二砷 | 23878-46-8

• 分子结构分类: 无机化合物 - 均相金属化合物 - 均相类金属化合物
• 中文名称: 二砷
• 英文名称: arsenic
• 英文别名: Diarsene；λ1-arsanylarsenic
• CAS: 23878-46-8
• 化学式: As₂
• 分子量: 149.843
• InChiKey: FFCZHQLUEDCQKI-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.76
• 重原子数：
  2
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  氢化镓 、 二砷 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 gallium arsenide
  参考文献：
  名称：

  应变 GaAs∕GaAsP 超晶格光电阴极极化电子发射的系统研究

  摘要：

  已经研究了通过气体源分子束外延生长的 GaAs∕GaAs1−xPx 应变超晶格阴极的自旋极化电子光电发射。系统地改变超晶格结构参数以优化光电发射特性。在量子效率光谱中可重复观察到重空穴和轻空穴跃迁，从而能够直接测量能带能量和能量分裂。已经观察到高达 86% 的电子自旋极化和超过 1% 的量子效率。

  DOI：

  10.1063/1.1795358
• 作为产物：
  描述：

  arsenic 在 钽 作用下， 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 二砷
  参考文献：
  名称：

  使用高效催化裂化炉进行分子束外延的二聚砷源

  摘要：

  通过调制束质谱法研究了催化双炉砷二聚体源的裂解效率，并通过用热解氮化硼 (pBN) 炉裂解由结晶砷产生的四聚体分子研究了几种材料的催化活性。催化活性降低如下：Pt、Pt-Rh>Re>Ta>Mo、W-Re>graphite>pBN。铂及其与铑的合金在 500 °C 以上与砷反应生成特定化合物，因此不能用作催化剂。铼在 700°C 左右可获得 95% 的转换效率，该温度比使用石墨获得同等效率所需的温度低 300°C 以上。

  DOI：

  10.1063/1.98987

文献信息

• <i>p</i>‐type doping of InP and Ga_0.47In_0.53As using diethylzinc during metalorganic molecular beam epitaxy
  作者：R. A. Hamm、D. Ritter、H. Temkin、M. B. Panish、M. Geva

  DOI：10.1063/1.104876

  日期：1991.5.27

  Diethylzinc (DEZn) was used as a p‐type dopant source during metalorganic molecular beam epitaxy of Ga0.47In0.53As and InP. The incorporation efficiency of the Zn was less than 10−3. However, doping levels from p=1×1017 to 3×1019 cm−3 were obtained at growth temperatures of 485–510 °C. Measurements with secondary‐ion mass spectrometry indicated negligible diffusion of Zn in the Ga0.47In0.53As at these

  在 Ga0.47In0.53As 和 InP 的金属有机分子束外延过程中，二乙基锌 (DEZn) 被用作 p 型掺杂剂源。Zn 的掺入效率小于 10-3。然而，在 485–510 °C 的生长温度下获得了从 p=1×1017 到 3×1019 cm-3 的掺杂水平。二次离子质谱测量表明，在这些掺杂水平和生长温度下，Zn 在 Ga0.47In0.53As 中的扩散可以忽略不计。DEZn 用于掺杂广域分离限制多量子阱 (SCH-MQW) 激光器的 p 型 InP 包覆层。在非优化结构中实现了低至 600 A/cm2 的阈值电流密度。
• Mass‐action control of AlGaAs and GaAs growth in molecular beam epitaxy
  作者：J. M. Van Hove、P. I. Cohen

  DOI：10.1063/1.96017

  日期：1985.10

  GaAs evaporation during molecular beam epitaxy (MBE) is measured using reflection high‐energy electron diffraction (RHEED). On the (001) surface there is a first‐order phase transition from a 2 × 4 to 1 × 1 reconstruction. Upon crossing the phase boundary into the 1 × 1 structure, layer‐by‐layer evaporation of GaAs is observed. This evaporation affects the rate of growth of GaAs and AlxGa1−xAs by MBE

  使用反射高能电子衍射 (RHEED) 测量分子束外延 (MBE) 期间的 GaAs 蒸发。在 (001) 表面有一个从 2 × 4 到 1 × 1 重构的一阶相变。在跨越相界进入 1×1 结构后，观察到 GaAs 的逐层蒸发。这种蒸发会影响 MBE 对 GaAs 和 AlxGa1-xAs 的生长速度。生长速率对衬底温度和 As、Al 和 Ga 通量的依赖性之后是测量 RHEED 强度振荡。结果与 Heckingbottom [R. Heckingbottom, J. Vac。科学。技术。B 3, 572 (1985)]。在高于 850 K 的衬底温度下，未观察到 As2 和 As4 入射通量之间的差异。
• Mechanisms of nitrogen incorporation in GaAsN alloys
  作者：M. Reason、H. A. McKay、W. Ye、S. Hanson、R. S. Goldman、V. Rotberg

