rhenium(IV) selenide

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 英文名称: rhenium(IV) selenide
• 英文别名: rhenium diselenide
• 化学式: ReSe₂
• 分子量: 344.127
• InChiKey: VVBVCPQTSWGISQ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.83
• 重原子数：
  3.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  0.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  potassium cyanide 、 rhenium(IV) selenide 以 neat (no solvent) 为溶剂， 以86%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  Layered K₄[Re₆S₁₀(CN)₂] and Chainlike K₄[Re₆Se₁₀(CN)₄]:  New Types of Chalcocyanide Cluster Compounds with Bridging Chalcogenide Ligands

  摘要：

  DOI：

  10.1021/ic990936c
• 作为产物：
  描述：

  ammonium octachlorodirhenate dihydrate 在 selenium 作用下， 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 rhenium(IV) selenide
  参考文献：
  名称：

  Kurbanov, T. Kh.; Dovlyatshina, R. A.; Gruseinova, S. M., Russian Journal of Inorganic Chemistry, 1991, vol. 36, p. 380 - 383

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Growth of Transition-Metal Dichalcogenides by Solvent Evaporation Technique
  作者：Dmitriy A. Chareev、Polina Evstigneeva、Dibya Phuyal、Gabriel J. Man、Håkan Rensmo、Alexander N. Vasiliev、Mahmoud Abdel-Hafiez

  DOI：10.1021/acs.cgd.0c00980

  日期：2020.10.7

  Due to their physical properties and potential applications in energy conversion and storage, transition-metal dichalcogenides (TMDs) have garnered substantial interest in recent years. Among this class of materials, TMDs based on molybdenum, tungsten, sulfur, and selenium are particularly attractive due to their semiconducting properties and the availability of bottom-up synthesis techniques. Here we report a method which yields high-quality crystals of transition-metal diselenide and ditelluride compounds (PtTe2, PdTe2, NiTe2, TaTe2, TiTe2, RuTe2, PtSe2, PdSe2, NbSe2, TiSe2, VSe2, ReSe2) from their solid solutions, via vapor deposition from a metal-saturated chalcogen melt. Additionally, we show the synthesis of rare-earth-metal polychalcogenides and NbS2 crystals using the aforementioned process. Most of the crystals obtained have a layered CdI2 structure. We have investigated the physical properties of selected crystals and compared them to state of the art findings reported in the literature. Remarkably, the charge density wave transition in 1T-TiSe2 and 2H-NbSe2 crystals is well-defined at TCDW ≈ 200 and 33 K, respectively. Angle-resolved photoelectron spectroscopy and electron diffraction are used to directly access the electronic and crystal structures of PtTe2 single crystals and yield state of the art measurements.

  由于其物理特性和在能量转换与储存方面的潜在应用，过渡金属二硫属化物（TMDs）近年来引起了广泛关注。在这一类材料中，基于钼、钨、硫和硒的TMDs因其半导体特性和自下而上合成技术的可获得性而特别具有吸引力。本文报告了一种方法，通过从金属饱和硫属熔体中蒸发沉积，从其固溶体中得到高质量的过渡金属二硒化物和二碲化物（PtTe2、PdTe2、NiTe2、TaTe2、TiTe2、RuTe2、PtSe2、PdSe2、NbSe2、TiSe2、VSe2、ReSe2）晶体。此外，我们还展示了利用上述工艺合成稀土金属多硫属化物和NbS2晶体的方法。所获得的大多数晶体具有层状CdI2结构。我们研究了选定晶体的物理性质，并与文献中报道的最先进研究成果进行了比较。值得注意的是，在1T-TiSe2和2H-NbSe2晶体中，电荷密度波转变在TCDW分别约为200K和33K时很好地定义。角分辨光电子能谱和电子衍射被用于直接获取PtTe2单晶的电子和晶体结构，并提供了最先进的测量结果。
• Synthesis, Structure, and Spectroscopic Study of Redox-Active Heterometallic Cluster-Based Complexes [Re₅MoSe₈(CN)₆]^<i>n</i>
  作者：Viktoria K. Muravieva、Ivan P. Loginov、Taisiya S. Sukhikh、Maxim R. Ryzhikov、Vadim V. Yanshole、Vladimir A. Nadolinny、Vincent Dorcet、Stéphane Cordier、Nikolay G. Naumov

  DOI：10.1021/acs.inorgchem.1c00763

  日期：2021.6.21

  Chemically accessible potentials allowed us to structurally isolate and characterize the [Re5MoSe8(CN)6]n (n = 3–, 4–, and 5−) cluster complex in several charge states with corresponding cluster skeletal electron (CSE) numbers ranging from 24 to 22. The electronic absorption of the [Re5MoSe8(CN)6]n cluster complex varies significantly upon a change of the CSE number, especially in the visible and near-IR regions

