cadmium(II) selenide

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: cadmium(II) selenide
• 英文别名: cadmium selenide
• 化学式: CdSe
• 分子量: 191.37
• InChiKey: MGLBHNDSYWIJRS-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.92
• 重原子数：
  2.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  cadmium(II) selenide 在 巯基乙胺 作用下， 以 not given 为溶剂， 生成 selenium
  参考文献：
  名称：

  Preparation of Single-crystalline Selenium Nanowires in the Presence of Ethylenediaminetetramethylenephosphonic Acid

  摘要：

  以 2-巯基乙胺贫化的硒化镉纳米粒子为硒源，乙二胺四亚甲基膦酸为螯合剂，合成了硒纳米线。通过 X 射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨率透射电子显微镜和紫外-可见分光光度法对产品进行了表征。结果表明，硒纳米线是沿六方晶格[001]方向生长的单晶体。光学测量结果表明，相对于六方硒体而言，硒纳米线出现了蓝移，而光带边可能是由于六方硒晶体内链间的相互作用造成的。

  DOI：

  10.1246/cl.2006.330
• 作为产物：
  描述：

  Cd(SePh)2 以 neat (no solvent, solid phase) 为溶剂， 以97%的产率得到cadmium(II) selenide
  参考文献：
  名称：

  The preparation of large semiconductor clusters via the pyrolysis of a molecular precursor

  摘要：

  DOI：

  10.1021/ja00193a079
• 作为试剂：
  描述：

  3-(2-溴乙基)吲哚 、 三氟甲烷磺酰氯 在 cadmium(II) selenide 、 dipotassium hydrogenphosphate 作用下， 以 乙腈 为溶剂， 反应 1.0h， 以69%的产率得到3-(2-Bromoethyl)-2-(trifluoromethyl)-1H-indole
  参考文献：
  名称：

  探索选择性三氟甲基化中 Cd-硫族化物光催化剂的结构和性能

  摘要：

  由于催化剂的经济性和可重复使用性，非均相光氧化还原催化领域已经大幅增长并影响了有机合成。该研究报告了用 Cd-硫族化物半导体进行自由基三氟甲基化。Cd 半导体，特别是 CdSe，是容易获得的、商业化的、可见光响应的、异质光催化剂。容易获得的 Cd 半导体，尤其是 CdSe 的潜力，通过在可见光下通过加成、环化和脱羧作用，提高了对各种底物（如（杂）芳烃和乙烯基酰胺/酸）三氟甲基化的光催化活性得到证实。通过生物活性分子的可扩展合成以及随后的催化剂再利用，也突出了该策略的经济意义。而且，

  DOI：

  10.1021/acscatal.1c04053

文献信息

• Experimental Determination of the Absorption Cross-Section and Molar Extinction Coefficient of CdSe and CdTe Nanowires
  作者：Vladimir Protasenko、Daniel Bacinello、Masaru Kuno

  DOI：10.1021/jp066034w

  日期：2006.12.1

  solution-based CdSe and CdTe nanowires (NWs) are determined. Chemically grown semiconductor NWs are made via a recently developed solution-liquid-solid (SLS) synthesis, employing low melting Au/Bi bimetallic nanoparticle "catalysts" to induce one-dimensional (1D) growth. Resulting wires are highly crystalline and have diameters between 5 and 12 nm as well as lengths exceeding 10 microm. Narrow diameters, below

  确定了基于溶液的CdSe和CdTe纳米线（NWs）的吸收截面和相应的摩尔消光系数。化学生长的半导体NW是通过最近开发的溶液-液体-固体（SLS）合成方法制成的，采用低熔点Au / Bi双金属纳米颗粒“催化剂”诱导一维（1D）生长。所得的线是高度结晶的，并且直径在5至12nm之间，并且长度超过10微米。窄直径（低于每种材料的相应大体积激子玻尔半径的两倍）将CdSe和CdTe NW置于其各自的中等至弱约束范围内。支持这一点的是NW集成体的溶液线性吸收光谱，显示出相对于体带隙的蓝移以及较高能量下的结构。对于CdSe，导线在整体和单导线级显示出带边缘发射以及强烈的吸收/发射极化各向异性。在最近开发的CdSe NW光电探测器中已经测量了类似的光电流极化各向异性。为了进一步支持基础的西北光学/电气研究并促进其在设备应用中的使用，使用相关的透射电子显微镜，紫外/可见消光光谱和电感耦合等离子体原子发射光谱
• Characterization of Cadmium Selenide Electrodeposited from Diethylene Glycol Solution Containing Tri‐n‐Butylphosphine Selenide
  作者：Brian W. Sanders、Michael Cocivera

  DOI：10.1149/1.2100619

  日期：1987.5.1

  Thin film cadmium selenide has been prepared by a new electrochemical process in which the film is deposited at the cathode from a nonaqueous solution containing tri-n-butylphosphine selenide as the selenium source. The films are found to be less dense than those prepared using selenosulfite ion. The as-deposited films appear free of cracks and pinholes when deposited on titanium, but cracks develop

  薄膜硒化镉是通过一种新的电化学工艺制备的，其中薄膜从含有硒化三正丁基膦作为硒源的非水溶液沉积在阴极上。发现这些薄膜的密度低于使用硒代亚硫酸盐离子制备的薄膜。当沉积在钛上时，沉积的薄膜看起来没有裂纹和针孔，但在薄膜退火时会产生裂纹。在 0.4V 电位范围内获得薄膜的化学计量组成。在各种条件下制备的薄膜的功率转换效率范围为 1.0% 至 4.2% 的表面积。1.0 厘米/升 2/。沉积溶液中高浓度氯离子的存在似乎对薄膜的组成或光响应几乎没有影响。
• Mechanistic Study of Precursor Evolution in Colloidal Group II−VI Semiconductor Nanocrystal Synthesis
  作者：Haitao Liu、Jonathan S. Owen、A. Paul Alivisatos

