zinc(II) phosphide

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: zinc(II) phosphide
• 英文别名: zinc phosphide；phosphane;zinc
• 化学式: P₂Zn₃
• 分子量: 258.118
• InChiKey: HYHYBSHHHWIQDS-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.11
• 重原子数：
  5
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  zinc(II) phosphide 在 boron halogenide 作用下， 生成 boron phosphide
  参考文献：
  名称：

  Cueilleron, J.; Thevenot, F., Bulletin de la Societe Chimique de France

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  磷化氢 在 氢氧化钾 、 zinc(II) sulfate 作用下， 以 二硫化碳 为溶剂， 生成 zinc(II) phosphide
  参考文献：
  名称：

  Ueber die Einwirkung des Phosphors auf Metallsalzlösungen

  摘要：

  DOI：

  10.1007/bf01362840
• 作为试剂：
  描述：

  异丙醇 在 copper dichloride zinc(II) phosphide 、 水 、 氧气 作用下， 50.0 ℃ 、100.0 kPa 条件下， 以64.5%的产率得到氢磷酸二异丙酯
  参考文献：
  名称：

  Dorfman; Ibraimova; Polimbetova, Russian Journal of Physical Chemistry, 2002, vol. 76, # 1, p. 50 - 55

  摘要：

  DOI：

文献信息

• White phosphorus and metal nanoparticles: a versatile route to metal phosphide nanoparticles
  作者：Sophie Carenco、Matthieu Demange、Jing Shi、Cédric Boissière、Clément Sanchez、Pascal Le Floch、Nicolas Mézailles

  DOI：10.1039/c0cc00684j

  日期：——

  P4 reaction with metal NPs (In, Pb, Zn) provides an easy access to the corresponding metal phosphide NPs in a soft and stoichiometric reaction. Size-influence on the reactivity is investigated in the case of indium.

  金属NPs（In、Pb、Zn）与P4反应提供了一种简便的方法，通过软质和定量反应，制备相应的金属磷化物NPs。在铟的情况下研究了尺寸对反应活性的影响。
• Sterically Encumbered Tris(trialkylsilyl) Phosphine Precursors for Quantum Dot Synthesis
  作者：Hashini B. Chandrasiri、Eun Byoel Kim、Preston T. Snee

  DOI：10.1021/acs.inorgchem.0c02440

  日期：2020.11.2

  improved, but not to the levels realized in CdSe QDs. Regardless, these reagents have other positive attributes; they are less pyrophoric and can be applied toward the synthesis of II–V semiconductors and organophosphorus compounds. Concerning safe practices, we demonstrate that ammonium bifluoride is an effective replacement for highly toxic HF for the post-treatment of III–V semiconductor quantum

  具有窄尺寸分布的纳米材料的合成具有挑战性，特别是对于III–V半导体纳米颗粒（也称为量子点）。关于磷化物，这个问题主要归因于反应过度的前体的使用。由于用于III–V半导体合成的有效试剂范围狭窄，问题变得更加严重。我们报道了在InP量子点（QD）合成中使用空间受限的三（三乙基甲硅烷基）膦和三（三丁基甲硅烷基）膦。假设是这些试剂的反应性不如近乎普遍的前体三（三甲基甲硅烷基）膦，可用于制造更均匀的材料。发现InP产品的量子产率和发射色饱和度（fwhm）有所提高，但未达到CdSe量子点中实现的水平。而不管，这些试剂还有其他积极特性；它们的自发性较低，可用于II-V半导体和有机磷化合物的合成。关于安全实践，我们证明了氟化氢可以有效替代高毒性的HF，用于III-V半导体量子点的后处理。
• Photocatalytic Arylation of P ₄ and PH ₃ : Reaction Development Through Mechanistic Insight
  作者：Robin Rothfelder、Verena Streitferdt、Ulrich Lennert、Jose Cammarata、Daniel J. Scott、Kirsten Zeitler、Ruth M. Gschwind、Robert Wolf

  DOI：10.1002/anie.202110619

  日期：2021.11.8

  studies provide significant, new insights into the mechanism of the recently reported photocatalytic arylation of white phosphorus (P4). Through the first-time observation of a series of reaction intermediates, these studies have also inspired the development of the first examples of direct, catalytic arylation of PH3, which is a key synthetic intermediate for industrial phosphorus chemistry.

