  作者：Avelino Martín、Miguel Mena、Adrián Pérez‐Redondo、Carlos Yélamos

  DOI：10.1002/ejic.201100888

  日期：2011.12

  bis(trimethylsilyl)amine elimination. Treatment of 1 with mercury(II) iodide in toluene gave the adduct [I2Hg(μ3-NH)3Ti3(η5-C5Me5)3(μ3-N)}] (9), which reacted with [KN(SiMe3)2}] to afford [Hg(μ3-N)2Ti3(η5-C5Me5)3(μ-NH)(μ3-N)}]2 (10) through the amido mercury intermediate [(Me3Si)2N}Hg(μ3-N)Ti3(η5-C5Me5)3(μ-NH)2(μ3-N)}] (11). Compound 11 and the analogous alkyl derivative [(Me3SiCH2)Hg(μ3-N)Ti3(η5-C5Me5)3(μ-NH)2(μ3-N)}]

  三核亚氨基-氮化钛配合物 [Ti(η5-C5Me5)(μ-NH)}3(μ3-N)] (1) 与镉和汞衍生物反应制备了几种异金属氮化物配合物。在甲苯中用二氯化镉或二碘化镉处理 1 得到加合物 [X2Cd(μ3-NH)3Ti3(η5-C5Me5)3(μ3-N)}][X = Cl (2), I (3)]。配合物 2 在甲苯中与锂试剂 [LiR] 反应得到立方型衍生物 [RCd(μ3-N)(μ3-NH)2Ti3(η5-C5Me5)3(μ3-N)}] [R = CH2SiMe3 ( 4), C≡CSiMe3 (5), C5H4(SiMe3) (6), N(SiMe3)2 (7)]。酰胺络合物 7 与 1 当量反应。1 得到角共享双立方体复合物 [Cd(μ3-N)(μ3-NH)2Ti3(η5-C5Me5)3(μ3-N)}2] (8) 通过双（三甲基甲硅烷基）胺消除。在甲苯中用碘化汞 (II) 处理
• Chemical vapor deposition precursors for deposition of tantalum-based materials
  申请人：Advanced Technology Materials, Inc.

  公开号：US06989457B2

  公开（公告）日：2006-01-24

  Tantalum precursors suitable for chemical vapor deposition of tantalum-containing material, e.g., tantalum, TaN, TaSiN, etc., on substrates. The tantalum precursors are substituted cyclopentadienyl tantalum compounds. In one aspect of the invention, such compounds are silylated to constitute tantalum/silicon source reagents. The precursors of the invention are advantageously employed in semiconductor manufacturing applications to form diffusion barriers in connection with copper metallization of the semiconductor device structure.

  适用于在基板上进行化学气相沉积的钽前体，例如钽、TaN、TaSiN等含钽材料。这些钽前体是取代的环戊二烯基钽化合物。在发明的一个方面，这些化合物被硅化以构成钽/硅源试剂。该发明的前体在半导体制造应用中得到有利地应用，用于在半导体器件结构的铜金属化过程中形成扩散屏障。