nickel germanide | 12519-21-0

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: nickel germanide
• 英文别名: Germane--nickel (1/1)；germane;nickel
• CAS: 12519-21-0
• 化学式: GeNi
• 分子量: 131.28
• InChiKey: PZZSMQLYOKLJHF-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.45
• 重原子数：
  2
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  铌 、 nickel germanide 在 rubidium 作用下， 生成
  参考文献：
  名称：

  来自不涉及铌的元素混合物中的含铌砷化物和锗化物：固态合成中一个老问题的新变种。

  摘要：

  三种同构的过渡金属砷化物和锗化物，即铌镍砷化物，Nb 0.92（1）作为密封铌容器中高温反应的意外副产物，获得了NiAs，砷化铌钴NbCoAs和锗化铌镍NbNiGe。除了首次报告从单晶X射线衍射数据中提炼的标题化合物的结构外，本文还提醒人们，铌容器可能不适合通过以下方法合成三价砷化物和锗化物传统的高温反应。在这种条件下，涉及碱金属或碱土金属，过渡金属或过渡后早期金属以及第14或15组元素的合成工作可能会产生含Nb的产物，有时可能是此类反应的主要产物。

  DOI：

  10.1107/s2053229618005739
• 作为产物：
  描述：

  锗烷 、 镍 以 melt 为溶剂， 反应 240.0h， 生成 nickel germanide
  参考文献：
  名称：

  Ho-Ni-Ge系统：等温截面和新的稀土镍锗化物

  摘要：

  通过X射线衍射和微探针分析研究了Ho-Ni-Ge系统在1070 K和高达60 at％Ho的情况下的情况。除了八种已知化合物外，HoNi 5 Ge 3（YNi 5 Si 3型），HoNi 2 Ge 2（CeAl 2 Ga 2型），Ho 2 NiGe 6（Ce 2 CuGe 6型），HoNiGe 3（SmNiGe 3）型），HoNi 0.2÷0.6 Ge 2（CeNiSi 2型），Ho 37÷34 Ni 6÷24 Ge 57÷42（AlB 2型），HoNiGe（TiNiSi型），Ho 3 NiGe 2（La 3 NiGe 2型），三元体系包含四个新化合物：Ho 3 Ni 11 Ge 4（Sc 3 Ni 11 Ge 4型），HoNi 3 Ge 2（ErNi 3 Ge 2型），Ho 3 Ni 2 Ge 3（Hf 3 Ni 2 Si 3型）和〜Ho 5 Ni 2 Ge 3（结构未知）。Ho 2 Ni

  DOI：

  10.1016/j.jssc.2014.12.025
• 作为试剂：
  描述：

  水 在 nickel germanide 、 potassium hydroxide 作用下， 生成 氢气 、 氧气
  参考文献：
  名称：

  轻松获得活性 γ-NiOOH 电催化剂，用于源自金属间镍锗化物前体的持久水氧化

  摘要：

  识别具有增强催化活性和稳定性的析氧反应（水氧化 OER）的新型预催化剂是实现化学能转化的关键策略。金属间相的巨大化学空间为发现具有改进性能的 OER 电催化剂提供了大量的机会。在此，我们报告了金属间锗化镍 (NiGe) 作为 OER 的活性优异且耐用的镍基电（预）催化剂。它是由分子双（亚甲锗烷基）-Ni 前体产生的。与最先进的 Ni-、Co-、 Fe-和基准 NiFe 基电催化剂在相同的碱性 OER 条件下。与碱性 OER 条件下的其他镍基金属间催化剂相比，NiGe 意外地电转化为带有OH - /CO 3 2−插层的 γ-Ni III OOH ，这是一种高活性结构，如各种非原位方法所示。准原位拉曼光谱。

  DOI：

  10.1002/anie.202014331

文献信息

• Factors influencing glass formation in rapidly solidified Si,Ge–Ni and Si,Ge–Ni–Nd alloys
  作者：Dmitri V. Louzguine、Larissa V. Louzguina、Akihisa Inoue

  DOI：10.1063/1.1457522

  日期：2002.3.4

  capabilities of binary Si,Ge–Ni and ternary Si,Ge–Ni–Nd alloys. The addition of Nd caused the formation of an amorphous single phase in the Ge–Ni–Nd alloy. The structure and crystallization behavior of the amorphous alloy were studied by differential scanning calorimetry and x-ray diffractometry. No amorphous phase formed in any of the Nd-free alloys or in the Si–Ni–Nd alloy. The higher glass-forming

