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N,N',N'',N'''-Tetracyclopentylsilanetetramine | 923560-85-4

中文名称
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中文别名
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英文名称
N,N',N'',N'''-Tetracyclopentylsilanetetramine
英文别名
N-tris(cyclopentylamino)silylcyclopentanamine
N,N',N'',N'''-Tetracyclopentylsilanetetramine化学式
CAS
923560-85-4
化学式
C20H40N4Si
mdl
——
分子量
364.65
InChiKey
OJGMXNNTTHXSPA-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    3.55
  • 重原子数:
    25
  • 可旋转键数:
    8
  • 环数:
    4.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    48.1
  • 氢给体数:
    4
  • 氢受体数:
    4

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    环戊胺四氯化硅 作用下, 以 乙醚 为溶剂, 反应 6.0h, 以94%的产率得到N,N',N'',N'''-Tetracyclopentylsilanetetramine
    参考文献:
    名称:
    Si(c-C5H9NH)4 的合成、表征、热性能及其作为 SiC 薄膜 CVD 前驱体的潜力
    摘要:
    硅 (IV) 酰胺 Si(c-C5H9NH)4 (1) 合成并通过 1H、13C 和 29Si NMR 光谱、EI-MS、元素分析和 X 射线衍射表征。还研究了其热稳定性和挥发性。使用 1 作为单一前驱体通过低压化学气相沉积 (LPCVD) 工艺在低至 600 °C 的温度下沉积了通过 SEM、AFM、XRD 和 XPS 表征的生长薄膜。结果表明,硅 (IV) 酰胺可以成为用于沉积低温 SiC 薄膜的有前途的单一前驱体。
    DOI:
    10.1002/zaac.201500143
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