  DOI：10.1063/1.1789237

  日期：2004.9.6

  We have investigated nitrogen incorporation mechanisms in dilute nitride GaAsN alloys grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy. A comparison of nuclear reaction analysis and Rutherford backscattering spectrometry in channeling and nonchanneling conditions reveals significant composition-dependent incorporation of N into nonsubstitutional sites, presumably as either N–N or N–As split interstitials

  我们研究了通过等离子体辅助分子束外延生长的稀氮化物 GaAsN 合金中的氮掺入机制。在通道和非通道条件下，核反应分析和卢瑟福背向散射光谱法的比较揭示了 N 显着的成分依赖性掺入到非取代位点，可能是 N-N 或 N-As 分裂间隙。此外，我们将 (2×1) 重建确定为导致最高置换 N 掺入的表面结构，这可能是由于每单位面积可用于 N-As 表面交换的 V 族位点数量较多。 我们已经研究了氮掺入通过等离子体辅助分子束外延生长的稀氮化物 GaAsN 合金的机制。在通道和非通道条件下，核反应分析和卢瑟福背向散射光谱法的比较揭示了 N 显着的成分依赖性掺入到非取代位点，可能是 N-N 或 N-As 分裂间隙。此外，我们将 (2×1) 重建确定为导致最高置换 N 掺入的表面结构，这可能是由于每单位面积有大量 V 族位点可用于 N-As 表面交换。
• Effects of vacuum annealing on the electronic properties of cleaved GaAs
  作者：F Proix、A Akremi、Z T Zhong

  DOI：10.1088/0022-3719/16/28/013

  日期：1983.10.10

  Low-energy electron diffraction, Auger electron spectroscopy and photoemission yield spectroscopy measurements have been performed on GaAs samples cleaved in ultra-high vacuum and subject to in situ isochronous anneals up to 850 degrees C. The properties of the cleaved (110) surface remain unchanged up to about 350 degrees C. Around this temperature, a dissociation occurs inducing a local reconstruction of the surface; at the same time, new states appear which may be attributed to Ga vacancies. Then, around 580 degrees C, the well known dissociation of GaAs sets in with formation of As₂, and the Ga-Ga bonds which then form, determine the electronic properties of the sample. Evaporation of arsenic would become dominant around 650 degrees C. Beyond about 780 degrees C, the excess Ga coalesces into Ga-metal droplets and the GaAs substrate undergoes faceting.

  用低能电子衍射、俄歇电子光谱和光电发射产额光谱对GaAs样品进行了测量，这些样品在超高真空中切割，并进行原位等时退火，最高温度可达850摄氏度。切割的(110)表面的性质在大约350摄氏度左右保持不变。在这个温度左右，发生了一种解离，引起了表面的局部重构；与此同时，新的态出现，可以归因于Ga空位。然后，在580摄氏度左右，GaAs的众所周知的解离开始形成As2，然后形成Ga-Ga键，决定了样品的电子性质。在约650摄氏度左右，砷的蒸发将变得主导。超过约780摄氏度，多余的Ga将凝聚成Ga金属液滴，GaAs基底则经历了晶面的形成。
• As/P exchange on InP(001) studied by reflectance anisotropy spectroscopy
  作者：Z. Sobiesierski、D. I. Westwood、P. J. Parbrook、K. B. Ozanyan、M. Hopkinson、C. R. Whitehouse

  DOI：10.1063/1.118595

  日期：1997.3.17

  Reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) has been used to investigate the As/P exchange reaction for group V stabilized InP(001) surfaces exposed to As2 and/or P2, under molecular beam epitaxy conditions. By comparing RAS spectra taken before, during, and after As2 exposure it is possible to confirm that the As/P exchange reaction is exactly reversible over a range of temperatures from 420 to 560 °C

  反射各向异性光谱 (RAS) 已用于研究暴露于 As2 和/或 P2 的 V 族稳定 InP(001) 表面在分子束外延条件下的 As/P 交换反应。通过比较暴露于 As2 之前、之中和之后的 RAS 光谱，可以确认 As/P 交换反应在 420 至 560 °C 的温度范围内完全可逆。在 2.65 eV 能量下监测的反应速率的时间分辨 RAS 测量表明，交换的活化能为 1.23±0.05 eV。