我们报告了一系列 Si(μ-X)AnF3 (An = Th, U; X = H, F) 与
硅 -
锕系 (IV) 单键和意想不到的多自由基特征形成稀有三线态亚甲
硅烷的络合物。这些桥接分子是通过激光烧蚀的
铀和
钍原子与
氟化
硅的反应在微观尺度上制备的,并从
氩和氖基质中的红外光谱和相对论量子
化学计算中识别出来。为了比较,进行了
铀与
CF4 和
CHF3 反应的类似氖基质实验。我们的密度泛函理论计算表明,具有 U(IV) 氧化态的 Si-U 单键物种 Si(μ-X)UF3 (X = H, F) 和 H 或 F 的准前桥
配体是最稳定的在所有异构体中,而天真预期的具有 U(VI) 氧化态的三键物种 XSi≡UF3 和具有 U(V) 氧化态的双键物种 XSi(•)=(•)UF3 的能量明显更高。还发现来自与 XSiF3 反应的类似
钍产物更喜欢具有 Si-Th 单键和桥连 H 或 F
配体的 Si(μ-X)ThF3