copper silicide

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: copper silicide
• 英文别名: Copper;silane
• 化学式: Cu₅Si
• 分子量: 345.816
• InChiKey: ZTENZVCNQKPSKA-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.46
• 重原子数：
  6
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  copper(l) chloride 、 copper silicide 生成 铜 、 四氯化硅
  参考文献：
  名称：

  CuCl 与 Si、Cu3Si 或 Cu5Si 粉末反应的比较动力学研究

  摘要：

  摘要 已尝试通过热重法 (TG) 研究 CuCl 与 Si、Cu3Si 或 Cu5Si 之间的反应动力学。对于这三个系统，确定在真空下 240-290°C 范围内的 TG 动力学受成核生长机制控制，三个系统的活化能约为 140 kJ mol-1。还讨论了反应时间和温度对质量变化的影响，特别强调了 Si2Cl6 的存在。

  DOI：

  10.1016/0040-6031(90)87021-4
• 作为产物：
  描述：

  四氯化硅 、 铜 在 氢气 作用下， 以 gas 为溶剂， 生成 copper silicide
  参考文献：
  名称：

  Hydrodehalogenation of chlorosilanes in the presence of metal silicides: experimental studies of gas and solid phase composition related to thermodynamic calculations

  摘要：

  热力学计算表明，与实验研究结果一致，过渡金属在 600-1200 K 的 H2-SiCl4 气氛中会发生反应，生成金属硅化物。随着温度的升高，化学计量学将向硅含量更高的硅化物方向变化。原位形成的硅化物既是催化剂，也是 SiCl4 加氢反应生成硅烷的硅源。根据硅化物的形成焓，可以将硅化物的形成系统化。

  DOI：

  10.1039/ft9959103879

文献信息

• Reactivity of Cu3Si of different genesis towards copper(I) chloride
  作者：H Souha、F Bernard、E Gaffet、B Gillot

  DOI：10.1016/s0040-6031(00)00365-8

  日期：2000.6

  Abstract A comparative study of the reactivity between copper(I) chloride and three types of Cu 3 Si obtained in a molten medium (Cu 3 Si-Ref) and from mechanical activation following an annealing process (Cu 3 Si-M2AP) or a self-propagating high-temperature synthesis (Cu 3 Si-MASHS) was performed by thermogravimetry under vacuum using non-isothermal and isothermal methods of kinetic measurement. It

  摘要 对氯化铜 (I) 与在熔融介质中获得的三种类型 Cu 3 Si (Cu 3 Si-Ref) 和退火过程后的机械活化 (Cu 3 Si-M2AP) 或自-传播高温合成（Cu 3 Si-MASHS）是在真空下使用非等温和等温动力学测量方法通过热重法进行的。已经确定，对于三个 Cu 3 Si/CuCl 系统，在 145-215°C 温度范围内的加速和衰减阶段非常接近于 Prout-Tompkins 类型的方程，其中提出了自催化过程。Cu 3 Si-MASHS/CuCl 系统获得的表观活化能较低（63 kJ mol -1 对 68 和 78 kJ mol -1 Cu 3 Si-M2AP 和 Cu 3 Si-Ref，
• Comparative kinetic study of the reactions between CuCl and Si, Cu3Si or Cu5Si powders
  作者：H. Souha、G. Weber、B. Gillot

  DOI：10.1016/0040-6031(90)87021-4

  日期：1990.11

  Abstract Attempts have been made to study the kinetics of the reactions between CuCl and Si, Cu3Si or Cu5Si by thermogravimetry (TG). For the three systems it is established that the kinetics of TG in the range 240–290 ° C under vacuum are governed by a nucleation-growth mechanism with an activation energy of about 140 kJ mol−1 for the three systems. The effect of the reaction time and of the temperature on

  摘要 已尝试通过热重法 (TG) 研究 CuCl 与 Si、Cu3Si 或 Cu5Si 之间的反应动力学。对于这三个系统，确定在真空下 240-290°C 范围内的 TG 动力学受成核生长机制控制，三个系统的活化能约为 140 kJ mol-1。还讨论了反应时间和温度对质量变化的影响，特别强调了 Si2Cl6 的存在。
• Koether, S.; Bohmhamel, K.; Acker, J., Zeitschrift fur Anorganische und Allgemeine Chemie
  作者：Koether, S.、Bohmhamel, K.、Acker, J.、Roever, I.

  DOI：——

  日期：——
• ——
  作者：E. A. Turenko、O. B. Yatsenko

  DOI：10.1023/a:1014710530668

  日期：——

  Thin copper silicide films were produced on single-crystal silicon by plasma synthesis via liquid-phase magnetron sputtering. The interaction of high-energy Cu ions with the negatively biased substrate was C C, C, shown to play a key role in the synthesis of copper silicides. The effects of the deposition time and copper ion energy on the structure, phase composition, and electrical properties of the resulting films were studied.
• Weber, Guy; Viale, Dominique; Souha, Hammou, Comptes rendus de l'Academie des sciences. Serie II, Mecanique, physique, chimie, sciences de l'univers, sciences de la terre, 1988, vol. 307, p. 1155 - 1162
  作者：Weber, Guy、Viale, Dominique、Souha, Hammou、Gillot, Bernard

  DOI：——

  日期：——