三（乙基环戊二烯基）钇 | 476364-59-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 碳氢化合物 - 芳香烃
• 中文名称: 三（乙基环戊二烯基）钇
• 英文名称: Y(EtCp)₃
• 英文别名: tris(ethylcyclopentadienyl)yttrium；Tris(ethylcyclopentadienyl) yttrium；5-ethylcyclopenta-1,3-diene;yttrium(3+)
• CAS: 476364-59-7
• 化学式: C₂₁H₂₇Y
• 分子量: 368.351
• InChiKey: QQUAAKQORFUMJF-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.9
• 重原子数：
  22
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.29
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  三（乙基环戊二烯基）钇 、 水 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 yttrium(III) oxide
  参考文献：
  名称：

  使用三（乙基环戊二烯基）钇前体和水蒸气在硅上原子层沉积 Y[sub 2]O[sub 3] 膜

  摘要：

  通过原子层沉积 (ALD)，使用新的前体三（乙基环戊二烯基）钇和水蒸气作为氧化剂在硅上沉积氧化钇膜。薄膜生长动力学已经在不同的反应器条件下进行了检查，并且生长饱和从前体剂量依赖性是显而易见的。薄膜厚度随沉积循环次数线性增加，在最佳 ALD 条件下产生 1.7 ± 0.1 A/循环的增长率。将反应器温度从 200°C 提高到 400°C，生长速率逐渐增加，在 250-285°C 范围内有一个狭窄的温度平台。Y 2 O 3 薄膜的 X 射线光电子能谱分析表明薄膜是化学计量的，没有碳污染的迹象，

  DOI：

  10.1149/1.2929825

文献信息

• US2023/40334
  申请人：——

  公开号：——

  公开（公告）日：——
• Atomic Layer Deposition of Y[sub 2]O[sub 3] Films on Silicon Using Tris(ethylcyclopentadienyl) Yttrium Precursor and Water Vapor
  作者：Prodyut Majumder、Gregory Jursich、Adam Kueltzo、Christos Takoudis

  DOI：10.1149/1.2929825

  日期：——

  Yttrium oxide films are deposited on silicon using a new precursor, tris(ethylcyclopentadienyl) yttrium with water vapor as the oxidizer, by means of atomic layer deposition (ALD). Film growth kinetics has been examined under different reactor conditions, and growth saturation is evident from precursor dosage dependence. The film thickness increases linearly with the number of deposition cycles, yielding

  通过原子层沉积 (ALD)，使用新的前体三（乙基环戊二烯基）钇和水蒸气作为氧化剂在硅上沉积氧化钇膜。薄膜生长动力学已经在不同的反应器条件下进行了检查，并且生长饱和从前体剂量依赖性是显而易见的。薄膜厚度随沉积循环次数线性增加，在最佳 ALD 条件下产生 1.7 ± 0.1 A/循环的增长率。将反应器温度从 200°C 提高到 400°C，生长速率逐渐增加，在 250-285°C 范围内有一个狭窄的温度平台。Y 2 O 3 薄膜的 X 射线光电子能谱分析表明薄膜是化学计量的，没有碳污染的迹象，