  DOI：10.1021/ja0656696

  日期：2007.1.1

  reaction mechanism is proposed where trialkylphsophine chalcogenides deoxygenate the oleic acid or phosphonic acid surfactant to generate trialkylphosphine oxide and oleic or phosphonic acid anhydride products. Results from kinetics experiments suggest that cleavage of the phosphorus chalcogenide double bond (TOP=E) proceeds by the nucleophilic attack of phosphonate or oleate on a (TOP=E)-M complex, generating

  使用 1H、13C 和 31P NMR 光谱和质谱研究了胶体 II-VI 族半导体纳米晶体合成中前体演化的分子机制。三正丁基膦硫属化物（TBPE；E = S、Se、Te）在非配位溶剂（十八碳烯 (ODE)、n-壬烷-d20 或正癸烷-d22)，得到 ME 纳米晶体、三正丁基氧化膦 (TBPO) 和油酸酐 ((OA)2O)。同样，三烷基硒化膦与正十八烷基膦酸镉复合物 (Cd-ODPA) 在三正辛基氧化膦 (TOPO) 中的反应产生 CdSe 纳米晶体、三烷基氧化膦和正十八烷基膦酸酐。在 Cd-OA 和 Cd-ODPA 存在下三正辛基膦硒化物的消失可以拟合为单指数衰减 (kobs = (1.30 +/- 0.08) x 10-3 s-1, Cd-ODPA ，260 摄氏度，kobs = (1.51 +/- 0.04) x 10-3 s-1，Cd-OA，117 摄氏度）。在无水条件下 TOPSe
• Dynamic Distribution of Growth Rates within the Ensembles of Colloidal II−VI and III−V Semiconductor Nanocrystals as a Factor Governing Their Photoluminescence Efficiency
  作者：Dmitri V. Talapin、Andrey L. Rogach、Elena V. Shevchenko、Andreas Kornowski、Markus Haase、Horst Weller

  DOI：10.1021/ja0123599

  日期：2002.5.1

  ensembles of colloidally grown II-VI and III-V semiconductor nanocrystals was studied. A drastic difference in the photoluminescence efficiencies of size-selected fractions was observed for both organometallically prepared CdSe and InAs colloids and for CdTe nanocrystals synthesized in aqueous medium, indicating a general character of the phenomenon observed. The difference in the photoluminescence efficiencies

  研究了胶体生长的 II-VI 和 III-V 半导体纳米晶体的集合内的特性分布。对于有机金属制备的 CdSe 和 InAs 胶体以及在水性介质中合成的 CdTe 纳米晶体，观察到尺寸选择部分的光致发光效率存在显着差异，表明所观察到的现象的一般特征。光致发光效率的差异归因于源自奥斯特瓦尔德成熟生长机制的纳米晶体的不同平均表面无序，当整体中较大的颗粒以溶解较小颗粒为代价生长时。在生长的任何阶段，生长胶体纳米晶体整体中只有一小部分颗粒具有最完美的表面，因此，显示出最有效的光致发光。这可以通过描述胶体溶液中纳米晶体整体演化的理论模型来解释。在生长的纳米晶体的集合中，具有最高光致发光的颗粒部分对应于具有几乎为零的平均生长速率的颗粒尺寸。在任何给定的反应条件下，较小的平均增长率导致表面无序程度尽可能低。
• Energetic and Entropic Contributions to Self-Assembly of Binary Nanocrystal Superlattices: Temperature as the Structure-Directing Factor
  作者：Maryna I. Bodnarchuk、Maksym V. Kovalenko、Wolfgang Heiss、Dmitri V. Talapin

  DOI：10.1021/ja103083q

  日期：2010.9.1

  also provides a convenient tool for directing self-assembly of nanocrystals toward desired superlattice structures. We found that temperature strongly affects the structures of binary superlattices self-assembled from the mixtures of CdSe + PbS nanocrystals and PbSe + Pd nanocrystals. In the former case, small Hamaker constants for CdSe and PbS nanocrystals led to a relatively simple phase diagram, including

  我们研究了温度对单分散胶体纳米晶体自组装成单组分和二元超晶格的影响。温度作为内能 (U) 和熵 (S) 对亥姆霍兹自由能 F = U - TS 贡献的加权因子，允许在纳米晶体形成过程中调整粒子间相互作用和自由体积熵的相对权重超晶格。温度还提供了一种方便的工具，用于将纳米晶体的自组装导向所需的超晶格结构。我们发现温度强烈影响由 CdSe + PbS 纳米晶体和 PbSe + Pd 纳米晶体的混合物自组装的二元超晶格的结构。在前一种情况下，CdSe 和 PbS 纳米晶体的小 Hamaker 常数导致相对简单的相图，仅包括高密度 NaZn(13)-、AlB(2)- 和 NaCl 型二元超晶格。相比之下，PbSe 和 Pd 纳米晶体在不同温度下自组装的二元超晶格显示出许多低密度复杂相，这些相通过 Pd 纳米晶体之间的强局部范德华相互作用稳定。纳米粒子超晶格的结构多样性被证明是熵驱动结晶和粒子间相互作用协同作用的结果。与超晶格形成相关的