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bis(trimethylsilylmethyl)arsine | 101860-05-3

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
bis(trimethylsilylmethyl)arsine
英文别名
Arsine, bis[(trimethylsilyl)methyl]-;bis(trimethylsilylmethyl)arsane
bis(trimethylsilylmethyl)arsine化学式
CAS
101860-05-3
化学式
C8H23AsSi2
mdl
——
分子量
250.363
InChiKey
BPEBFIYHRDNOEZ-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    3.01
  • 重原子数:
    11
  • 可旋转键数:
    4
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    0
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    0

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    三(苯基)镓烷bis(trimethylsilylmethyl)arsine正己烷 为溶剂, 以38%的产率得到bis([bis(trimethylsilylmethyl)arsino]diphenylgallane)
    参考文献:
    名称:
    二{双[[双(三甲基甲硅烷基甲基)亚砷基]二苯基gal烷}二聚体的合成和晶体结构
    摘要:
    由(Me 3 SiCH 2)2 AsH与Ph 3 Ga反应制得的二聚体[(Me 3 SiCH 2)2 AsGaPh 2 ] 2已通过部分元素分析,NMR光谱,低温分子量测定和完整的单晶X射线分析。的二聚物的晶体是三斜晶系,空间群P,具有一个10.541(1),b 11.939(1),Ç 10.539(1)埃,α99.72(1),β83.00(1),γ114.55(1)°,ü 1187.1埃3和ž = 1.键长(GaAs2.518(1)和GaAs'2.530(1)Å)和键角(AsGaAs'85.08(2)和GaAsGa'94.92(2)中心对称且因此为平面的四元环中的°)表示明显的应变程度。
    DOI:
    10.1016/s0022-328x(00)99726-2
  • 作为产物:
    描述:
    chlorobis(trimethylsilylmethyl)arsine 在 盐酸 作用下, 以 为溶剂, 反应 48.0h, 以86%的产率得到bis(trimethylsilylmethyl)arsine
    参考文献:
    名称:
    二{双[[双(三甲基甲硅烷基甲基)亚砷基]二苯基gal烷}二聚体的合成和晶体结构
    摘要:
    由(Me 3 SiCH 2)2 AsH与Ph 3 Ga反应制得的二聚体[(Me 3 SiCH 2)2 AsGaPh 2 ] 2已通过部分元素分析,NMR光谱,低温分子量测定和完整的单晶X射线分析。的二聚物的晶体是三斜晶系,空间群P,具有一个10.541(1),b 11.939(1),Ç 10.539(1)埃,α99.72(1),β83.00(1),γ114.55(1)°,ü 1187.1埃3和ž = 1.键长(GaAs2.518(1)和GaAs'2.530(1)Å)和键角(AsGaAs'85.08(2)和GaAsGa'94.92(2)中心对称且因此为平面的四元环中的°)表示明显的应变程度。
    DOI:
    10.1016/s0022-328x(00)99726-2
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文献信息

  • Wells, Richard L.; Purdy, Andrew P.; Pitt, Colin G., Phosphorus, Sulfur and Silicon and the Related Elements, 1991, vol. 57, # 1/2, p. 1 - 3
    作者:Wells, Richard L.、Purdy, Andrew P.、Pitt, Colin G.
    DOI:——
    日期:——
  • PITT, C. G.;PURDY, A. P.;HIGA, K. T.;WELLS, R. L., ORGANOMETALLICS, 1986, 5, N 6, 1266-1268
    作者:PITT, C. G.、PURDY, A. P.、HIGA, K. T.、WELLS, R. L.
    DOI:——
    日期:——
  • Synthesis and crystal structure of the dimer bis{[bis(trimethylsilylmethyl)arsino]diphenylgallane}
    作者:Richard L. Wells、Andrew P. Purdy、Andrew T. McPhail、Colin G. Pitt
    DOI:10.1016/s0022-328x(00)99726-2
    日期:1986.7
    The dimer [(Me3SiCH2)2AsGaPh2]2, obtained from the reaction of (Me3SiCH2)2AsH with Ph3Ga, has been characterized by partial elemental analysis, NMR spectroscopy, cryoscopic molecular weight determination, and complete single-crystal X-ray analysis. Crystals of the dimer are triclinic, space group P, with a 10.541(1), b 11.939(1), c 10.539(1) Å, α 99.72(1), β 83.00(1), γ 114.55(1)°, U 1187.1 Å3 and
    由(Me 3 SiCH 2)2 AsH与Ph 3 Ga反应制得的二聚体[(Me 3 SiCH 2)2 AsGaPh 2 ] 2已通过部分元素分析,NMR光谱,低温分子量测定和完整的单晶X射线分析。的二聚物的晶体是三斜晶系,空间群P,具有一个10.541(1),b 11.939(1),Ç 10.539(1)埃,α99.72(1),β83.00(1),γ114.55(1)°,ü 1187.1埃3和ž = 1.键长(GaAs2.518(1)和GaAs'2.530(1)Å)和键角(AsGaAs'85.08(2)和GaAsGa'94.92(2)中心对称且因此为平面的四元环中的°)表示明显的应变程度。
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