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cyclopentadienyl-propyl-cyclopentadienylruthenium(II) | 371193-63-4

中文名称
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中文别名
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英文名称
cyclopentadienyl-propyl-cyclopentadienylruthenium(II)
英文别名
cyclopenta-1,3-diene;5-propylcyclopenta-1,3-diene;ruthenium(2+)
cyclopentadienyl-propyl-cyclopentadienylruthenium(II)化学式
CAS
371193-63-4
化学式
C13H16Ru
mdl
——
分子量
273.34
InChiKey
NWOVCBFXZVTQNQ-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    None
  • 重原子数:
    None
  • 可旋转键数:
    None
  • 环数:
    None
  • sp3杂化的碳原子比例:
    None
  • 拓扑面积:
    None
  • 氢给体数:
    None
  • 氢受体数:
    None

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    cyclopentadienyl-propyl-cyclopentadienylruthenium(II) 在 O2 作用下, 以 neat (no solvent) 为溶剂, 生成
    参考文献:
    名称:
    使用环戊二烯基-丙基环戊二烯基钌 (II) 和氧气对 Ru 薄膜进行金属有机化学气相沉积
    摘要:
    使用环戊二烯基-丙基-环戊二烯基钌(II)前体和O 2 通过金属有机化学气相沉积制备Ru薄膜。研究了成核和沉积行为、Ru/TiN 界面处薄膜表面反应的热稳定性以及 Ru 薄膜的应力。在所有沉积条件下,薄膜均由单相金属 Ru 组成,电阻率低至 12 μΩ cm。Ru薄膜的氧含量可以忽略不计。因此,在 N 2 气氛下在 600°C 退火后,Ru 和 TiN 之间的界面没有改变。然而,较差的成核性能尤其是在SiO 2 表面上导致粗糙的表面形态。发现随着沉积温度和生长速率的增加,Ru薄膜的应力降低。
    DOI:
    10.1149/1.1471547
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