与络合物3在类似溶剂中的反应生成六方形的Ni5 P4,而TOP可能是
磷的提供者。六角形NiS是由复合物1和2在400°C下无溶剂分解制得的。NiS(rhom)在2 mV s-1的扫描速率下具有2304 F g-1的最佳比超电容,其次是Ni2 P(hex)的1672 F g-1。同样,NiS(rhom)和Ni2 P(hex)分别显示出最高的功率和能量密度,分别为7.4 kW kg-1和54.16 W kg-1以及6.3 kW kg-1和44.7 W kg-1。在氧析出反应(OER)的测试样品中,Ni5 P4(hex)在50 mA cm-2的电流密度下具有350 mV的最低记录过电位。在
氢气析出反应(HER)检查中,NiS(hex)和Ni5 P4(hex)分别具有最低的过电势231和235 mV,以实现50 mA cm-2的电流密度。TOP可能是
磷的提供者。六角形NiS是由复合物1和2在400