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三(乙基环戊二烯基)钇 | 476364-59-7

中文名称
三(乙基环戊二烯基)钇
中文别名
——
英文名称
Y(EtCp)3
英文别名
tris(ethylcyclopentadienyl)yttrium;Tris(ethylcyclopentadienyl) yttrium;5-ethylcyclopenta-1,3-diene;yttrium(3+)
三(乙基环戊二烯基)钇化学式
CAS
476364-59-7
化学式
C21H27Y
mdl
——
分子量
368.351
InChiKey
QQUAAKQORFUMJF-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    5.9
  • 重原子数:
    22
  • 可旋转键数:
    3
  • 环数:
    3.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.29
  • 拓扑面积:
    0
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    3

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    三(乙基环戊二烯基)钇 以 neat (no solvent) 为溶剂, 生成 yttrium(III) oxide
    参考文献:
    名称:
    使用三(乙基环戊二烯基)钇前体和水蒸气在硅上原子层沉积 Y[sub 2]O[sub 3] 膜
    摘要:
    通过原子层沉积 (ALD),使用新的前体三(乙基环戊二烯基)钇和水蒸气作为氧化剂在硅上沉积氧化钇膜。薄膜生长动力学已经在不同的反应器条件下进行了检查,并且生长饱和从前体剂量依赖性是显而易见的。薄膜厚度随沉积循环次数线性增加,在最佳 ALD 条件下产生 1.7 ± 0.1 A/循环的增长率。将反应器温度从 200°C 提高到 400°C,生长速率逐渐增加,在 250-285°C 范围内有一个狭窄的温度平台。Y 2 O 3 薄膜的 X 射线光电子能谱分析表明薄膜是化学计量的,没有碳污染的迹象,
    DOI:
    10.1149/1.2929825
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文献信息

  • US2023/40334
    申请人:——
    公开号:——
    公开(公告)日:——
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