  ReSe 2和MoSe 2的混合物在熔融氰化钾中通过高温反应得到基于异金属簇的化合物K 5 [Re 5 MoSe 8 (CN) 6 ] 。[Re 5 MoSe 8 (CN) 6 ] 5–簇阴离子的氧化还原行为通过循环伏安法在水性和有机介质中进行研究，显示出两个可逆的单电子氧化还原跃迁，E 1/2为 -0.462 和 0.357 V。 CH 3 中的Ag/AgClCN. 发现由于溶剂化作用，水性介质电位显着转移到更高的值。化学上可及的电位使我们能够在结构上分离和表征 [Re 5 MoSe 8 (CN) 6 ] n ( n = 3–, 4–, 和 5– ) 几个电荷态的簇复合物，并具有相应的簇骨架电子 (CSE) 数范围从 24 到 22。 [Re 5 MoSe 8 (CN) 6 ] n的电子吸收簇复合体随 CSE 数的变化而显着变化，尤其是在可见光和近红外区域。密度泛函理论计算证实了电子去除
• Mixed-metal clusters with a {Re₃Mo₃Se₈} core: from a polymeric solid to soluble species with multiple redox transitions
  作者：Viktoria K. Muravieva、Yakov M. Gayfulin、Maxim R. Ryzhikov、Igor N. Novozhilov、Denis G. Samsonenko、Dmitry A. Piryazev、Vadim V. Yanshole、Nikolay G. Naumov

  DOI：10.1039/c7dt03571c

  日期：——

  Cluster compounds based on a new Re3Mo3Se8}n core were obtained and studied. The polymeric solid K6[Re3Mo3Se8(CN)4(CN)2/2] (1) containing 24 cluster valence electrons (CVE) was isolated as a result of high-temperature reaction. Water-soluble salts K5[Re3Mo3Se8(CN)6]·11H2O (2) and Cs5[Re3Mo3Se8(CN)6]·H2O (3) were prepared from compound 1. Crystal structures of the diamagnetic compounds 2 and 3 contain

  获得并研究了基于新的Re 3 Mo 3 Se 8 } n核的团簇化合物。作为高温反应的结果，分离出包含24个簇价电子（CVE）的聚合物固体K 6 [Re 3 Mo 3 Se 8（CN）4（CN）2/2 ]（1）。水溶性盐K 5 [Re 3 Mo 3 Se 8（CN）6 ]·11H 2 O（2）和Cs 5 [Re 3 Mo 3 Se由化合物1制备8（CN） 6 ]·H 2 O（ 3）。抗磁性化合物2和3的晶体结构包含具有22电子核Re 3 Mo 3 Se 8 } +的簇状阴离子[Re 3 Mo 3 Se 8（CN） 6 ] 5-。易位反应，然后从CH 3 CN重结晶，生成顺磁性盐（Ph 4 P） 4 [Re 3 Mo 3 Se 8（CN）6 ]·2CH 3 CN（4）包含具有21 CVE的Re 3 Mo 3 Se 8 } 2+核。的溶液的循环伏安法4显示了三个准可逆波Ê 1/2 = -0
• Electrical Anisotropy of W-Doped ReSe[sub 2] Crystals
  作者：S. Y. Hu、C. H. Liang、K. K. Tiong、Y. S. Huang、Y. C. Lee

  DOI：10.1149/1.2209589

  日期：——

  Single crystals of W-doped ReSe 2 have been grown by chemical vapor transport process with bromine as the transporting agent. Single crystalline platelets up to 3 X 3 mm surface area and 100 μm in thickness were obtained. From the X-ray diffraction patterns, the doped crystals are found to crystallize in the triclinic-layered structure. The electrical anisotropy has been investigated along and perpendicular

  W掺杂的ReSe 2 单晶已经通过化学蒸汽传输过程以溴作为传输剂生长。获得了高达 3 X 3 mm 表面积和 100 μm 厚度的单晶小片。从 X 射线衍射图中，发现掺杂的晶体在三斜层状结构中结晶。通过与温度相关的电导率和霍尔效应测量，已经在范德华平面上沿和垂直于 b 轴研究了电各向异性。将比较和讨论掺杂剂的影响。
• Synthesis and Characterization of ReS₂ and ReSe₂ Layered Chalcogenide Single Crystals
  作者：Bhakti Jariwala、Damien Voiry、Apoorv Jindal、Bhagyashree A. Chalke、Rudheer Bapat、Arumugam Thamizhavel、Manish Chhowalla、Mandar Deshmukh、Arnab Bhattacharya

  DOI：10.1021/acs.chemmater.6b00364

  日期：2016.5.24

  We report the synthesis of high-quality single crystals of ReS2 and ReSe2 transition metal dichalcogenides using a modified Bridgman method that avoids the use of a halogen transport agent. Comprehensive structural characterization using X-ray diffraction and electron microscopy confirm a distorted triclinic 1T′ structure for both crystals and reveal a lack of Bernal stacking in ReS2. Photoluminescence

  我们报告了使用改良的Bridgman方法避免使用卤素转运剂的高质量的ReS 2和ReSe 2过渡金属二卤化物单晶的合成。使用X射线衍射和电子显微镜进行的全面结构表征证实了两种晶体的三斜晶系1 T '结构均发生了扭曲，并揭示了ReS 2中缺少Bernal堆积。在ReS 2上的光致发光（PL）测量表明，与层无关的带隙为1.51 eV，来自较厚薄片的PL强度增加，证实层间耦合在该材料中可忽略不计。对于ReSe 2，带隙对层的依赖性很弱，从薄层的1.31 eV降低到厚片的1.29 eV。两种硫族化物都显示了特征丰富的拉曼光谱，并对其激发能量依赖性进行了研究。从剥落薄片制成的FET结构中提取出来的晶体生长过程固有的较低背景掺杂导致ReS 2和ReSe 2的场效应迁移率值分别为79和0.8 cm 2 /（V s）。我们的工作表明，ReX 2硫族化物有望成为2D材料的候选材料，尤其是对于光电器件，而无需具有单层薄薄片即可实现直接带隙的要求。