germanium telluride

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: germanium telluride
• 英文别名: Germane tellane；germane;tellane
• 化学式: GeTe
• 分子量: 200.19
• InChiKey: XGFIWEZOORNSLD-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -2.37
• 重原子数：
  2.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  二苯甲酮 、 germanium telluride 生成 4',4'-diphenyl-2'-(2,2,6,6-tetramethylpiperidino)spiro{fluorene-9,3'-{1,2}oxaboretane}
  参考文献：
  名称：

  Glaser, Bernhard; Noeth, Heinrich, Angewandte Chemie, 1985, vol. 97, p. 424 - 425

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  锗烷 、 碲化氢 以 melt 为溶剂， 反应 30.0h， 生成 germanium telluride
  参考文献：
  名称：

  Ge20SeyTe80−y 红外玻璃的热行为（y 高达 8 at.%）

  摘要：

  摘要 利用DSC、XRD、拉曼光谱和红外显微镜研究了富含Te的Ge 20 Se y Te 80−y 红外硫属化物玻璃（y高达8 at.%）。玻璃化转变、结晶和熔化现象的彻底非等温热动力学表征根据粒径进行。Tool-Narayanaswamy-Moynihan 模型成功地用于描述结构松弛过程；然后根据拉曼光谱检测到的特征结构单元的结构变化和运动来解释弛豫参数的组成演变。成核-生长 Johnson-Mehl-Avrami 模型和经验自催化模型用于描述 DSC 结晶数据的复杂动力学。基于XRD和显微分析，揭示了以下结晶机制：六方Te（表面定位）的初始成核-生长沉淀，然后是菱面体GeTe的本体定位自催化生长；在较高 Se 含量的情况下，在高温下会额外形成 Ge-Te-Se 晶相。为增加 Se 含量而确定的更高玻璃稳定性可能与结晶过程的部分抑制有关，但初始 Te 沉淀仍然存在，然而，一旦 Se 含量达到~4

  DOI：

  10.1016/j.jallcom.2016.04.165

文献信息

• Low temperature synthesis of binary chalcogenides
  作者：N. Yellin、L. Ben-Dor

  DOI：10.1016/0025-5408(83)90059-4

  日期：1983.7

  Abstract Synthesis of tellurides and selenides of Hg, Cd, Zn, Ge, Sn and Pb at temperatures considerably below the melting point of the compounds, was studied. The reaction went to completion within a few days.

  摘要 研究了在远低于化合物熔点的温度下合成 Hg、Cd、Zn、Ge、Sn 和 Pb 的碲化物和硒化物。反应在几天内完成。
• New criteria for the applicability of combustion synthesis: The investigation of thermodynamic and kinetic processes for binary Chemical Reactions
  作者：Xiaoming Tan、Xianli Su、Yonggao Yan、Ctirad Uher、Qingjie Zhang、Xinfeng Tang

  DOI：10.1016/j.jallcom.2020.158465

  日期：2021.4

  Combustion synthesis is a novel technique that utilizes the exothermic heat of a chemical reaction to maintain the reaction and to rapidly prepare materials. But, hitherto, none of unified criterion for the validation of combustion synthesis has been proposed. Herein, we proposed the conditions need to be met. In terms of kinetics, at the adiabatic temperature (Tad), the diffusion distance of atoms

  燃烧合成是一种利用化学反应的放热来维持反应并快速制备材料的新技术。但是，迄今为止，尚未提出用于验证燃烧合成的统一标准。在此，我们提出了需要满足的条件。就动力学而言，在绝热温度（T ad）下，原子的扩散距离（升Ť广告）在0.1 s内应大于反应物的粒径（d）， 那是， 升Ť广告≥d。对于满足T ad / T m，L的系统≥1（其中T m，L是反应物的低熔点成分的熔点），液相的存在将原子的扩散距离从纳米显着增加到数十微米，从而成为标准升Ť广告≥d简化为T ad / T m，L≥在大多数情况下为1。在热力学方面，系统需要确保反应成分处于激活状态，即T ad / T m，H ≥0.7，其中T m，H是高熔点组分的熔点。本研究提出的SHS反应标准进一步提高了对SHS反应的理论理解，并为探索二元和多组分化合物的超快合成提供了指导。
• Thermal behavior of Ge20SeyTe80−y infrared glasses (for y up to 8 at.%)
  作者：Roman Svoboda、Daniela Brandová、Jiří Málek

  DOI：10.1016/j.jallcom.2016.04.165

  日期：2016.9

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• Atomic Layer Deposition of Metal Tellurides and Selenides Using Alkylsilyl Compounds of Tellurium and Selenium
  作者：Viljami Pore、Timo Hatanpää、Mikko Ritala、Markku Leskelä

  DOI：10.1021/ja8090388

  日期：2009.3.18

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  金属硒化物和碲化物薄膜的原子层沉积 (ALD) 一直受到限制，因为缺乏同时安全且表现出 ALD 所需的高反应性的前体。然而，有许多重要的金属硒化物和碲化物薄膜材料通过 ALD 沉积可能是有益的，例如用于太阳能电池的 CuInSe2 和用于相变随机存取存储器的 Ge2Sb2Te5。特别是在后一种情况下，ALD 提供的高度保形沉积对于高存储密度至关重要。到目前为止，由于缺乏合适的碲前体，只能使用等离子体辅助工艺尝试对碲化锗锑 (GST) 进行 ALD。在本文中，我们在碲和硒的新 ALD 前体的开发方面取得了突破。具有通式 (R3Si)2Te 和 (R3Si)2Se 的化合物与各种金属卤化物反应形成相应的金属碲化物和硒化物。例如，我们展示了 Sb2Te3、GeTe 和 GST 薄膜可以使用 (Et3Si)2Te、SbCl3 和 GeCl2 x C4H8O2 化合物作为前体通过 ALD 沉积。所有三种前体都表现出典型的饱和
• Realizing <i>zT</i> of 2.3 in Ge ₁₋ <i> _x </i> ₋ <i> _y </i> Sb <i> _x </i> In <i> _y </i> Te via Reducing the Phase‐Transition Temperature and Introducing Resonant Energy Doping
  作者：Min Hong、Zhi‐Gang Chen、Lei Yang、Yi‐Chao Zou、Matthew S. Dargusch、Hao Wang、Jin Zou

  DOI：10.1002/adma.201705942

  日期：2018.3

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