  在这封信中，我们比较了二元 Si、Ge-Ni 和三元 Si、Ge-Ni-Nd 合金的玻璃形成能力。Nd 的添加导致 Ge-Ni-Nd 合金中非晶单相的形成。通过差示扫描量热法和X射线衍射法研究了非晶合金的结构和结晶行为。在任何无 Nd 合金或 Si-Ni-Nd 合金中都没有形成非晶相。与 Si-Ni-Nd 相比，Ge-Ni-Nd 合金具有更高的玻璃形成能力无法根据广泛使用的几何和化学因素、粘度或扩散数据进行解释。电子结构特征的重要性被认为是一个原因。
• Simultaneous growth of Ni5Ge3 and NiGe by reaction of Ni film with Ge
  作者：F. Nemouchi、D. Mangelinck、C. Bergman、G. Clugnet、P. Gas、J. L. Lábár

  DOI：10.1063/1.2358189

  日期：2006.9.25

  The reaction between nanometric Ni films and Ge is analyzed using isothermal x-ray diffraction measurements and transmission electron microscopy. It is found that NiGe is formed during deposition at room temperature. The metal rich phase that grows during heat treatment has been clearly identified to be Ni5Ge3. The simultaneous growths of Ni5Ge3 and NiGe have been observed on amorphous and polycrystalline

  使用等温 X 射线衍射测量和透射电子显微镜分析纳米 Ni 膜和 Ge 之间的反应。发现在室温下沉积期间形成NiGe。在热处理过程中生长的富金属相已被明确确定为 Ni5Ge3。在非晶和多晶锗上观察到 Ni5Ge3 和 NiGe 同时生长。这与薄膜中报道的通常顺序生长形成对比。
• Pfisterer, H.; Schubert, K., Zeitschrift fur Metallkunde, 1950, vol. 41, p. 358 - 367
  作者：Pfisterer, H.、Schubert, K.

  DOI：——

  日期：——
• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Ni: MVol.B1, 44, page 124 - 126
  作者：

  DOI：——

  日期：——
• The incommensurately modulated , , solid solution: The ‘missing link’ between the NiP and MnP structure types
  作者：A.-K. Larsson、F.J. García-García、R.L. Withers

  DOI：10.1016/j.jssc.2007.01.006

  日期：2007.3

  The (3 + 1)-d incommensurately modulated structures of four members of the NiGe1-xPx solid solution field have been successfully refined from X-ray powder diffraction data (R-w(all)/R-wp = 2.13/3.92; 1,52/4.25; 1.27/3.44 and 2.00/4.03 for x = 0.4, 0.5, 0.6 and 0.7, respectively). The 4-d superspace group symmetry is Amam(00 gamma)s 0 0 (Z = 4; a = 5.0468(2), 5.0188(2), 4.9796(2) and 4.9651 (1) angstrom; b = 6.0636(3), 6.0576(2), 6.0183(2) and 6.0031(1) angstrom; c = 3.4877(2), 3.4812(2), 3.4593(1) and 3.45442(7) angstrom; gamma = 0.7769(2), 0.7467(1) 0.7241(1) and 0.7046(1) for x = 0.4, 0.5, 0.6 and 0.7, respectively). The underlying average structure is of NiAs type while the (in general) incommensurate primary modulation wave-vector, gamma c*, varies continuously and smoothly with composition. The two largest amplitude displacive atomic modulation functions (AMFs), for all samples, were the Ni displacement along b AMF and the Ge/P displacement along a AMF. The refined amplitude of the former was found to systematically increase with P content from 0.215 angstrom for NiGe0.6R0.4 to 0.294 angstrom for NiGe0.3R0.7 while the magnitude of the latter was found to increase with P content from 0.177 angstrom for NiGe0.6P0.4 to 0.253 angstrom for NiGe0.3P0.7. These displacive shifts significantly modulate the local crystal chemistry i.e. the local interatomic distances and co-ordination polyhedra. This continuously variable, incommensurately modulated, intermediate structure type is shown to provide a natural link or bridge between the two extreme end-member structures i.e. NiGe (of MnP structure type) and NiP by simply choosing the commensurate options with gamma = 1 and (1)/(2) respectively. (c) 2007 Elsevier Inc. All rights reserved.