  31 P 1 H} NMR 光谱研究为最近报道的白磷 (P 4 ) 光催化芳基化机制提供了重要的新见解。通过对一系列反应中间体的首次观察，这些研究还启发了 PH 3直接催化芳基化的第一个实例的开发，PH 3 是工业磷化学的关键合成中间体。
• Extraordinary Changes in the Electronic Structure and Properties of CdS and ZnS by Anionic Substitution: Cosubstitution of P and Cl in Place of S
  作者：Summayya Kouser、S. R. Lingampalli、P. Chithaiah、Anand Roy、Sujoy Saha、Umesh V. Waghmare、C. N. R. Rao

  DOI：10.1002/anie.201501532

  日期：2015.7.6

  the effects of substitution of P and Cl on the properties of CdS and ZnS in hexagonal and cubic structures and show that a sub‐band of the trivalent phosphorus with strong bonding with the cation appears in the gap just above the valence band, causing a reduction in the gap and enhancement of dielectric properties. Experimentally, it has been possible to substitute P and Cl in hexagonal CdS and ZnS

  与阳离子取代不同，在无机材料（如金属氧化物和硫化物中）中的阴离子取代有望带来电子结构和性能的重大变化。为了探索这一重要方面，我们进行了第一性原理DFT计算，以确定P和Cl的取代对六方和立方结构中CdS和ZnS性质的影响，并表明三价磷的一个亚带与价格紧密结合的阳离子出现在价带上方的间隙中，从而导致间隙减小并提高了介电性能。实验上，有可能用CdS和ZnS六角形取代P和Cl。如理论所预测的，掺杂显着减小了带隙。在立方ZnS中被N和F共取代的带隙中也观察到了类似的下降。这种阴离子取代有助于改善从CdS半导体结构中析出的氢，也可能引起其他应用。
• Anionic Aliovalent Substitution from Structure Models of ZnS: Novel Defect Diamond‐like Halopnictide Infrared Nonlinear Optical Materials with Wide Band Gaps and Large SHG Effects
  作者：Jindong Chen、Chensheng Lin、Dan Zhao、Min Luo、Guang Peng、Bingxuan Li、Shunda Yang、Yingshuang Sun、Ning Ye

  DOI：10.1002/anie.202010319

  日期：2020.12.21

  parallel‐oriented [MIIPnI3] mixed‐anionic tetrahedral groups, leading to excellent physical properties including wide band gaps (2.38–2.85 eV), large second harmonic generation responses (2.7–5.1×AgGaS2), high laser‐induced damage thresholds (5.5–10.7×AgGaS2), and good IR transparency. In particular, Cd3PI3 and Cd3AsI3 achieved phase‐matching (Δn=0.035 and 0.031) that their template β‐ZnS could not do.

  为了设计具有宽禁带宽度和较大二次谐波生成量的光子非线性光学材料，通过以钻石状ZnS作为模板的阴离子异价取代将重卤素I引入到光子中。因此，获得了四种出色的基于卤虫肽的红外非线性光学晶体M II 3 PnI 3（M II = Zn，Cd； Pn = P，As）。它们都显示出具有高度平行[M II PnI 3 ]混合阴离子四面体基团的缺陷类金刚石结构，从而导致出色的物理性能，包括宽带隙（2.38–2.85 eV），大的二次谐波响应（2.7–5.1） ×AgGaS 2），高激光诱导损伤阈值（5.5-10.7×AgGaS2），以及良好的红外透明性。特别是Cd 3 PI 3和Cd 3 AsI 3实现了模板β-ZnS不能实现的相位匹配（Δn = 0.035和0.031）。阴离子异价取代为设计新颖的有希望的卤代核苷酸IR NLO材料提供了可行的策略。